ZDP1440系列小技巧—如何OTA差分升級顯示素材？

ZDP1440是一款基于開源GUI引擎的圖像顯示專用驅(qū)動芯片，支持U盤、SD卡本地升級UI固件，同時也支持通過UART/SPI方式進(jìn)行OTA升級，本文將...

2024-05-06 標(biāo)簽：FlaShSD卡OTA 1091 0

【GD32F470紫藤派開發(fā)板使用手冊】第四講 FMC-片內(nèi)Flash擦寫讀實驗

通過本實驗主要學(xué)習(xí)以下內(nèi)容： FMC控制器原理； FMC擦寫讀操作；

2024-05-06 標(biāo)簽：單片機(jī)嵌入式FlaSh 1886 0

Ti60F100 內(nèi)外flash操作方案

有客戶認(rèn)為Ti60F100內(nèi)部flash容量比較小，只有16Mb，需要外掛flash.這里我們提供了內(nèi)部flash和外部flash分別操作的方案。 該程...

2024-05-20 標(biāo)簽：FlaSh 2091 0

JesFS Flash文件系統(tǒng)：高效管理小型控制器大數(shù)據(jù)存儲新方案

CC13xx/26xx系列處理器的Launchpad開發(fā)平臺物美價廉，配備TI的CCSTUDIO[3]IDE，可以進(jìn)行源代碼調(diào)試。CC13xx/26xx...

2024-04-26 標(biāo)簽：控制器FlaSh數(shù)據(jù)存儲 1423 0

怎么解決MCU RAM空間不夠用的問題？

之前使用沁恒公司的一款BLE芯片CH573，隨著代碼量的增多，開發(fā)到后期時遇到了RAM空間不夠用的問題，當(dāng)時嚇了我一跳，以為需要重新?lián)Q更大RAM的芯片。

2024-05-01 標(biāo)簽：FlaShRAMBLE 1934 0

【GD32H757Z海棠派開發(fā)板使用手冊】第四講 FMC-片內(nèi)Flash擦寫讀實驗

FMC即Flash控制器，其提供了片上Flash操作所需要的所有功能，在GD32H7XX系列MCU中，具有高達(dá)3840KB字節(jié)的片上閃存可用于存儲指令或...

2024-04-19 標(biāo)簽：FlaShFMC開發(fā)板 1742 0

基于FPGA的內(nèi)存128M flash芯片控制器設(shè)計方案

這款flash芯片的的存儲是一個扇區(qū)4KB，一個扇區(qū)可以存256個字，一個字是8位，一個塊是64KB，一共有256個塊組成一個存儲flash內(nèi)存。

2024-04-19 標(biāo)簽：FPGAFlaSh內(nèi)存 1454 0

淺談MCU固件幾種Flash（閃存）劃分方式

Firmware A區(qū)用來固定執(zhí)行應(yīng)用程序，當(dāng)引導(dǎo)程序（BootLoader）將接收到的新固件存入到Firmware B區(qū)，并校驗成功后，F(xiàn)irmwar...

2024-04-17 標(biāo)簽：mcu閃存FlaSh 1829 0

易靈思Jtag_bridge_loader生成-v2

Efinity版本：2023.1及以前版本。 易靈思器通過jtag bridge燒寫flash時需要自己生成一個jtage birdge文件。jtage...

2024-04-15 標(biāo)簽：FPGAFlaShJTAG 1874 0

Matter工廠數(shù)據(jù)使用介紹（二）

接上一篇分享，我們將使用工廠數(shù)據(jù)構(gòu)建一個示例應(yīng)用，討論如何工廠數(shù)據(jù)以及大致介紹如何使用自己的工廠數(shù)據(jù)的實現(xiàn)。

2024-04-03 標(biāo)簽：FlaSh二進(jìn)制泰凌微 807 0

flash激光雷達(dá)組成及優(yōu)勢

Flash激光雷達(dá)具有無掃描裝置、成像速度快、激光功率有限、檢測距離近、抗干擾能力差等優(yōu)點(diǎn)。

2024-03-28 標(biāo)簽：FlaSh激光器數(shù)字相機(jī) 1479 0

有了2D NAND，為什么要升級到3D呢？

2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。

2024-03-17 標(biāo)簽：多晶硅NANDFlaSh 1334 0

如何在ADI DSP中設(shè)計一個合理的混響(上)

聲波在室內(nèi)傳播時，會被墻壁、天花板、地板等障礙物反射，每經(jīng)過反射一次都會被障礙物吸收一些。當(dāng)聲源停止發(fā)聲后，聲波在室內(nèi)要經(jīng)過多次反射和吸收，最后才消失。

2024-03-05 標(biāo)簽：dsp濾波器FlaSh 1892 0

如何在PSoC62 Evaluation kit開發(fā)板上運(yùn)行RT-Thread呢？

本文主要介紹如何在PSoC62 Evaluation kit開發(fā)板上運(yùn)行RT-Thread，如何連接CYW43012 WiFi藍(lán)牙模組，以及如何進(jìn)行Wi...

2024-02-27 標(biāo)簽：FlaSh調(diào)試器網(wǎng)絡(luò)帶寬 1366 0

GD32的FLASH讀、擦除、寫操作

一，GD32的flash特征1、在flash的前256K字節(jié)空間內(nèi)，CPU執(zhí)行指令零等待；在此范圍外，CPU讀取指令存在較長延時；2、對于flash大于...

2024-02-19 標(biāo)簽：FlaShcpuGD32 5395 0

淺談flash存儲器的特點(diǎn)和優(yōu)缺點(diǎn)

Flash存儲器的寫操作具有特殊性，它只能將數(shù)據(jù)位從1寫成0，而不能從0寫成1。因此，在對存儲器進(jìn)行寫入操作之前，必須先執(zhí)行擦除操作，將預(yù)寫入的數(shù)據(jù)位初...

2024-02-19 標(biāo)簽：FlaSh存儲器Flash存儲器 4882 0

鐵電存儲器和flash的區(qū)別 FRAM工作原理解析

鐵電存儲器通常具有更快的隨機(jī)存取時間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。

2024-01-23 標(biāo)簽：FlaSh存儲器fram 7208 0

瑞薩RL78系列單片機(jī)支持百萬次讀寫的數(shù)據(jù)閃存方法概述

早期的存儲器只能寫一次，隨后紫外線擦寫的存儲器問世，支持上千次讀寫操作。

2024-01-22 標(biāo)簽：單片機(jī)mcuFlaSh 2833 0

差分升級方案(上)—全量升級vs差分升級的主要特點(diǎn)比較

MCU固件升級可以通過編程器、調(diào)試器或其他設(shè)備輔助進(jìn)行操作，但這種升級方式主要應(yīng)用于產(chǎn)品研發(fā)評估及量產(chǎn)應(yīng)用階段。

2024-01-18 標(biāo)簽：ZigBee技術(shù)FlaShRAM 1999 0