MOS管基礎(chǔ)知識(shí)科普

半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電，所以也稱為單極型三極管，因...

2023-06-14 標(biāo)簽：三極管MOSFET半導(dǎo)體 757 0

全面認(rèn)識(shí)MOS管，一篇文章就夠了

今天勢(shì)必要來一篇文章，徹底掌握mos管！

2023-06-13 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS管FET 2.2萬 2

使用SiC FET替代機(jī)械斷路器的固態(tài)解決方案

機(jī)械斷路器損耗小，但速度很慢，且容易磨損。本博文概述如何通過采用 SiC FET 的固態(tài)解決方案解決這些問題，并且損耗也會(huì)持續(xù)降低。

2023-06-12 標(biāo)簽：MOSFET斷路器IGBT 1086 0

使用開爾文連接提高SiC FET的開關(guān)效率

碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實(shí)現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管，但需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247。然而，此類封裝的連接往往會(huì)導(dǎo)致較高的電感。閱...

2023-06-12 標(biāo)簽：開關(guān)FETSiC 1357 0

什么是運(yùn)算放大器？

許多教材和參考指南將 運(yùn)算放大器 (運(yùn)放)定義為可以執(zhí)行各種功能或操作(如放大、加法和減法)的專用集成電路(IC)。 雖然我同意這個(gè)定義，但仍需注重芯片...

2023-06-10 標(biāo)簽：集成電路運(yùn)算放大器運(yùn)放 1231 0

MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）是利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制晶體管電流的半導(dǎo)體器件，因此叫場(chǎng)效應(yīng)管。它是一種用輸入電壓控制型的半導(dǎo)體器件。按基本結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬...

2023-06-10 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1242 0

如何用雙MOS設(shè)計(jì)分立式負(fù)載開關(guān)？

基于單個(gè)MOSFET拓?fù)涞呢?fù)載開關(guān)只能阻斷一個(gè)方向的電流，由于MOSFET有一個(gè)固有的體二極管，如果存在反向電流，它們的作用就像處于導(dǎo)通狀態(tài)的二極管

2023-06-07 標(biāo)簽：MOSFET連接器負(fù)載開關(guān) 8019 0

干貨|這篇文章把MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)講透了

MOS管是一種具有絕緣柵的FET，其中電壓決定了器件的電導(dǎo)率。發(fā)明MOS管是為了克服FET中存在的缺點(diǎn)，如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以MO...

2023-06-05 標(biāo)簽：MOS管NMOSFET 2770 0

基本放大電路的靜態(tài)分析

電子學(xué)中的放大是指把微弱變化的信號(hào)“放大”為較大變化的信號(hào)，放大電路的核心元件是晶體三極管（BJT）或場(chǎng)效應(yīng)管（FET），我會(huì)在后續(xù)內(nèi)容中說明兩種元件的區(qū)別。

2023-06-01 標(biāo)簽：三極管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管 5441 0

MOS管知識(shí)點(diǎn)梳理

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）是利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制晶體管電流的半導(dǎo)體器件，因此叫場(chǎng)效應(yīng)管。它是一種用輸入電壓控制型的半導(dǎo)體器件。按基本結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬...

2023-05-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1250 0

場(chǎng)效應(yīng)管(FET)基本放大電路分析

FET是Field effect transistor的縮寫，稱為場(chǎng)效應(yīng)管。它是晶體管的一種，也被稱為單極晶體管。另一種晶體管是我們常說的雙極晶體管。它...

2023-05-25 標(biāo)簽：放大電路場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 7351 0

使用碳化硅基MOSFET提高功率轉(zhuǎn)換效率

碳化硅（SiC）已經(jīng)成為一個(gè)明確的選擇，因?yàn)樗呀?jīng)成熟并且是第三代?；?SiC 的 FET 具有許多性能優(yōu)勢(shì)，特別是在效率、更高的可靠性、更少的熱管理...

2023-05-24 標(biāo)簽：MOSFETFETSiC 1584 0

射頻開關(guān)（RF Switch）學(xué)習(xí)筆記

基本的串聯(lián)、并聯(lián)和FET開關(guān)可以簡(jiǎn)單圖示，PIN二極管和肖特基（Schottky）二極管都可以用作開關(guān)。通過改變二極管的正反偏置條件可以實(shí)現(xiàn)二極管開關(guān)電...

2023-05-23 標(biāo)簽：二極管FETPIN二極管 5099 0

米勒電容如何限制高頻放大？

由于存在物理學(xué)定律，電阻、電容和電感將繼續(xù)成為挑戰(zhàn)。我們對(duì)此無能為力，所以自熱離子真空管問世以來，電子設(shè)計(jì)人員就學(xué)會(huì)了通過開發(fā)巧妙的電路拓?fù)鋪斫鉀Q這些問題。

2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器FET 1330 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場(chǎng)效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場(chǎng)效應(yīng)...

2023-05-17 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體晶體管 8107 0

一文詳解MOS管的工作原理

mos管是一種具有絕緣柵的FET，其中電壓決定了器件的電導(dǎo)率。發(fā)明mos管是為了克服 FET 中存在的缺點(diǎn)，如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以...

2023-05-16 標(biāo)簽：模擬電路MOS管NMOS 1.2萬 1

基于BS170的吉他前置放大器電路

這種基于吉他前置放大器電路的FET可以很好地增強(qiáng)線軸吉他，并且可以通過長(zhǎng)吉他線分配信號(hào)。這種基于吉他的FET前置放大器電路具有高輸入阻抗和低輸出阻抗。

2023-05-13 標(biāo)簽：前置放大器FET音頻電路 2180 0

討論MOSFET數(shù)據(jù)表中顯示的安全工作區(qū)域區(qū)域SOA

如果您想知道或擔(dān)心您的MOSFET在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率，那么您應(yīng)該查看器件的SOA數(shù)據(jù)。

2023-05-08 標(biāo)簽：MOSFET電阻器FET 592 0