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　　與平面工藝相比，F(xiàn)inFET的復(fù)雜性一般會導(dǎo)致更加昂貴的制造工藝，F(xiàn)inFET降低了工作電壓，提高了晶體管效率，對靜態(tài)功耗（線性）和動態(tài)功耗（二次方）都有積極作用?？晒?jié)省高達50%的功耗。性能也更高——在0.7V上，性能（吞吐量）比平面工藝高37%。

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