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DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
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PCB布線設(shè)計(jì)時(shí)如何通過線長(zhǎng)匹配來保證系統(tǒng)的時(shí)序
數(shù)據(jù)信號(hào)與DQS做等長(zhǎng)。為啥要做等長(zhǎng)?大家會(huì)說是要讓同組信號(hào)同時(shí)到達(dá)接收端,好讓接收芯片能夠同時(shí)處理這些信號(hào)。
2020-01-06 標(biāo)簽:DDRPCB布線線長(zhǎng)匹配 1788 0
CPU寫物理內(nèi)存的過程:CPU先給出要寫入數(shù)據(jù)的物理地址對(duì)應(yīng)的虛擬地址,通過MMU轉(zhuǎn)化為物理地址,若cache中沒有命中,則將要寫入數(shù)據(jù)的物理地址放到系...
ChannelExpert平臺(tái)如何對(duì)DDR信號(hào)進(jìn)行時(shí)域眼圖仿真分析
隨著云計(jì)算、互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展,電子產(chǎn)業(yè)在半導(dǎo)體技術(shù)的推動(dòng)下,產(chǎn)品的功能不斷增強(qiáng),集成度不斷提高,信號(hào)速率不斷加快,產(chǎn)品的研發(fā)周期也日益縮短。
buffer供電的電源,VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用。有的芯片還有VDDL,是給DLL供電的,也和VDD使用同一電源即可。
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
在同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)的工作模式中,以數(shù)據(jù)讀取速率來分類,有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙...
使用OSERDES發(fā)送高速串行數(shù)據(jù)
OSERDES實(shí)現(xiàn)并串轉(zhuǎn)換,只需要管發(fā)送并不需要管接收到的數(shù)據(jù)如何,所以它的操作相對(duì)于ISERDES來說簡(jiǎn)單;
2023-06-16 標(biāo)簽:FPGA設(shè)計(jì)DDRSDR 1602 0
DDR仿真和測(cè)試完美對(duì)應(yīng)的經(jīng)典案例
不知道現(xiàn)在大家做的DDR4系統(tǒng)的指標(biāo)是怎么樣了?從高速先生和最近眾多客戶的配合來看,從一個(gè)通道的總?cè)萘亢退俾噬隙蓟旧侠搅藰O限,從單個(gè)顆粒的容量,很多...
《基于“礦板”低成本學(xué)習(xí)Zynq系列》之九-廉頗老矣否,雖礦也要跑個(gè)分
前面我們測(cè)試了DDR,片上memory,片內(nèi)外設(shè)等都OK,那么現(xiàn)在我們就來跑個(gè)分看卡你性能怎么樣。
set_input_delay中-add_delay的作用簡(jiǎn)析
在默認(rèn)情況下,一個(gè)port只需要一個(gè)min和max的dealy值,如果我們?cè)O(shè)置兩次,那么第二次設(shè)置的值會(huì)覆蓋第一次的值:下面的第一行就無效了。
DDR是指雙倍數(shù)據(jù)速率的同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問內(nèi)存(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Me...
使用集成的原理圖、布局和仿真工具消除DDR設(shè)計(jì)中的猜測(cè)
DDR 內(nèi)存正在迅速成為不僅是領(lǐng)先技術(shù),而且是內(nèi)存設(shè)計(jì)中唯一使用的技術(shù)。因此,DDR 系統(tǒng)在科技行業(yè)的需求量很大。與原理圖和 PCB 設(shè)計(jì)軟件集成的高速...
2022-07-28 標(biāo)簽:DDR 1563 0
DDR3和DDR4存儲(chǔ)器學(xué)習(xí)筆記
DDR存儲(chǔ)器發(fā)展的主要方向一言以蔽之,是更高速率,更低電壓,更密的存儲(chǔ)密度,從而實(shí)現(xiàn)更好的性能。
推薦一款企業(yè)級(jí)硬件仿真系統(tǒng)—OmniArk芯神鼎
為了滿足日益復(fù)雜的芯片設(shè)計(jì),以及日益旺盛的國(guó)產(chǎn)化需求,思爾芯全新推出企業(yè)級(jí)硬件仿真系統(tǒng)——OmniArk芯神鼎。
2023-03-14 標(biāo)簽:fpgaDDRSoC設(shè)計(jì) 1533 0
元器件布局的10條規(guī)則 如何畫出完美的PCB板子?
布局應(yīng)盡量滿足以下要求:總的連線盡可能短,關(guān)鍵信號(hào)線最短;高電壓、大電流信號(hào)與小電流,低電壓的弱信號(hào)完全分開;模擬信號(hào)與數(shù)字信號(hào)分開;高頻信號(hào)與低頻信號(hào)...
Altium Designer軟件是怎樣設(shè)置等長(zhǎng)誤差的呢
在DDR的設(shè)計(jì)中,需要對(duì)數(shù)據(jù)線及地址線進(jìn)行分組及等長(zhǎng)來滿足時(shí)序匹配,通常DDR的數(shù)據(jù)線之間的長(zhǎng)度誤差需要保證在50mil以內(nèi),地址線的長(zhǎng)度誤差需要保證在...
2022-11-02 標(biāo)簽:DDR 1502 0
在DDR存儲(chǔ)器終端電壓電源中增加電壓下降可降低輸出電容
用于產(chǎn)生 DDR 存儲(chǔ)器終止電壓的電源,即使在極端負(fù)載瞬變期間,從最大額定灌電流到最大額定拉電流,也只能承受 40mV 的變化。通常使用昂貴的大型電容器...
之前的文章講述的都是阻性終端負(fù)載的反射。其實(shí)在負(fù)載(芯片管腳)上也有輸入電容存在,通常都是幾個(gè)pf。如下Table 174是某顆LPDDR4的各個(gè)輸入b...
明緯電源30W導(dǎo)軌型DC-DC轉(zhuǎn)換器DDR-30系列簡(jiǎn)介
DDR-30系列是一款30W導(dǎo)軌型DC-DC轉(zhuǎn)換器,其主要特點(diǎn)為導(dǎo)軌型安裝便捷, 寬度僅為35mm的超薄設(shè)計(jì),4:1的超寬范圍輸入電壓、-40~+85℃...
2023-07-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器DDRDC-DC 1474 0
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