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      標(biāo)簽　>　ddr5

      ddr5

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      DDR5是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時(shí)每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。

      文章：428個(gè) 瀏覽：24793次 帖子：7個(gè)

      ddr5資訊

      美光中國(guó)區(qū)已恢復(fù)生產(chǎn) 但DDR5內(nèi)存量產(chǎn)的計(jì)劃已經(jīng)推遲

      韓媒報(bào)道稱美國(guó)美光公司在中國(guó)地區(qū)的工廠及辦公室也受到了嚴(yán)重影響，生產(chǎn)中斷，拖累DDR5量產(chǎn)，不過美光方面否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道。

      2020-03-12 標(biāo)簽：內(nèi)存美光DDR5 558 0

      全球首款低功耗DDR5 DRAM芯片交付 將率先搭載于小米10智能手機(jī)

      Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗 DDR5 DRAM 芯...

      2020-02-24 標(biāo)簽：DRAMDDR5 959 0

      到2022年和2023年 LPDDR5將會(huì)成為市場(chǎng)的主流

      到2022年和2023年 LPDDR5將會(huì)成為市場(chǎng)的主流

      隨著當(dāng)今智能手機(jī)承載的功能越來越多，上網(wǎng)、拍照、游戲、VR/AR等，DRAM內(nèi)存越來越彰顯出不可忽視的作用。正如對(duì)一臺(tái)電腦來說，內(nèi)存不足就會(huì)出現(xiàn)卡頓，智...

      2020-02-24 標(biāo)簽：智能手機(jī)內(nèi)存美光 4828 0

      三星電子成功開發(fā)出了DDR5芯片

      隨著現(xiàn)代計(jì)算機(jī)能力的不斷發(fā)展，推動(dòng)著存儲(chǔ)器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者，能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日，三星電子宣布成...

      2020-02-22 標(biāo)簽：三星電子DDR5 1018 0

      三星成功開發(fā)新型硅通孔（TSV）8 層技術(shù)的DDR5芯片

      隨著現(xiàn)代計(jì)算機(jī)能力的不斷發(fā)展，推動(dòng)著存儲(chǔ)器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者，能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日，三星電子宣布成...

      2020-02-16 標(biāo)簽：三星電子DDR5 1805 0

      美光宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗 DDR5 DRAM 芯片

      人工智能在越來越多的應(yīng)用中被廣泛部署，這需要先進(jìn)的內(nèi)存解決方案，以確保更快速、更有效的數(shù)據(jù)訪問。美光 LPDDR5 能夠?yàn)橹苯訕?gòu)建在移動(dòng)設(shè)備處理器中的人...

      2020-02-07 標(biāo)簽：美光DRAM芯片DDR5 1341 0

      SK Hynix展示DDR5存儲(chǔ)器模組，支持DDR5的硬件預(yù)計(jì)明年推出

      存儲(chǔ)行業(yè)近兩年的變化非常大，在內(nèi)存行業(yè)來看，包括SK Hynix在內(nèi)的多家內(nèi)存大廠，已經(jīng)開始了首批DDR5存儲(chǔ)器新品的研發(fā)試驗(yàn)。

      2020-01-15 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器內(nèi)存ddr5 3561 0

      DDR5 RDIMM內(nèi)存采用288引腳，有望將芯片運(yùn)行電壓降至1.1V

      根據(jù)消息報(bào)道，他們?cè)贑ES上研究了SK海力士的64 GB DDR5 RDIMM內(nèi)存，規(guī)格達(dá)到了DDR5-4800。據(jù)介紹，DDR5 RDIMM內(nèi)存依舊采...

      2020-01-14 標(biāo)簽：芯片電壓ddr5 5919 0

      美光推出DDR5 RDIMM實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心性能進(jìn)一步提升

      DDR5 RDIMM 賦能下一代服務(wù)器平臺(tái)，應(yīng)對(duì)云、企業(yè)端、高性能計(jì)算和人工智能應(yīng)用環(huán)境中的激增數(shù)據(jù) Micron Technology, Inc. (...

