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標(biāo)簽 > finfet
FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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中芯國(guó)際14納米FinFET制程開(kāi)始客戶導(dǎo)入
9日中芯國(guó)際集成電路制造有限公司公布截至2018年6月30日止第二季度的綜合經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)。中芯國(guó)際第二季度銷售額為8.907億美元,與上一季度環(huán)比增長(zhǎng)7.2...
中芯國(guó)際Q2財(cái)報(bào):第二季度營(yíng)收、凈利雙豐收
8月9日,中芯國(guó)際發(fā)布其2018年第二季度報(bào)。公告顯示,中芯國(guó)際第二季度不僅營(yíng)收、凈利雙增長(zhǎng),14納米制程更是獲得重大進(jìn)展!
ANSYS宣布14納米FinFET制程技術(shù)獲聯(lián)電認(rèn)證
ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯(lián)華電子(UMC)的先進(jìn)14納米FinFET制程技術(shù)認(rèn)證。ANSYS和聯(lián)電透過(guò)認(rèn)證...
全數(shù)字鎖相環(huán) (ADPLL)設(shè)計(jì)
PLL電路的特性由環(huán)路濾波器決定,因此設(shè)計(jì)PLL電路時(shí),將其深刻理解為負(fù)反饋電路非常重要,穩(wěn)定的PLL電路的環(huán)路濾波器的設(shè)計(jì)方法是PLL設(shè)計(jì)的精髓。
三星這兩年把半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)作為重點(diǎn)來(lái)抓,今年率先推出了7nm EUV工藝,搶在了臺(tái)積電、GlobalFoundries及英特爾前面。
中芯國(guó)際與一線陣營(yíng)代差巨大 如何擺脫“空芯”之痛?
中國(guó)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際目前最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段,其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%。距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不...
根據(jù)美國(guó)德克薩斯州聯(lián)邦法院的裁決,三星電子侵犯了一家韓國(guó)大學(xué)關(guān)于雙柵極FinFET半導(dǎo)體工藝的技術(shù)專利,必須賠償4億美元。
在去年的三星代工廠論壇上,Arm 與三星代工廠成功建立 14nm FinFET 合作伙伴關(guān)系,當(dāng)時(shí),基于三星代工廠 14nm 節(jié)點(diǎn)技術(shù)平臺(tái)的 Artis...
2018年三星、臺(tái)積電將量產(chǎn)7nm工藝,未來(lái)的5nm甚至3nm工藝也露出了曙光,預(yù)計(jì)在2020年之后開(kāi)始量產(chǎn)。多年來(lái)業(yè)界一直在追求半導(dǎo)體工藝不斷降低線寬...
三星電子(Samsung Electronics)計(jì)劃于2021年量產(chǎn)FinFET電晶體架構(gòu)的后繼產(chǎn)品——采用3nm制程節(jié)點(diǎn)的環(huán)繞式閘極(gate-al...
IMEC上周宣布了一項(xiàng)新的技術(shù),制造了全球最小的SRAM芯片
地球上除了IBM、英特爾、臺(tái)積電、三星具有強(qiáng)大的半導(dǎo)體工藝研發(fā)技術(shù)實(shí)力之外,比利時(shí)微電子中心IMEC也是全球知名的半導(dǎo)體研發(fā)中心,國(guó)內(nèi)的14nm Fin...
2018-05-29 標(biāo)簽:imecfinfet半導(dǎo)體工藝 2527 0
三星宣布將連續(xù)進(jìn)軍5nm、4nm、3nm工藝,直逼物理極限
這兩年,三星電子、臺(tái)積電在半導(dǎo)體工藝上一路狂奔,雖然有技術(shù)之爭(zhēng)但把曾經(jīng)的領(lǐng)導(dǎo)者Intel遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后已經(jīng)是不爭(zhēng)的事實(shí)。
張忠謀分析,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)距離物理極限還有8~10年
臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀8日在股東會(huì)中表示,臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)猶如今日艷陽(yáng)高照的天氣,象征營(yíng)運(yùn)是蓬勃有朝氣,2016年是營(yíng)運(yùn)創(chuàng)新高紀(jì)錄的一年,2017年也是不錯(cuò)的一年...
韓國(guó)三星為了多元化營(yíng)收來(lái)源,這兩年晶圓代工業(yè)務(wù)為重點(diǎn)發(fā)展項(xiàng)目,2018年率先推出7納米EUV制程,搶在臺(tái)積電、格羅方德與英特爾之前推出。但三星如今似乎“...
有接近10家大陸IC設(shè)計(jì)公司的16納米產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)案,呈現(xiàn)百花齊放的態(tài)勢(shì)
大陸消費(fèi)者追求高、大、上終端產(chǎn)品規(guī)格的需求,反映在半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的企圖心上,臺(tái)積電大陸區(qū)業(yè)務(wù)發(fā)展副總羅鎮(zhèn)球強(qiáng)烈感受,不但第二波28納米制程客戶蓄勢(shì)待發(fā),...
格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM
格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖,從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代1...
2018-05-14 標(biāo)簽:fd-soifinfet格羅方德半導(dǎo)體 2866 0
臺(tái)積電將使用7納米FinFet生產(chǎn)麒麟980芯片
麒麟970是華為自研的一款芯片,這款芯片采用的是臺(tái)積電的10納米制造工藝,目前麒麟970已經(jīng)被裝備在華為剛發(fā)布不久的P20和P20 Pro上。此前有傳聞...
三星和格芯力拱,F(xiàn)D-SOI和FinFET將扮演著彼此互補(bǔ)的角色
芯禾科技是EDA軟件、集成無(wú)源器件IPD和系統(tǒng)級(jí)封裝SiP領(lǐng)域的領(lǐng)先供貨商。公司致力于為半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)公司和系統(tǒng)廠商提供差異化的軟件產(chǎn)品和芯片小型化解決...
楷登電子公布與臺(tái)灣積體電路公司全新 12FFC 緊湊型工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)的合作內(nèi)容
楷登電子(美國(guó) Cadence 公司)今日正式公布其與臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(TSMC)全新12nm FinFET緊湊型(12FFC)工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)...
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