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cmos

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CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

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cmos技術(shù)

CMOS線(xiàn)性調(diào)整器的內(nèi)部電路和基本結(jié)構(gòu)

CMOS線(xiàn)性調(diào)整器的內(nèi)部電路和基本結(jié)構(gòu)

內(nèi)部電路中包含基準(zhǔn)電壓源、誤差放大器、預(yù)先調(diào)整輸出電壓用電阻、輸出用P溝道MOS晶體管。

2018-05-16 標(biāo)簽:CMOS 5818 0

光學(xué)傳感器中CCD與CMOS的區(qū)別

CMOS主要是利用硅和鍺兩種元素所做成的半導(dǎo)體,使其在CMOS上共存著帶N(帶負(fù)電) 和 P(帶正電)級(jí)的半導(dǎo)體,這兩個(gè)互補(bǔ)效應(yīng)所產(chǎn)生的電流經(jīng)過(guò)處理后即...

2021-06-13 標(biāo)簽:CMOS圖像傳感器光學(xué)傳感器 5811 0

LMC555的數(shù)據(jù)表/引腳排列/技術(shù)規(guī)格

LMC555的數(shù)據(jù)表/引腳排列/技術(shù)規(guī)格

在這篇文章中,我們將研究IC LMC555的數(shù)據(jù)表、引腳排列和技術(shù)規(guī)格,LMC555是標(biāo)準(zhǔn)IC 1的CMOS版本。該 IC具有許多出色的特性,最令人驚訝...

2023-06-29 標(biāo)簽:CMOS數(shù)據(jù)表LMC555 5691 0

CMOS數(shù)字電路靜態(tài)時(shí)動(dòng)態(tài)功耗大的原因

以前,在做數(shù)字硬件電路設(shè)計(jì)的時(shí)候,總聽(tīng)到說(shuō),CMOS數(shù)字電路靜態(tài)時(shí),基本沒(méi)有功耗,但是當(dāng)進(jìn)行翻轉(zhuǎn)時(shí),功耗就上來(lái)了。

2022-10-31 標(biāo)簽:CMOS反相器數(shù)字電路 5681 1

數(shù)字電路中CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)與制造技術(shù)

數(shù)字電路中CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)與制造技術(shù)

靜態(tài)的CMOS電路的設(shè)計(jì)有著一定的規(guī)則,而正是這些規(guī)則使得其電路的設(shè)計(jì)變得非常簡(jiǎn)單。

2020-07-20 標(biāo)簽:CMOS反相器數(shù)字電路 5628 0

硅光產(chǎn)業(yè)鏈的整體發(fā)展現(xiàn)狀

光模塊作為光通信系統(tǒng)中的核心器件,其市場(chǎng)規(guī)模逐年呈爆發(fā)式增長(zhǎng)。根據(jù) Yole 的數(shù)據(jù),全球光模塊市場(chǎng)規(guī)模 2020 年約為 96 億美元,預(yù)計(jì)到 202...

2022-09-05 標(biāo)簽:CMOS激光器光通信 5588 0

 基于CMOS和DSA設(shè)計(jì)方法的數(shù)字步進(jìn)衰減器設(shè)計(jì)

基于CMOS和DSA設(shè)計(jì)方法的數(shù)字步進(jìn)衰減器設(shè)計(jì)

采用CMOS技術(shù)的數(shù)字步進(jìn)衰減器能提供較高的抗ESD能力、高線(xiàn)性度、低插入損耗、串聯(lián)及并聯(lián)邏輯接口以及專(zhuān)有的超低噪音負(fù)電壓發(fā)生器。本文基于Peregri...

2017-12-13 標(biāo)簽:cmos衰減器 5556 0

XC6129系列外接電容延遲式電壓檢測(cè)器的詳細(xì)參數(shù)介紹

XC6129系列外接電容延遲式電壓檢測(cè)器的詳細(xì)參數(shù)介紹

XC6129系列產(chǎn)品是超小型,高精度,外接電容式,附帶延遲式電壓功能的檢測(cè)器。由于采用CMOS工藝,高精度基準(zhǔn)電源,激光微調(diào)技術(shù)而實(shí)現(xiàn)了高精度,低消耗電...

2018-10-03 標(biāo)簽:CMOS檢測(cè)器封裝 5555 0

新型低功耗LNA電路架構(gòu)的優(yōu)化和實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)

新型低功耗LNA電路架構(gòu)的優(yōu)化和實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)

隨著無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)的迅猛發(fā)展,無(wú)線(xiàn)終端小型化、低功耗、低成本、高性能已成為射頻集成電路(RFIC)發(fā)展的必然趨勢(shì)。以往的MOS管高頻性能相對(duì)較差,傳統(tǒng)的射...

