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標(biāo)簽 > finfet
FinFET全稱(chēng)叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用帶動(dòng)FD-SOI制程快速增長(zhǎng)
物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用將帶動(dòng)全耗盡型(Fully Detleted)制程技術(shù)加速成長(zhǎng)。為滿足低功耗、低成本、高效能之設(shè)計(jì)需求,格羅方德(GlobalFou...
2016-11-17 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)FinFETFD-SOI制程 1138 0
半導(dǎo)體技術(shù)的突破將使網(wǎng)速有千百倍成長(zhǎng)空間
半導(dǎo)體領(lǐng)域FinFET技術(shù)發(fā)明人胡正明說(shuō),由于半導(dǎo)體技術(shù)的突破,網(wǎng)際網(wǎng)路的速度和普及度還有千百倍的成長(zhǎng)空間。
2016-11-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體技術(shù)網(wǎng)速FinFET 964 0
Xilinx宣布16nm UltraScale+ 產(chǎn)品提前量產(chǎn)
All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司(Xilinx, Inc. )宣布,16nm UltraScale+? 產(chǎn)品組合提前...
2016-10-13 標(biāo)簽:賽靈思FinFETUltraScale 1652 0
判斷FinFET、FD-SOI與平面半導(dǎo)體制程的市場(chǎng)版圖還早
獲得英 特爾(Intel)、三星、臺(tái)積電(TSMC)等大廠采用的FinFET制程,號(hào)稱(chēng)能提供最高性能與最低功耗;但Jones指出,在約當(dāng)14納米節(jié) 點(diǎn),...
2016-09-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制程FD-SOIFinFET 2227 0
Globalfoundries下一代FD-SOI制程正在研發(fā)
Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)Gary Patton透露,其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市,而目前該公司正在開(kāi)...
2016-05-27 標(biāo)簽:FinFETGlobalfoundriesFD-SOI制程 1428 0
ARM攜手臺(tái)積電打造多核10納米FinFET測(cè)試芯片 推動(dòng)前沿移動(dòng)計(jì)算未來(lái)
2016年5月19日,北京訊——ARM今日發(fā)布了首款采用臺(tái)積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術(shù)的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測(cè)...
評(píng)估FD-SOI工藝,看新恩智浦下一步如何布局!
芯片制造的重點(diǎn)永遠(yuǎn)是成本。從28nm HKMG工藝轉(zhuǎn)換到14nm FinFET工藝,將會(huì)增加50%的成本,這個(gè)代價(jià)值得嗎?雖然FinFET能實(shí)現(xiàn)令人印象...
三星半導(dǎo)體高層揭露晶圓代工技術(shù)藍(lán)圖
三星半導(dǎo)體(Samsung Semiconductor Inc.,SSI)的高層透露了該公司晶圓代工廠技術(shù)藍(lán)圖細(xì)節(jié),包括將擴(kuò)展其FD-SOI產(chǎn)能,以及提...
2016-04-26 標(biāo)簽:晶圓代工FinFET三星半導(dǎo)體 1381 0
耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變,成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車(chē)市場(chǎng)取代鰭式場(chǎng)效電晶體(Fi...
2016-04-18 標(biāo)簽:FD-SOIFinFET半導(dǎo)體工藝 3360 0
TSMC認(rèn)證Synopsys IC Compiler II適合10-nm FinFET生產(chǎn)
TSMC已經(jīng)按照Synopsys的IC Compiler? II布局及 布線解決方案,完成了在其最先進(jìn)的10-納米(nm)級(jí)FinFET v1.0技術(shù)節(jié)...
7nm將成臺(tái)積電力壓英特爾主戰(zhàn)場(chǎng)
安謀(ARM)與臺(tái)積電共同宣布一項(xiàng)為期多年的協(xié)議,針對(duì)7奈米FinFET制程技術(shù)進(jìn)行合作,包括支援未來(lái)低功耗、高效能運(yùn)算系統(tǒng)單晶片(SoC)的設(shè)計(jì)解決方...
Mentor Graphics 優(yōu)化工具和流程助設(shè)計(jì)師成功應(yīng)對(duì) 三星代工廠10 納米 FinFET 工藝
俄勒岡州威爾遜維爾,2016 年 3 月 11 日—Mentor Graphics公司(納斯達(dá)克代碼:MENT)今日宣布,與三星電子合作,為三星代工廠的...
三星確認(rèn)驍龍 820 使用第二代 14nm FinFET 工藝
驍龍 820 此前已經(jīng)傳聞將會(huì)由三星代工生產(chǎn),今天三星官方正式確認(rèn)了這個(gè)消息,并且表示大規(guī)模生產(chǎn)使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
三星宣布第2代14納米FinFET工藝技術(shù)投入量產(chǎn)
三星于2015年第一季度發(fā)布了半導(dǎo)體芯片行業(yè)首款采用14nmLPE (Low-Power Early) 工藝量產(chǎn)的Exynos 7 Octa處理器,成為...
從Apple“芯片門(mén)”學(xué)到的代工教訓(xùn)
最近大家應(yīng)該都聽(tīng)說(shuō)了蘋(píng)果(Apple)最新iPhone 6s/6s Plus智慧型手機(jī)同時(shí)采用兩種不同處理器晶片版本(Apple A9 SoC)的消息—...
Mentor Graphics獲得TSMC 10nm FinFET工藝技術(shù)認(rèn)證
Mentor Graphics公司(納斯達(dá)克代碼:MENT)今天宣布,Calibre? nmPlatform 已通過(guò)TSMC 10nm FinFET ...
2015-09-21 標(biāo)簽:FinFETMentor Graphics 1554 0
GlobalFoundries公開(kāi)宣布7nm\10nm:閉門(mén)自研
GlobalFoundries在7月份宣布量產(chǎn)14nm FinFET(LPE),總算是邁入了1Xnm的大關(guān)。
2015-09-21 標(biāo)簽:芯片代工FinFETGlobalFoundries 979 0
贊嘆不已的背后給你透露一些A9處理器技術(shù)細(xì)節(jié)
三星的14nm FinFET工藝并不是真正意義上的14nm工藝,不過(guò)其確實(shí)實(shí)現(xiàn)了縮小芯片尺寸的目的。
華力微拉攏聯(lián)發(fā)科搶攻FinFET制程 較勁中芯、高通
華力微業(yè)界傳出大陸華力微電子高層近期來(lái)臺(tái)拜會(huì)聯(lián)發(fā)科,表達(dá)大陸半導(dǎo)體政策已不再滿足于28納米制程,希望先進(jìn)邏輯制程技術(shù)全面擁抱FinFET制程世代。
2015-08-09 標(biāo)簽:高通聯(lián)發(fā)科FinFET 1287 0
聯(lián)發(fā)科10核Helio X30傳著手研發(fā) 預(yù)期明年初問(wèn)世
相關(guān)消息指出,聯(lián)發(fā)科在旗艦款處理器Helio X20之后,將計(jì)畫(huà)持續(xù)推出改良款Helio X22,并且將于后續(xù)推出新款Helio X30,預(yù)期以臺(tái)積電1...
2015-08-03 標(biāo)簽:處理器FinFET聯(lián)發(fā) 1005 0
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