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　　EEPROM （Electrically Erasable Programmable read only memory）是指帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。

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eeprom技術(shù)

為什么I2C總線會(huì)難住這么多人？

I2C總線在嵌入式系統(tǒng)中很常見(jiàn)，但最近在一個(gè)群（可能是初學(xué)者群）交流的信息，讓我比較吃驚，很多人連I2C總線基本的知識(shí)都不清楚。今天就來(lái)給大家講講I2C...

2024-03-28 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器存儲(chǔ)EEPROM 992 0

EEPROM（Data FIash）的巧妙應(yīng)用

EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是指帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。它是...

2024-02-02 標(biāo)簽：整流器閃存 EEPROM 1365 0

AT28C256 EEPROM芯片簡(jiǎn)單介紹

AT28C256是一款由Atmel公司生產(chǎn)的256KB的EEPROM芯片，具有高速讀寫(xiě)特性，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)合，包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、程序存儲(chǔ)、固件升級(jí)等。

2024-02-01 標(biāo)簽：芯片 CMOS EEPROM 3156 0

rom斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失嗎

ROM的內(nèi)容通常是在制造過(guò)程中被編程的，而且其內(nèi)容在正常操作期間是只讀的，用戶無(wú)法對(duì)其進(jìn)行改寫(xiě)。因此，ROM非常適用于存儲(chǔ)固定的操作系統(tǒng)、固件、BIOS...

2024-02-09 標(biāo)簽：ROM RAM EEPROM 9306 0

幾個(gè)方面來(lái)理解和掌握新型的MCU

完成了MCU的硬件和資源的初始化后，接下來(lái)就是對(duì)程序中使用到的一些變量和數(shù)據(jù)的初始化設(shè)置，這一部分的初始化需要根據(jù)具體的項(xiàng)目及程序的總體安排來(lái)設(shè)計(jì)。對(duì)于...

2024-01-19 標(biāo)簽：mcu IO RAM 1021 0

一文詳解具備Quad SPI接口的8Mbit FeRAM

作為當(dāng)今存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一，非易失性存儲(chǔ)器（FeRAM）正逐漸成為市場(chǎng)上的主流存儲(chǔ)解決方案。

2024-01-11 標(biāo)簽：緩沖器 EEPROM 電源電壓 1814 0

stm32f103 flash模擬eeprom

STM32F103是意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的一款32位單片機(jī)系列，該系列芯片具有高性能和豐富的外設(shè)接口，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控...

2024-01-09 標(biāo)簽：FlaSh 存儲(chǔ)器 EEPROM 2778 0

狹義EEPROM和廣義EEPROM有什么區(qū)別？

這種ROM的特點(diǎn)是可以隨機(jī)訪問(wèn)和修改任何一個(gè)字節(jié)，可以往每個(gè)bit中寫(xiě)入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM，掉電后數(shù)據(jù)不丟失，可以保存100年，可以...

2024-01-09 標(biāo)簽：單片機(jī)EEPROM 嵌入式開(kāi)發(fā) 710 0

九種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)的類(lèi)型及工作原理

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (RAM)的名稱源自 CPU 訪問(wèn)它的方式，CPU對(duì)其進(jìn)行隨機(jī)掃描以獲取適當(dāng)?shù)男畔?，而不是遵循?yán)格的指示。這是為了均衡所有存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位之...

2024-01-06 標(biāo)簽：cpu PROM 計(jì)算機(jī) 2309 0

非易失性待機(jī)開(kāi)關(guān)電路圖

下面的 STANDBY/ON 開(kāi)關(guān)適用于在沒(méi)有操作員的情況下發(fā)生電源故障后電路必須記住其狀態(tài)（STANDBY 或 ON）的應(yīng)用（例如工業(yè)和電信）。

2023-12-20 標(biāo)簽：電路圖 ldo 線性穩(wěn)壓器 683 0

ROM不是只讀存儲(chǔ)器嗎？為什么EEPROM可以讀寫(xiě)操作呢？

ROM：Read-Only Memory，只讀存儲(chǔ)器。

2023-12-19 標(biāo)簽：單片機(jī)FlaSh ROM 3272 0

常見(jiàn)的flash閃存主要有哪些類(lèi)型

　　FLASH閃存是一種非易失性內(nèi)存，閃存在沒(méi)有電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù)，其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤(pán)，這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類(lèi)便攜型數(shù)字設(shè)備的...

2023-12-15 標(biāo)簽：SPI EEPROM FLASH閃存 1705 0

EEPROM為什么會(huì)成為嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)理想選擇

EEPROM適合的應(yīng)用眾多，但對(duì)于汽車(chē)、醫(yī)療或航天系統(tǒng)等可靠性要求較高的應(yīng)用，開(kāi)發(fā)人員則希望使用FRAM等更可靠的存儲(chǔ)器解決方案。

2023-12-15 標(biāo)簽：微控制器閃存嵌入式系統(tǒng) 938 0

什么是FRAM？關(guān)于鐵電存儲(chǔ)器FRAM的特性介紹

FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是：“非易失性”、“高讀寫(xiě)耐久性”、“寫(xiě)入速度快”和“低功耗”。

2023-12-15 標(biāo)簽：閃存 EEPROM fram 3750 0

linux內(nèi)核中的SPI框架及SPI核心的初始化簡(jiǎn)析

在嵌入式linux開(kāi)發(fā)中，SPI是一種常見(jiàn)的通信方式

2023-12-11 標(biāo)簽：嵌入式觸摸傳感器 EEPROM 3398 0

eeprom和flash的區(qū)別的作用

EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）和Flash Memory（閃存）...

2023-12-07 標(biāo)簽：FlaSh 電子設(shè)備計(jì)算機(jī) 2711 0

78xx穩(wěn)壓器電路原理圖

模擬調(diào)節(jié)器的邏輯電源控制在數(shù)字電路/控制器需要控制電源的應(yīng)用中非常有用，例如在 EEPROM 編程器或其他電源控制中。

2023-12-06 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器電路原理圖 EEPROM 1853 0

NVSRAM在掉電瞬間的保護(hù)機(jī)制操作方法

非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，提供非易失性存儲(chǔ)。

2023-12-05 標(biāo)簽：超級(jí)電容器存儲(chǔ)器 EEPROM 1322 0

APM32F4 Flash模擬EEPROM介紹和代碼實(shí)現(xiàn)

Flash與EEPROM一次操作的數(shù)據(jù)大小不同。雖然MCU內(nèi)部的Flash和EEPROM一樣，可以實(shí)現(xiàn)按字節(jié)的讀寫(xiě)，但是在寫(xiě)入的時(shí)候，是必須要先按扇區(qū)擦...

2023-12-01 標(biāo)簽：EEPROM 數(shù)據(jù)線代碼 2074 0

Renesas HMI Board挑戰(zhàn)賽—FSP工具使用

RT-Thread和瑞薩推出的HMI-Board上的主控芯片型號(hào)為R7FA6M3AH3CFB。

2023-11-22 標(biāo)簽：加速器 EEPROM 電容式觸摸 1642 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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云盤(pán)是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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