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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

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濾光片在光學(xué)鏡頭中的作用

普通IR采用反射式，在可見光區(qū)域有較高透過率的同時，存在較低的反射率，而在紅外區(qū)域正好相反，反射較高。所以，當相機在成角度拍攝照片時紅外光在IR膜上會有...

2023-02-21 標簽：CMOS 濾光片光學(xué)鏡頭 5131 0

DS1045雙通道4位可編程延遲線的器件特性

DS1045為4位雙通道可編程延遲線，支持兩個可編程輸出，從單輸入。該CMOS器件能夠以二進制步進產(chǎn)生輸出，最大延遲高達 84 ns。選擇四個標準器...

2023-02-21 標簽：CMOS 寄存器觸發(fā)器 2480 0

CMOS邏輯IC的基本操作流程

在上期的芝識課堂中，我們和大家簡單認識了邏輯IC的基本知識和分類，并且特別提到CMOS邏輯IC因成本、系統(tǒng)復(fù)雜度和功耗的平衡性最好，因此得到了最廣泛應(yīng)用...

2023-02-21 標簽：CMOS MOSFET 反相器 1145 0

一起了解CMOS邏輯IC的基本操作

使用互補的p溝道和n溝道MOSFET組合的電路稱為CMOS（互補MOS）。CMOS邏輯IC以各種方式組合MOSFET來實現(xiàn)邏輯功能。

2023-02-21 標簽：CMOS MOSFET 反相器 1340 0

CMOS逆變器的特性/功耗/橫截面/電路圖

CMOS逆變器非常簡單，它將功耗降至最低水平。它由一對增強型NMOS和PMOS組成，作為交換機運行，串聯(lián)連接，如圖所示。請注意，每個晶體管用作另一個晶體...

2023-02-20 標簽：CMOS NMOS 逆變器 3412 0

基于載流子復(fù)合抑制及傳輸增強的Sb?Se?光電探測器

光電探測器利用半導(dǎo)體對光的吸收將光信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?，在國民?jīng)濟生活和軍事上扮演重要作用。

2023-02-20 標簽：CMOS 光信號電信號 2976 0

二極管邏輯：上下拉電阻能夠增強驅(qū)動能力

在這么原始的邏輯電路中就已經(jīng)出現(xiàn)了上下拉電阻，這里面的原理也非常簡單粗暴：利用開關(guān)的閉合（電阻為0）和開啟（電阻無窮大）的特性，配合電阻，就可以輕松實現(xiàn)...

2023-02-20 標簽：CMOS 二極管上拉電阻 2087 0

ADC的SPI接口讀取返回0xFF解決方案

新一代GSPS（每秒千兆采樣）ADC（模數(shù)轉(zhuǎn)換器）在系統(tǒng)實現(xiàn)中提供了業(yè)界領(lǐng)先的性能和可靠性。但是，如果SPI接口每次讀取都回讀0xFF，那么這肯定是不可...

2023-02-17 標簽：CMOS adc SPI 7105 0

NMOS管和PMOS管的定義

　　NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS...

2023-02-16 標簽：CMOS 晶體管 MOS 9694 0

NMOS、PMOS、CMOS的結(jié)構(gòu)介紹

咱們前幾期講的一直是NMOS，導(dǎo)電靠的是溝道中的自由電荷。而PMOS與NMOS結(jié)構(gòu)上的不同點在于半導(dǎo)體基板的材料恰恰相反，是在N型摻雜基板的基礎(chǔ)上加了兩...

2023-02-16 標簽：CMOS 半導(dǎo)體 NMOS 1.2萬 0

PCB板設(shè)計中幾種典型的通用ESD保護電路

ESD，也就是我們常說的靜電釋放(Electro-Static discharge)。從學(xué)習(xí)過的知識中可以知道，靜電是一種自然現(xiàn)象，通常通過接觸、摩擦、...

2023-02-16 標簽：CMOS ESD pcb 1405 0

詳解嵌入式系統(tǒng)知識和總線電路及信號驅(qū)動

組合邏輯電路：電路在任一時刻的輸出，僅取決于該時刻的輸入信號，而與輸入信號作用前電路的狀態(tài)無關(guān)。常用的邏輯電路有譯碼器和多路選擇器等。

2023-02-15 標簽：CMOS 邏輯電路嵌入式系統(tǒng) 693 0

什么是射頻衰減器

為了繼續(xù)針對非RF工程師的RF系列簡短討論，我們將討論IC衰減器，并對其類型、配置和規(guī)格提供一些見解。本文旨在幫助工程師開始使用各種IC產(chǎn)品，并為最終應(yīng)...

2023-02-15 標簽：CMOS 射頻 RFIC 2192 0

CMOS的靜電及過壓

CMOS的靜電放電可能會導(dǎo)致電路損壞，而過壓可能會導(dǎo)致電路過熱，從而影響電路的性能和可靠性。因此，在使用CMOS時，應(yīng)注意防止靜電放電和過壓。

2023-02-14 標簽：CMOS 電路靜電 1580 0

GaN的襯底類型及在5G通信中的應(yīng)用

　　氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，在上世紀90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，多年來氮化鎵已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體研究的熱點，被稱為第三代半導(dǎo)體，它具有更...

2023-02-13 標簽：CMOS 半導(dǎo)體 GaN 1114 0

T3/E3/STS-1 LIU二次浪涌保護設(shè)計

T3、E3 和 STS-1 線路主要用于建筑內(nèi)應(yīng)用，將一臺設(shè)備連接到另一臺設(shè)備。盡管與外部線路（如T1）相比，建筑物內(nèi)線路的雷擊和電力線交叉的潛在危險本...

2023-02-13 標簽：電源 CMOS 放電管 1553 0

RS232接口的新發(fā)展

已經(jīng)開發(fā)出新的RS232接口芯片，與1488和1489等舊設(shè)備相比具有顯著優(yōu)勢。與舊器件相比，新型 RS232 接口 IC 提高了速度、功率、電壓電源要...

2023-02-13 標簽：電源 CMOS 驅(qū)動器 1780 0

不要迷失在電壓轉(zhuǎn)換中

為了提高效率，當今的電子系統(tǒng)越來越模塊化。特別是，電池供電的那些具有各種電壓要求。雖然核心數(shù)字控制和數(shù)據(jù)處理子系統(tǒng)通常使用1.8 V（或更低，如1.2 ...

2023-02-13 標簽：電源 CMOS ESD 571 0

什么是硅基氮化鎵？硅基氮化鎵有哪些突出特性？

硅基氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體，屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。

2023-02-12 標簽：CMOS 半導(dǎo)體硅基氮化鎵技術(shù) 1317 0

用于雙極性A至D轉(zhuǎn)換器的單電源RS232接口

為單電源供電設(shè)計電路通常是一種有吸引力的簡化方法，可以降低生產(chǎn)成本。然而，許多應(yīng)用只需要幾個額外的電源來解決簡單的接口問題。此處提供的示例描述了高級RS...

2023-02-10 標簽：電源 CMOS 轉(zhuǎn)換器 1181 0

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