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CMP指令是由美國斯坦福大學提出的,英文名稱是Chip multiprocessors,翻譯成中文就是單芯片多處理器,也指多核心其思想是將大規(guī)模并行處理器中的SMP(對稱多處理器)集成到同一芯片內(nèi),各個處理器并行執(zhí)行不同的進程。與CMP比較, SMT處理器結構的靈活性比較突出。
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TSV 是目前半導體制造業(yè)中最為先進的技術之一,已經(jīng)應用于很多產(chǎn)品生產(chǎn)。實現(xiàn)其制程的關鍵設備選擇與工藝選擇息息相關, 在某種程度上直接決定了 TSV 的...
碳化硅(SiC)材料是功率半導體行業(yè)主要進步發(fā)展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。
濕法刻蝕利用化學溶液溶解晶圓表面的材料,達到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學反應的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
信號完整性從系統(tǒng)級考慮的話,那就是Die-->Package-->PCB。Package部分的難點就是制程能力。
拋光液必須現(xiàn)場調配,立即使用。通過測量容積或液位實時確保各種成分的配比,實現(xiàn)現(xiàn)配現(xiàn)磨。先進的芯片制程采用非接觸式的稱重計量法來做配比,采用自動化的高精密...
CMP指令有三個操作數(shù):兩個源操作數(shù)[S1.]和[S2.],一個目標操作數(shù)[D.],該指令將[S1.]和[S2.]進行比較,結果送到[D.]中。CMP指...
寄存器CMP_CTRLSTS的CMPBLANKING[2:0]位用于選擇比較器消隱窗口的來源,該功能可以用于防止電流調節(jié)在PWM起始時刻產(chǎn)生的尖峰電流。
輸入指令上方操作數(shù)占位符中的第一個比較值(< 操作數(shù) 1>)。輸入指令下方操作數(shù)占位符中的第二個比較值(< 操作數(shù) 2>)。
比較器同相和反相輸入源可選:— I/O引腳— 內(nèi)部參考電壓和三個系數(shù)分壓值(1/4,1/2,3/4)
當比較指令的操作數(shù)不完整,(如只指定一個或二個操作數(shù)),指定的操作數(shù)不符合要求(如把X D T C 指定為目標操作數(shù)),或者指定的操作數(shù)的元件超出了允許...
1)在單晶硅片制造環(huán)節(jié),單晶硅片首先通過化學腐蝕減薄,此時粗糙度在 10-20μm,在進行粗拋光、細拋光、精拋光等步驟,可將粗糙度控制在幾十個 nm 以...
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