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      標(biāo)簽　>　euv

      euv

      +關(guān)注8人關(guān)注

      EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場(chǎng)問題，國(guó)產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

      文章：595個(gè) 瀏覽：87280次 帖子：0個(gè)

      euv資訊

      光刻掃描儀吞吐量的成本模型

      我們一直在我們的私人咨詢業(yè)務(wù)上花費(fèi)大量時(shí)間，試圖為各種邏輯和內(nèi)存工藝節(jié)點(diǎn)的工具類型建立一個(gè)半導(dǎo)體工廠資本支出的模型。

      2023-02-22 標(biāo)簽：amd半導(dǎo)體掃描儀 1117 0

      EUV***的核心光源 大功率光源也提上日程

      EUV要解決的不僅是波長(zhǎng)問題，更重要的是，ASML的LPP EUV光源中，激光器需要達(dá)到20kW的功率，而這樣的發(fā)射功率經(jīng)過重重反射，達(dá)到焦點(diǎn)處的功率卻...

      2023-02-17 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV 8442 0

      三星研發(fā)下一代EUV關(guān)鍵組件

      半導(dǎo)體和顯示材料開發(fā)商石墨烯實(shí)驗(yàn)室于11月14日宣布，其已開發(fā)出用石墨烯制造小于5納米的EUV薄膜（pellicles）的技術(shù)，并已準(zhǔn)備好量產(chǎn)新型薄膜。

      2023-02-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子石墨烯 806 0

      EUV不能只靠高NA，大功率光源也該提上日程了

      ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）作為目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造設(shè)備，EUV光刻機(jī)的誕生是由各個(gè)部件在技術(shù)上的集體突破才最終成型的，比如光刻膠、掩膜板和鏡組...

      2023-02-13 標(biāo)簽：光源EUVEUV光刻機(jī) 5243 0

      EUV光刻的兩大挑戰(zhàn)者，誰扛大旗？

      過去二十年見證了193 nm以下波長(zhǎng)光刻技術(shù)的發(fā)展。在使用 F2 準(zhǔn)分子激光器開發(fā)基于 157 納米的光刻技術(shù)方面付出了一些努力，但主要關(guān)注點(diǎn)是使用 1...

      2023-02-02 標(biāo)簽：摩爾定律光刻技術(shù)EUV 3512 0

      Intel 4/3/20A/18A四種新工藝都來了！

      大家知道，RISC-V已經(jīng)成為繼x86、ARM之后冉冉升起的第三大CPU架構(gòu)，盡管此前試圖收購RISC-V內(nèi)核公司SiFive的努力失敗，但I(xiàn)ntel找...

      2023-01-31 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUVRISC-V 1815 0

      DRAM制程分享

      追求更小的 DRAM 單元尺寸（cell size)仍然很活躍并且正在進(jìn)行中。對(duì)于 D12 節(jié)點(diǎn)，DRAM 單元尺寸預(yù)計(jì)接近 0.0013 um2。無...

      2023-01-30 標(biāo)簽：電容器DRAMEUV 5990 0

      EUV的壟斷終將結(jié)束 EUV***逐步走向“落末”

      從出貨量的不斷增多，再到產(chǎn)品的更新?lián)Q代。ASML嘗到了EUV帶給他的紅利，但是ASML的首席技術(shù)官透露EUV即將走到盡頭，之后的技術(shù)可能根本實(shí)現(xiàn)不了。

      2023-01-30 標(biāo)簽：臺(tái)積電光刻機(jī)EUV 2821 0

      密度提升近3倍，高NA EUV光刻機(jī)有何玄機(jī)

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）到了3nm這個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)之后，單靠現(xiàn)有的0.33NA EUV光刻機(jī)就很難維系下去了。為了實(shí)現(xiàn)2nm乃至未來的埃米級(jí)工藝，將晶...

      2022-12-07 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV 3060 0

      影響2023年半導(dǎo)體供應(yīng)鏈發(fā)展的八大趨勢(shì)

      半導(dǎo)體行業(yè)波動(dòng)性可能減弱。動(dòng)蕩的2022年引發(fā)半導(dǎo)體行業(yè)庫存調(diào)整，企業(yè)紛紛應(yīng)對(duì)短期下行周期，但背后的發(fā)展趨勢(shì)值得關(guān)注。由于人工智能（AI）、AR/VR、...

      2022-11-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體內(nèi)存EUV 1590 0

      華為突破EUV光刻機(jī)核心技術(shù)！

      2022年華為前三季度研發(fā)投入超1100億，10年來華為研發(fā)投入近萬億！華為最近在光芯片、量子芯片方面頻頻突破，讓外媒感到震驚！

      2022-11-25 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUVASML 8318 0

      華為最新消息 EUV光刻技術(shù)新專利面市

      華為最新消息 EUV光刻技術(shù)新專利面市

      對(duì)于光刻機(jī)難道我們真就毫無還手之力了？其實(shí)也不見得，華為最新的專利端上來了，看看這道硬菜。日前，華為一項(xiàng)名為“反射鏡、光刻裝置及其控制方法”的新專利公開...

      2022-11-21 標(biāo)簽：華為專利光刻機(jī) 3418 0

      國(guó)產(chǎn)光刻膠市場(chǎng)前景 國(guó)內(nèi)廠商迎來發(fā)展良機(jī)

      半導(dǎo)體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產(chǎn)品，海外進(jìn)口依賴較重，不同品質(zhì)之間價(jià) 格差異大。以國(guó)內(nèi) PAG 對(duì)應(yīng)的化學(xué)放大型光刻膠（主要是 KrF、ArF ...

      2022-11-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體EUV光刻膠 4291 0

      ASML擴(kuò)產(chǎn)EUV與DUV設(shè)備

      根據(jù) ASML 的說明，盡管目前整體環(huán)境呈現(xiàn)短期的不確定性，仍見長(zhǎng)期在晶圓需求與產(chǎn)能上的健康增長(zhǎng)。ASML 提到，各個(gè)市場(chǎng)的強(qiáng)勁增長(zhǎng)、持續(xù)創(chuàng)新、更多晶圓...

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      荷蘭ASML公司昨天一家總部設(shè)在荷蘭埃因霍溫（Eindhoven）的全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商之一，向全球復(fù)雜集成電路生產(chǎn)企業(yè)提供領(lǐng)先的綜合性關(guān)鍵設(shè)備光...

      2022-11-12 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUVASML 2285 0

      關(guān)于EUV光刻機(jī)和光子芯片

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      2022-11-07 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV 5425 0

      ASML拒絕美要求禁止對(duì)華出售光刻機(jī)

      ASML拒絕美要求禁止對(duì)華出售光刻機(jī)

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      俄羅斯研究所7nm級(jí)制造技術(shù)生產(chǎn)預(yù)計(jì)2028年建成

      在時(shí)間方面，IAP 可能有點(diǎn)過于樂觀。對(duì)于 32nm 以下的一切，芯片制造商使用所謂的浸沒式光刻技術(shù)（本質(zhì)上是 DUV 工具的助推器）生產(chǎn)。

      2022-10-24 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV 982 0

      光子芯片計(jì)算速度對(duì)比電子芯片快約1000倍

      相較于電子芯片，光子芯片對(duì)結(jié)構(gòu)的要求較低，一般是百納米級(jí)，因此降低了對(duì)先進(jìn)工藝的依賴。中科鑫通總裁隋軍也表示，光子芯片使用我國(guó)已相對(duì)成熟的原材料及設(shè)備就...

      2022-10-19 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV光子芯片 1.3萬 0

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