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標(biāo)簽 > ddr5
DDR5是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比,DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng),功耗更低。其它變化還有,電壓從1.2V降低到1.1V,同時(shí)每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。
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韓國上市PCB企業(yè)Haesung DS公布2023年的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù):下跌49.9%
韓國上市PCB企業(yè)Haesung DS(KOSDAQ:195870)于近日公布了2023年的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)。公司在該年度實(shí)現(xiàn)了6722億韓元(約36.50億人...
繼十銓(TEAMGROUP)之后,威剛也公布了旗下DDR5內(nèi)存條的最新進(jìn)展。
西安紫光國芯UniIC正式推出旗下國潮存儲品牌—云彣?(UniWhen?)
4月24日,西安紫光國芯UniIC宣布,正式推出旗下國潮存儲品牌——云彣?(UniWhen?)。云彣致力于將現(xiàn)代科技與傳統(tǒng)文化完美融合,秉承“科技之光照...
DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正在制定:比DDR4快兩倍!
內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示,新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始,計(jì)劃明年定稿。
美光DDR5為第四代英特爾?至強(qiáng)?可擴(kuò)展處理器家族帶來更強(qiáng)的性能和可靠性
Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布,公司旗下面向數(shù)據(jù)中心的 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品...
TeamGroup計(jì)劃在2021年第三季度推出DRAM模塊
TeamGroup今天宣布,它是第一家進(jìn)入DDR5內(nèi)存模塊測試和驗(yàn)證過程的公司。該公司還表示,它正在與主板制造商合作,以補(bǔ)充期待已久的芯片。他們計(jì)劃在2...
Intel的Xeon處理器路線圖泄露 7nmEUV工藝和8通道DDR5及PCIe5.0全都有
在月初的投資者會議上,Intel公布了未來三年的處理器及半導(dǎo)體工藝路線圖,14nm工藝還會繼續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)能,10nm工藝處理器今年6上市,2021年量產(chǎn)7n...
繼早前展望了消費(fèi)級 DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品線的規(guī)劃之后,十銓(TeamGroup)現(xiàn)已開啟 DDR5 內(nèi)存模組的工程樣品開發(fā)工作。該公司目前正與華碩、微星、...
日前,十銓(TEAMGROUP)宣布了旗下DDR5內(nèi)存產(chǎn)品,歸屬ELITE序列。
凱智通DDR DIMM雙面彈測試治具的5大優(yōu)點(diǎn)
凱智通最新發(fā)布DDR DIMM雙面彈測試治具適用于DDR?/5測試的,與之前常用的導(dǎo)電膠,從材質(zhì)還是工作原理都各不相同,我們今天就來比較一下這兩款的區(qū)別。
嘉合勁威布局DDR5內(nèi)存:明年量產(chǎn)、Q2首發(fā)單條16GB
作為國產(chǎn)存儲品牌的領(lǐng)袖,擁有光威(Gloway)、阿斯加特(Asgard)兩大品牌的嘉合勁威今天宣布,正在積極布局導(dǎo)入DDR5內(nèi)存新技術(shù),2021年將在...
DDR5爆發(fā)前夜,Rambus再次擴(kuò)充產(chǎn)品陣營
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)2021年,英特爾宣布在12代酷睿上率先開始支持DDR5-4800,因此很多人都將2021年定義為DDR5內(nèi)存元年。不過,...
基于英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器的浪潮信息服務(wù)器AI訓(xùn)推一體化方案
大模型已經(jīng)成為新一輪數(shù)字化轉(zhuǎn)型的重要驅(qū)動力,為了降低對算力與語料資源的要求,加快大模型在實(shí)際應(yīng)用的部署,目前企業(yè)普遍在開源/商用大模型中,加入少量語料對...
瑞薩電子推全新精密溫度傳感器TS5111,適用于DDR5存儲模塊
TS5111在提供具有可編程預(yù)警信號的準(zhǔn)確、高精度的系統(tǒng)溫度方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用,使系統(tǒng)能夠執(zhí)行熱控制回路機(jī)制,如存儲器刷新率、風(fēng)扇速度和帶寬調(diào)節(jié)。
DDR5滲透率快速提升 長電科技高性能動態(tài)隨機(jī)存儲DDR5芯片成品實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)
近日,長電科技宣布,高性能動態(tài)隨機(jī)存儲DDR5芯片成品實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn),公司將依托自身的技術(shù)與服務(wù)優(yōu)勢為國內(nèi)外客戶提供高性價(jià)比和高可靠性的解決方案。 隨著5...
DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展,內(nèi)存技術(shù)也在不斷進(jìn)步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù),相較于DDR4內(nèi)存,在性能上有著顯著的提升。...
2024-11-29 標(biāo)簽:大數(shù)據(jù)內(nèi)存技術(shù)DDR5 2117 0
作為國產(chǎn)CPU處理器中的x86架構(gòu)代表者,上海兆芯去年底發(fā)布了KX(開先)-5000系列芯片,設(shè)計(jì)為4核、8核,是旗下第5代通用CPU,也是首款支持雙通...
國內(nèi)首家!長鑫存儲實(shí)現(xiàn)國內(nèi)DDR5零突破
與上一代LPDDR4X相比,長鑫存儲LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%,分別達(dá)到12Gb和6400Mbps,同時(shí)功耗降低30%。長鑫存儲LPD...
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