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標簽 > ddr5
DDR5是一種計算機內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比,DDR5標準性能更強,功耗更低。其它變化還有,電壓從1.2V降低到1.1V,同時每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。
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2021年將是DDR5的DRAM競爭,手機存儲容量升級驅動移動存儲器需求
存儲器市場已出現(xiàn)典范轉型,以智能型手機為中心的行動時代(mobile era),逐步轉進人工智能(AI)等的數(shù)據(jù)經(jīng)濟時代。
龍耀D50 Xtreme DDR4系列內(nèi)存超過即將到來的DDR5
威剛旗下電競品牌XPG今天發(fā)布了超高頻率的XPG龍耀D50 Xtreme DDR4系列內(nèi)存,頻率高達4800MHz、5000MHz,完全媲美甚至超過即將...
TeamGroup今天宣布,它是第一家進入DDR5內(nèi)存模塊測試和驗證過程的公司。該公司還表示,它正在與主板制造商合作,以補充期待已久的芯片。他們計劃在2...
在今年的內(nèi)存與存儲日活動上,Intel不但推出了基于144層QLC NAND閃存的企業(yè)級SSD D7-P5510/D5-P5316、消費級SSD 670...
繼早前展望了消費級 DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品線的規(guī)劃之后,十銓(TeamGroup)現(xiàn)已開啟 DDR5 內(nèi)存模組的工程樣品開發(fā)工作。該公司目前正與華碩、微星、...
DDR4內(nèi)存條的價格已經(jīng)很便宜了,2021年就會有DDR5內(nèi)存上市了,雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場,但是新一代平臺值得期待,DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。
2020-12-12 標簽:服務器數(shù)據(jù)中心DDR5 2969 0
DDR5內(nèi)存將在明年實現(xiàn)量產(chǎn)
DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時間了,算算迭代的速度,DDR5也該來了,而國內(nèi)存儲品牌的龍頭之一,嘉合勁威最近也是宣布,正在積極引入DDR5...
國內(nèi)廠商已開始布局DDR5內(nèi)存明年量產(chǎn)
DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時間了,算算迭代的速度,DDR5也該來了,而國內(nèi)存儲品牌的龍頭之一,嘉合勁威最近也是宣布,正在積極引入DDR5...
嘉合勁威布局導入DDR5內(nèi)存新技術 明年量產(chǎn)
作為國產(chǎn)存儲品牌的領袖,擁有光威(Gloway)、阿斯加特(Asgard)兩大品牌的嘉合勁威今天宣布,正在積極布局導入DDR5內(nèi)存新技術,2021年將在...
嘉合勁威布局DDR5內(nèi)存:明年量產(chǎn)、Q2首發(fā)單條16GB
作為國產(chǎn)存儲品牌的領袖,擁有光威(Gloway)、阿斯加特(Asgard)兩大品牌的嘉合勁威今天宣布,正在積極布局導入DDR5內(nèi)存新技術,2021年將在...
本周,十銓科技(TEAMGROUP)公布了旗下DDR5內(nèi)存ELITE系列,16GB 4800MHz起跳,定于明年三季度上市。
日前,十銓(TEAMGROUP)宣布了旗下DDR5內(nèi)存產(chǎn)品,歸屬ELITE序列。
從DDR4到DDR5花了將近10年,DDR5將有什么重大突破?
2018年10月,Cadence和鎂光公布了自己的DDR5內(nèi)存研發(fā)進度,兩家廠商已經(jīng)開始研發(fā)16GB DDR5產(chǎn)品,并計劃在2019年年底之前實現(xiàn)量產(chǎn)目標。
DDR5是下一代用于大多數(shù)主要計算平臺的平臺內(nèi)存
DDR5是下一代用于大多數(shù)主要計算平臺的平臺內(nèi)存。該規(guī)范(于2020年7月發(fā)布)將主電壓從1.2 V降至1.1 V,將最大硅芯片密度提高了4倍,最大數(shù)據(jù)...
華為出售榮耀?相關人士:不實消息,趙明曾在內(nèi)部否認;SK海力士全球首發(fā)DDR5內(nèi)存…
近日天風證券分析師郭明錤在最新報告中稱,華為可能出售榮耀手機業(yè)務。近一個月來,亦有傳言稱華為將出售榮耀品牌。郭明錤:華為極有可能出售榮耀,但內(nèi)部人士否認
SK海力士10月6日宣布推出全球首款DDR5 DRAM,頻率、容量、能效和功能技術都達到了全新的高度。
瑞薩電子I3C總線擴展和SPD集線器產(chǎn)品 通過ASPEED AST2600基板管理控制器認證
I3C生態(tài)系統(tǒng)的擴展加速了數(shù)據(jù)中心和嵌入式平臺及應用中DDR5解決方案的產(chǎn)品認證和采用。
瑞薩電子推出低功耗DDR5數(shù)據(jù)緩沖器,可實現(xiàn)先進的控制平面架構
2020 年 9 月 9 日,日本東京訊 - 全球領先的半導體解決方案及內(nèi)存接口產(chǎn)品供應商瑞薩電子集團今日宣布,面向數(shù)據(jù)中心、服務器和高性能工作站應用推...
瑞薩電子推出面向高性能服務器和云服務應用的DDR5數(shù)據(jù)緩沖器
高速、低功耗數(shù)據(jù)緩沖器為DDR5 DRAM及存儲類內(nèi)存模塊提升速度與帶寬。
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