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場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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當(dāng)現(xiàn)成的運(yùn)算放大器(op amp)不能提供特定應(yīng)用所需的信號(hào)擺幅范圍時(shí),工程師面臨兩種選擇:使用高壓運(yùn)算放大器或設(shè)計(jì)分立解決方案,不過這兩種選擇的成本可...
2023-05-04 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器電源電路 598 0
還在為用氮化鎵設(shè)計(jì)高壓電源犯難?試試這兩個(gè)器件
面對社會(huì)和監(jiān)管要求,電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項(xiàng)。特別是對于從電動(dòng)汽車 (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用,電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵。
SiC半導(dǎo)體如何成為比舊有技術(shù)更具成本競爭力的解決方案
隨著電動(dòng)汽車、可再生能源和 5G 等領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐不斷加快,為滿足消費(fèi)者和行業(yè)的需求,越來越多的工程師也在尋求全新解決方案,并對技術(shù)提出了更高的要求。
開始使用Power Stage Designer的13個(gè)理由
十多年來,德州儀器 (TI) 的 Power Stage Designer? 工具一直是一款出色的設(shè)計(jì)工具,可協(xié)助電氣工程師計(jì)算不同電源拓?fù)涞碾娏骱碗妷?..
60V低IQ、雙輸出同步降壓控制器,具有可調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)
LTC?3892 是一款雙輸出同步降壓型控制器,具有一個(gè) 4.5V 至 60V 的寬輸入電壓范圍和一個(gè) 0.8V 至 99% V 的輸出電壓在.LTC3...
2023-04-24 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器控制器FET 2105 0
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表:開關(guān)參數(shù)
另一方面,諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復(fù)電荷(Qrr) 等開關(guān)參數(shù)是造成很多高頻電源應(yīng)用中大部分FET開關(guān)損耗的關(guān)鍵因素。
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表:安全工作區(qū) (SOA) 圖
如圖1所示,可以用5個(gè)完全不同的限制條件來繪制整個(gè)SOA,每個(gè)限制條件規(guī)定了整個(gè)曲線的形狀,TI的100V D2PAK CSD19536KTT的SOA與...
在使用電子元器件時(shí),你有時(shí)候不可避免地會(huì)聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓,系統(tǒng)中的電流以相反的方向運(yùn)...
電子熔絲與熱插拔控制器之間的主要區(qū)別是熱插拔是一種能夠驅(qū)動(dòng)外部FET的控制器(如圖1所示)。FET通過熱插拔控制器中的控制邏輯進(jìn)行開啟和關(guān)閉,以調(diào)節(jié)負(fù)載...
理解電池充電器功能與充電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
首先,我們必須更好地理解電池充電器功能:動(dòng)態(tài)電源管理(DPM)和動(dòng)態(tài)電源路徑管理(DPPM)。這兩個(gè)功能與充電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)密切相關(guān),同樣重要。不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)...
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 是一種場效應(yīng)晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當(dāng)壓控電流源,并主要用作開關(guān)或用于放大電信號(hào)。MOSF...
電機(jī)控制:終端應(yīng)用需要考慮的具體注意事項(xiàng)
本文主要討論特定終端應(yīng)用需要考慮的具體注意事項(xiàng),首先從終端應(yīng)用中將用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的FET著手。電機(jī)控制是30V-100V分立式MOSFET的一個(gè)龐大且快速...
五極管(又稱場效應(yīng)晶體管,F(xiàn)ET)和三極管是兩種不同的半導(dǎo)體器件,它們的接法和特性曲線也有很大的差異。
場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小...
2023-02-25 標(biāo)簽:場效應(yīng)管FET半導(dǎo)體器件 1299 0
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—J...
2023-02-24 標(biāo)簽:放大電路場效應(yīng)管晶體管 1.5萬 0
增強(qiáng)型場效應(yīng)管和耗盡型場效應(yīng)管有什么區(qū)別?
場效應(yīng)管中,隨著Ugs的增加,在靠近二氧化硅絕緣體的P型襯底表面缺少多子,形成了耗盡層。
2023-02-21 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管FET 4377 0
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