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標簽 > finfet
FinFET全稱叫鰭式場效應晶體管,是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設計可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。
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FinFET改變戰(zhàn)局:臺積將組大聯(lián)盟抗三星Intel
晶圓代工廠邁入高投資與技術門檻的鰭式場效電晶體制程世代后,與整合元件制造商的競爭將更為激烈,因此臺積電正積極籌組大聯(lián)盟,串連矽智財、半導體設備/材料,以...
隨著20nm SoC已進入開發(fā)階段,14nm、10nm甚至7nm工藝均在逐步推進中。明導公司(Mentor Graphics)董事長兼首席執(zhí)行官Wald...
聯(lián)電完成14nm制程FinFET結構晶體管芯片流片
在Synopsys 的協(xié)助下,臺灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術的測試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意...
2013-06-28 標簽:SynopsysFinFET聯(lián)電科技 1220 0
Cadence設計工具通過臺積電16nm FinFET制程認證
Cadence系統(tǒng)芯片開發(fā)工具已經通過臺積電(TSMC) 16納米 FinFET制程的設計參考手冊第0.1版與 SPICE 模型工具認證,客戶現(xiàn)在可以享...
面對Altera采用英特爾(Intel)14納米三門極電晶體(Tri-gate Transistor)制程,并將于2016年量產14納米FPGA的攻勢,...
Xilinx與臺積電合作采用16FinFET工藝,打造高性能FPGA器件
賽靈思公司 (Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX) )和臺積公司公司(TWSE: 2330, NYSE: TSM)今天共同宣布聯(lián)手推動一...
中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)中心的科研團隊艱苦攻關,成功開展22納米關鍵工藝技術先導研究與平臺建設,在我國首先開展該技術攻關。
沖刺28nm/FinFET研發(fā) 晶圓廠資本支出創(chuàng)新高
為爭搶先進制程商機大餅,包括臺積電、格羅方德和三星等晶圓代工廠,下半年均將擴大資本設備支出,持續(xù)擴充28奈米制程產能;與此同時,受到英特爾沖刺FinFE...
自從ARM決定從行動裝置跨足到伺服器市場后,無不加快自己在制程技術上的腳步,好能跟Intel一決高下,不過當然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺積電與三星)的...
Cadence和臺積電加強合作,共同為16納米FinFET工藝技術開發(fā)設計架構
Cadence設計系統(tǒng)公司(Cadence Design Systems, Inc.)(納斯達克代碼:CDNS)今日宣布與TSMC簽訂了一項長期合作協(xié)議...
14納米工藝節(jié)點會給設計帶來哪些挑戰(zhàn)?
據(jù)國際物理系統(tǒng)研討會(ISPD)上專家表示:實現(xiàn)14納米芯片生產可能會比原先想象的更困難;14納米節(jié)點給設計師帶來了許多挑戰(zhàn)。這些困難和挑戰(zhàn)何在?詳見本文...
ARM攜手Cadence推出首款TSMC16納米FinFET制程Cortex-A57 64位處理器
ARM (LSE:ARM; Nasdaq: ARMH) 和Cadence (NASDAQ: CDNS) 今天宣布合作細節(jié),揭示其共同開發(fā)首款基于臺積電1...
ARM攜手臺積電成功流片16nm ARM Cortex-A57處理器
微處理器設計公司ARM與臺積電今天共同宣布,首個采用臺積電下下代16nm工藝制程FinFET技術生產的ARM Cortex-A57處理器已成功流片。Co...
在新思科技(Synopsys)于美國硅谷舉行年度使用者大會上,參與一場座談會的產業(yè)專家表示,鰭式電晶體(FinFET)雖有發(fā)展?jié)摿?,但也有風險,而且該技...
IBM在Common Platform技術論壇上展示了藍色巨人對未來晶圓的發(fā)展預測,Common Platform是IBM、Globalfoundrie...
Synopsys提供基于FinFET技術的半導體設計綜合解決方案
新思科技公司(Synopsys)在過去五年多與行業(yè)領導者合作共同開發(fā)了對FinFET技術的支持,通過提供經生產驗證的設計工具與IP來推進對FinFET技...
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