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ddr4

ddr4

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DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日,三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。

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ddr4技術(shù)

電子設(shè)備中MCU類(lèi)VS Linux類(lèi) 不同的存儲(chǔ)方式

日常生活離不開(kāi)各類(lèi)電子產(chǎn)品,我們常見(jiàn)的電子產(chǎn)品通常以電路板作為載體,包含信息采集,信息處理,存儲(chǔ),執(zhí)行等功能。 對(duì)于工程師來(lái)說(shuō),比起電路板,說(shuō)開(kāi)發(fā)板可能...

2021-02-06 標(biāo)簽:單片機(jī)mculcd 4823 0

淺談PCB布局中的DDR4阻抗變化

如果沒(méi)有正確的設(shè)計(jì)和分析工具集,高速接口可能難以布局和布線(xiàn)。以太網(wǎng),USB,DDR,MIPI等協(xié)議需要在PCB布局中進(jìn)行精確的單端和差分阻抗控制。反過(guò)來(lái)...

2020-12-31 標(biāo)簽:pcb阻抗DDR4 8312 0

基于ZU+的外掛8顆DDR4的設(shè)計(jì)案例分析

基于ZU+的外掛8顆DDR4的設(shè)計(jì)案例分析

本篇主要針對(duì)Zynq UltraScale + MPSoC的DDR接口,從硬件設(shè)計(jì)的角度進(jìn)行詳細(xì)介紹,最后展示一下小編之前自己設(shè)計(jì)的基于ZU+的外掛8顆...

2020-12-21 標(biāo)簽:pcbDDRDDR4 9791 0

DDR5內(nèi)存和DDR4內(nèi)存差異總結(jié)

DDR5的主要特性是芯片容量,不僅僅是更高的性能和更低的功耗,DDR5將具有改進(jìn)的命令總線(xiàn)效率,更好的刷新方案以及增加的存儲(chǔ)體組以獲得額外的性能。

2020-09-17 標(biāo)簽:內(nèi)存條DDR4DDR5 1.8萬(wàn) 0

影響著筆記本性能主要有這幾個(gè)因素

處理器和顯卡對(duì)性能的影響是立竿見(jiàn)影,很容易通過(guò)跑分軟件量化對(duì)比。然而,在筆記本身上還有很多芯片在偷摸著影響性能,進(jìn)而有損實(shí)際體驗(yàn)。

2020-09-03 標(biāo)簽:處理器筆記本內(nèi)存芯片 6608 0

基于長(zhǎng)鑫國(guó)產(chǎn)顆粒的DDR4內(nèi)存的測(cè)試報(bào)告

從2018年開(kāi)始,世界的局勢(shì)越來(lái)越緊張,米國(guó)尤其在以芯片為代表的高科技行業(yè)對(duì)我們?nèi)矫娴膹棄?,所以保證芯片的自立自主呼聲越來(lái)越高。之前我們也測(cè)試過(guò)一對(duì)紫...

2020-07-29 標(biāo)簽:DDR4紫光長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 9362 0

內(nèi)外兼修,江波龍DDR4內(nèi)存已通過(guò)KTI專(zhuān)項(xiàng)測(cè)試認(rèn)證

繼推出全系列容量的DDR4內(nèi)存和基于長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM資源的國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存后,江波龍?jiān)趦?nèi)存測(cè)試技術(shù)上不斷探索,除了自主開(kāi)發(fā)基于10nm ASIC的測(cè)試系統(tǒng)外,...

2020-06-23 標(biāo)簽:內(nèi)存DDR4江波龍 2943 0

示波器配備的探測(cè)分析工具要能與自動(dòng)一致性測(cè)試相結(jié)合

隨著示波器用戶(hù)對(duì)速度更快、功耗更低和體積更小的存儲(chǔ)器的需求與日俱增,雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)存儲(chǔ)器技術(shù)在過(guò)去五年里得到了巨大的發(fā)展。

2020-01-27 標(biāo)簽:示波器DDR4 1494 0

內(nèi)存條的什么屬性重要應(yīng)該如何選擇

買(mǎi)電腦內(nèi)存條主要看什么呢?由于內(nèi)存條的種類(lèi)和品牌非常的多,消費(fèi)者在選擇內(nèi)存條的時(shí)候就需要認(rèn)識(shí)內(nèi)存的主要配置,特別是DIY配置電腦的時(shí)候,如果想要購(gòu)買(mǎi)好點(diǎn)...

2019-12-01 標(biāo)簽:CPU內(nèi)存條DDR4 6167 0

內(nèi)存容量和硬盤(pán)容量的有什么區(qū)別?如何選擇合適的內(nèi)存

今天碰到一件扎心的事,朋友帶一妹子咨詢(xún)筆記本的配置。需求是日常辦公,偶爾PS一下,4K到5K的價(jià)格,我建議CPU最好要i5-8265、內(nèi)存8G、硬盤(pán)要,...