      2020-02-10 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心美光DDR5 1411 0

      美光宣布出樣DDR5內(nèi)存 它的特性有哪些

      美光宣布出樣DDR5內(nèi)存 它的特性有哪些

      美光于前日宣布已經(jīng)開始向業(yè)界中的核心客戶出樣DDR5內(nèi)存（RDIMM）了，目前他們?cè)贒DR5內(nèi)存上面使用的是自家最新的1z nm工藝。

      2020-01-12 標(biāo)簽：內(nèi)存美光DDR5 3908 0

      DDR5比較DDR4有什么新特性？

      DDR5相比DDR4有什么新特性？

      2020-01-10 標(biāo)簽：DDR4隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DDR5 1.1萬 0

      美光宣布開始出樣DDR5內(nèi)存 基于1Znm工藝打造

      美光宣布開始出樣DDR5內(nèi)存 基于1Znm工藝打造

      2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開...

      2020-01-07 標(biāo)簽：內(nèi)存美光DDR5 3173 0

      瀾起科技積極參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定 布局研發(fā)DDR5內(nèi)存接口芯片

      瀾起科技是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的設(shè)計(jì)DDR內(nèi)存接口芯片的公司之一，該公司成立于2004年，是全球內(nèi)存接口芯片的主要供應(yīng)商之一，憑借領(lǐng)先的技術(shù)水平，在DDR4階段...

      2019-12-16 標(biāo)簽：內(nèi)存DDR5 1335 0

      瀾起科技表示正參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定

      日前瀾起科技董事長(zhǎng)楊崇和在參與活動(dòng)時(shí)表態(tài)，公司正積極參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定。

      2019-12-16 標(biāo)簽：內(nèi)存瀾起科技DDR5 3457 0

      SK海力士詳細(xì)介紹16Gb DDR5 新一代DRAM將重振內(nèi)存市場(chǎng)

      SK海力士所研發(fā)的行業(yè)內(nèi)首個(gè)五代雙倍速率（DDR5） DRAM， 達(dá)到了電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(huì)（Joint Ele ctron Device Engi...

      2019-10-29 標(biāo)簽：SK海力士DDR5 4003 0

      瀾起科技規(guī)劃在未來三年完成第一代DDR5內(nèi)存接口芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

      瀾起科技規(guī)劃在未來三年完成第一代DDR5內(nèi)存接口芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

      6月3日晚間，上交所公布第三批上會(huì)企業(yè)名單，瀾起科技、杭可科技和天宜上佳3家公司將于6月13日接受科創(chuàng)板股票上市委員會(huì)的審核。

      2019-06-05 標(biāo)簽：芯片瀾起科技DDR5 4914 0

      Intel的Xeon處理器路線圖泄露 7nmEUV工藝和8通道DDR5及PCIe5.0全都有

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      2019-05-22 標(biāo)簽：處理器intelDDR5 2310 0

      新思科技推出業(yè)內(nèi)首個(gè)DDR5 NVDIMM-P驗(yàn)證IP 加速驗(yàn)證工作完成

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      2019-05-17 標(biāo)簽：內(nèi)存新思科技DDR5 3517 0

      SK Hynix詳細(xì)介紹自家基于DDR5規(guī)范的同步DRAM芯片

      SK Hynix詳細(xì)介紹自家基于DDR5規(guī)范的同步DRAM芯片

      盡管 JEDEC 尚未完成 DDR5 最終標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)，但芯片大廠之間早就開始了暗自較勁。

      2019-02-26 標(biāo)簽：芯片DRAMDDR5 6094 0

      SK海力士準(zhǔn)備在2020年發(fā)布DDR5內(nèi)存條 頻率起步5200MHz

      近日，SK 海力士負(fù)責(zé)人在接受采訪時(shí)表示，準(zhǔn)備在2020年發(fā)布DDR5內(nèi)存條，頻率起步5200MHz，另外DDR6內(nèi)存也開始策劃了，將在5~6年內(nèi)研發(fā)。

      2019-01-29 標(biāo)簽：內(nèi)存SK海力士DDR5 2045 0

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        OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。
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