2020-07-31 標(biāo)簽:cmos放大器無(wú)線(xiàn)通信 5520 0

機(jī)器視覺(jué)光源有什么樣的作用及選擇標(biāo)準(zhǔn)資料概述

機(jī)器視覺(jué)是圖像技術(shù)、模式識(shí)別技術(shù)以及計(jì)算機(jī)技術(shù)發(fā)展的產(chǎn)物,是實(shí)現(xiàn)智能化、自動(dòng)化、信息化的先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域。機(jī)器視覺(jué)的發(fā)展帶動(dòng)了人工智能的進(jìn)步。機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)從...

2019-05-18 標(biāo)簽:CMOS機(jī)器視覺(jué)人工智能 5499 0

MOSFET的結(jié)構(gòu)和重點(diǎn)參數(shù)介紹及應(yīng)用前景如何?

最近,國(guó)內(nèi)對(duì)MOSFET的需求大漲,導(dǎo)致業(yè)內(nèi)缺貨,很多廠(chǎng)商有錢(qián)買(mǎi)不到貨,這是MOSFET廠(chǎng)商最愿意看到的。MOSFET需求增長(zhǎng)源于物聯(lián)網(wǎng)、3C產(chǎn)品、云端...

2018-09-15 標(biāo)簽:CMOSMOSFET物聯(lián)網(wǎng) 5446 0

CMOS和CCD兩種圖像傳感器在不同領(lǐng)域的應(yīng)用和發(fā)展

人們經(jīng)常討論CMOS和CCD兩種圖像傳感器之間的比較優(yōu)勢(shì),但自始至終,卻沒(méi)有任何定論浮出水面。

2023-04-15 標(biāo)簽:CMOSCCD圖像傳感器 5412 0

采用CMOS工藝的射頻設(shè)計(jì)研究

采用CMOS工藝的射頻設(shè)計(jì)研究

近年來(lái),有關(guān)將CMOS工藝在射頻(RF)技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過(guò)1GHz,這無(wú)疑推動(dòng)了集成CMOS射...

2017-11-25 標(biāo)簽:cmosRF 5410 0

高性能76-81GHz 28nm RF CMOS汽車(chē)?yán)走_(dá)

ADI公司演示一種76-81GHz汽車(chē)?yán)走_(dá)技術(shù)平臺(tái),這種平臺(tái)將轉(zhuǎn)變OEM對(duì)未來(lái)高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)和自主駕駛傳感器抱持的理念。

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多通道低噪聲CMOS運(yùn)算放大器LTC6081

多通道低噪聲CMOS運(yùn)算放大器LTC6081

描述: LTC 6081/LTC6082 是具有軌至軌輸入/輸出擺幅的雙通道/四通道低失調(diào)、低漂移、低噪聲 CMOS 運(yùn)算放大器。 70V 的最大失調(diào)、...

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IV轉(zhuǎn)換信號(hào)采集前端模塊原理解析

IV轉(zhuǎn)換信號(hào)采集前端模塊原理解析

在前面的文章里面有一個(gè)廣為流傳的原理圖,一會(huì)兒在下面會(huì)有這個(gè)圖。

2023-11-17 標(biāo)簽:CMOS放大器原理圖 5368 0

圖像傳感器的市場(chǎng)分析即將到來(lái)黃金時(shí)代

物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代到來(lái)的大背景下,CMOS圖像傳感器是一個(gè)極具活力與成長(zhǎng)性的半導(dǎo)體細(xì)分市場(chǎng)。尤其在汽車(chē)、安防、工控等領(lǐng)域,具備較大提升空間,能夠接力手機(jī)領(lǐng)域,成...

2018-12-08 標(biāo)簽:CMOS圖像傳感器物聯(lián)網(wǎng) 5324 0

選擇合適的CMOS模擬開(kāi)關(guān)

選擇合適的CMOS模擬開(kāi)關(guān)

本文回顧了標(biāo)準(zhǔn)CMOS模擬開(kāi)關(guān)的基本結(jié)構(gòu)和通用模擬開(kāi)關(guān)的一些基本參數(shù),比如導(dǎo)通電阻(RON)、RON平坦度、泄漏、電荷注入和關(guān)斷隔離。文章討論了新型模擬...

2023-06-12 標(biāo)簽:CMOSusb模擬開(kāi)關(guān) 5320 0

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淺談倒裝芯片封裝工藝

倒裝芯片工藝是指通過(guò)在芯片的I/0 焊盤(pán)上直接沉積,或者通過(guò) RDL 布線(xiàn)后沉積凸塊(包括錫鉛球、無(wú)鉛錫球、銅桂凸點(diǎn)及金凸點(diǎn)等),然后將芯片翻轉(zhuǎn),進(jìn)行加...

2023-04-28 標(biāo)簽:芯片CMOS焊盤(pán) 5318 0

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系統(tǒng)級(jí)封裝 (SiP) 是一種用于將多個(gè)集成電路 (IC) 和無(wú)源元件捆綁到一個(gè)封裝中的方法,它們?cè)谠摲庋b下協(xié)同工作。這與片上系統(tǒng) (SoC) 形成對(duì)比...

2023-05-19 標(biāo)簽:CMOS封裝soc 5228 0

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