2019-09-14 標(biāo)簽:硬盤(pán)內(nèi)存DDR4 3.4萬(wàn) 0

扒一扒DDR4的新功能和PCB設(shè)計(jì)上的一些注意事項(xiàng)

扒一扒DDR4的新功能和PCB設(shè)計(jì)上的一些注意事項(xiàng)

VTT上拉電阻放置在相應(yīng)網(wǎng)絡(luò)的末端,即靠近最后一個(gè)DDR4顆粒的位置放置;注意VTT上拉電阻到DDR4顆粒的走線(xiàn)越短越好,走線(xiàn)長(zhǎng)度小于500mil;每個(gè)...

2019-04-16 標(biāo)簽:pcb濾波電容DDR4 4.1萬(wàn) 0

高性能DDR4內(nèi)存解決方案的演示介紹

Xilinx推出業(yè)界首款面向All Programmable UltraScale?器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案,每秒數(shù)據(jù)速率高達(dá)2400 Mb.U...

2018-11-30 標(biāo)簽:asic內(nèi)存ddr4 4171 0

Xilinx DDR4控制器和接口的速度運(yùn)行是2400 Mb/s

在安捷倫最新的測(cè)試解決方案之一Infinium 90000X系列示波器上驗(yàn)證,UltraScale FPGA上運(yùn)行的2400 Mb / s DDR4內(nèi)存...

2018-11-30 標(biāo)簽:控制器示波器賽靈思 7668 0

DDR4技術(shù)有什么特點(diǎn)?如何采用ANSYS進(jìn)行DDR4仿真?

本文介紹了DDR4技術(shù)的特點(diǎn),并簡(jiǎn)單介紹了ANSYS工具用來(lái)仿真DDR4的過(guò)程。文章中主要介紹的對(duì)象為DDR4 3200MHz內(nèi)存,因?yàn)橛布O客對(duì)DDR...

2018-10-14 標(biāo)簽:SDRAMDDR4ANSYS 2.7萬(wàn) 0

如何使DDR4降低系統(tǒng)功耗?要借助POD電平

如何使DDR4降低系統(tǒng)功耗?要借助POD電平

DDR4主要是針對(duì)需要高帶寬低功耗的場(chǎng)合。這些需求導(dǎo)致了DDR4芯片引入了一些新的特點(diǎn):它摒棄了上幾代內(nèi)存產(chǎn)品的SSTL電平接口,引用了新的I/O架構(gòu)P...

2018-07-27 標(biāo)簽:電平功耗ddr4 1.8萬(wàn) 1

利用Sigrity SystemSI來(lái)生成DDR5 AMI模型

利用Sigrity SystemSI來(lái)生成DDR5 AMI模型

過(guò)去幾年來(lái),許多系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員一直在使用DDR4 RAM元器件,并將其用于系統(tǒng)設(shè)計(jì)。隨著產(chǎn)品性能的不斷提高、電源預(yù)算的不斷降低,對(duì)更快速存儲(chǔ)器件的期望從未...

2018-01-27 標(biāo)簽:ramddr4ddr5 1.2萬(wàn) 0

ddr3及ddr4的差異對(duì)比

ddr3及ddr4的差異對(duì)比

DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬,DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133~3200MT/s。DDR4 新增了4 個(gè)Ba...

2017-11-07 標(biāo)簽:ddr3ddr4dbi 5.5萬(wàn) 0

如果是的話(huà),取代它的將會(huì)是什么?

如果是的話(huà),取代它的將會(huì)是什么?

SemiWiki的Eric Esteve剛剛發(fā)表一篇博客,標(biāo)題為 “再見(jiàn),DDRn協(xié)議”。博客中Esteve承認(rèn)這份博客將引起轟動(dòng),且聲稱(chēng) “ 今后數(shù)年...

2017-02-10 標(biāo)簽:XilinxDDR4 740 0

DDR4的技術(shù)變革與應(yīng)用限制_市場(chǎng)趨勢(shì)解析

DDR4的技術(shù)變革與應(yīng)用限制_市場(chǎng)趨勢(shì)解析

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(Dynamic Random-Access Memory,DRAM)是常見(jiàn)的內(nèi)存元件。在處理器相關(guān)運(yùn)作中,DRAM 經(jīng)常被用來(lái)當(dāng)作資料...

2018-07-14 標(biāo)簽:dramddr4 4260 0

為DDR4內(nèi)存模塊連接器選擇合適的材料

為DDR4內(nèi)存模塊連接器選擇合適的材料

本文探討了各種不含鹵素(halogen-free)的DDR4插座的開(kāi)發(fā)工作,并且根據(jù)嚴(yán)格的JEDEC DDR4規(guī)范和IEC 61249-2無(wú)鹵素依從性,...

2014-08-04 標(biāo)簽:連接器DDR4 4768 0

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    BB-Black
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