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場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極性晶體管有什么區(qū)別

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）和雙極性晶體管（Bipolar Junction Transistor，簡(jiǎn)稱B...

2024-08-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3457 0

場(chǎng)效應(yīng)管控制電流大小的原理

場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）控制電流大小的原理主要基于其獨(dú)特的電壓控制特性。FET是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件，...

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使用FET的低壓晶體振蕩器電路

我們可以很容易地使用FET和晶體來產(chǎn)生頻率作為低壓晶體振蕩器電路，1.5V-10V電源。

2024-06-09 標(biāo)簽：FET 振蕩器電路晶體振蕩器 935 0

場(chǎng)效應(yīng)管的分類及其特點(diǎn)

場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）是一種重要的半導(dǎo)體器件，在現(xiàn)代電子設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色。它利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制...

2024-05-31 標(biāo)簽：放大器場(chǎng)效應(yīng)管 FET 5205 0

場(chǎng)效應(yīng)管燒毀的主要原因

場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor, FET）作為現(xiàn)代電子電路中的重要組成部分，其穩(wěn)定性和可靠性對(duì)電路的整體性能具有至關(guān)重要的影響...

2024-05-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 FET 4739 0

聊聊電池防反接的那些事：你選對(duì)了嗎？

在汽車裝配、保養(yǎng)與維修的常規(guī)操作中，倘若不慎將汽車電瓶電源線反接，一系列精密的控制器極易遭受反向電壓的沖擊，進(jìn)而導(dǎo)致不可逆轉(zhuǎn)的損害。

2024-05-29 標(biāo)簽：二極管控制器電池電壓 1.7萬 0

場(chǎng)效應(yīng)管的種類、特性及工作原理

場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件，其主要通過改變柵極電場(chǎng)的大小來控制源漏通道的電阻，進(jìn)而...

2024-05-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 FET 1876 0

適用于自主駕駛車輛 LiDAR 的 GaN FET 快速指南

作者：Kenton Williston 激光探測(cè)及測(cè)距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無人機(jī)、倉庫自動(dòng)化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中，大多都有人類...

2024-05-05 標(biāo)簽：FET 激光二極管測(cè)量 1094 0

什么是LDO？淺析低壓差穩(wěn)壓器 (LDO) 中的噪聲及電源抑制比

在本文中，我們將介紹低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器中噪聲和電源抑制比 (PSRR) 的影響。讓我們簡(jiǎn)單討論一下什么是 LDO。

2024-03-15 標(biāo)簽：差分放大器 FET 電源抑制比 5308 0

深入了解FET輸入放大器中的電流噪聲

IC設(shè)計(jì)工程師和電路設(shè)計(jì)人員都深知電流噪聲會(huì)隨頻率增高而變大，但由于關(guān)于此領(lǐng)域的資料過少，或者制造商提供的信息不全，許多工程師很難了解其原因。許多半導(dǎo)體...

2024-02-24 標(biāo)簽：放大器 IC設(shè)計(jì)FET 993 0

如何確定復(fù)位IC(電壓檢測(cè)器)的上拉電阻、電壓浮動(dòng)呢？

在此說明由上拉電阻引起的電壓浮動(dòng)和選擇上拉電阻的方法。

2024-02-20 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器上拉電阻 FET 1646 0

什么是場(chǎng)效應(yīng)管 MOS場(chǎng)效應(yīng)管的電路符號(hào)

場(chǎng)效應(yīng)管，即場(chǎng)效應(yīng)晶體管（簡(jiǎn)稱FET），是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。

2024-02-20 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 JFET FET 3666 0

微弱電流測(cè)試優(yōu)化方案

許多關(guān)鍵應(yīng)用要求能夠測(cè)量到非常小的電流，如 pA量級(jí)或更小的電流。這些應(yīng)用包括測(cè)定FET的柵極漏電流，測(cè)試靈敏的納米電子器件，以及測(cè)量絕緣器件和電容的漏電流。

2024-01-18 標(biāo)簽：放大器測(cè)量系統(tǒng)FET 1708 0

5V FET穩(wěn)壓器電路原理圖

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2023-12-07 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器電路原理圖輸出電壓 1303 0

充分挖掘SiC FET的性能

2023-12-07 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器 FET SiC 618 0

MOS管的分類增強(qiáng)型和耗盡型MOS管介紹

場(chǎng)效應(yīng)管FET（Field Effect Transistor），是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，分為結(jié)型（JFET）和絕緣...

2023-11-17 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 9750 0

Efuse是什么？聊聊芯片級(jí)的eFuse

eFuse基于一個(gè)簡(jiǎn)單概念，即通過測(cè)量已知電阻器上的電壓來檢測(cè)電流，然后在電流超過設(shè)計(jì)限值時(shí)，通過場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 切斷電流。

2023-11-01 標(biāo)簽：FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 NVM 3.5萬 0

同步和異步buck電路的對(duì)比

四種組合模式的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)對(duì)比圖如下圖所示，通過對(duì)比，很清楚地看出同步和異步的差異是否存在續(xù)流二極管。而集成型buck和非集成型的主要差異就是將開關(guān)控制部分...

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浪涌電流的危害控制浪涌電流的常用方法

引言：在進(jìn)行工程設(shè)計(jì)時(shí)，我們常常關(guān)注電壓的安全性，因?yàn)殡娏鞯牟缓弥苯訙y(cè)量，導(dǎo)致對(duì)電流的關(guān)注比較少，但其實(shí)電流中隱藏的浪涌也往往有很大的隱患。當(dāng)接通子系統(tǒng)...

2023-10-26 標(biāo)簽：MOSFET 熱敏電阻電源開關(guān) 3273 0

什么是Ship功能？抑制出廠時(shí)電池放電的Ship功能

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2023-10-23 標(biāo)簽：二極管輸出電壓 FET 2825 0

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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國(guó)際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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