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　　GaN-on-Si主要是指硅基氮化硅，包括AIN、Ga2O3、GaSb、InSb 、Diamond特性類似的新一代材料，應(yīng)用領(lǐng)域包括Laser Diode& LED在內(nèi)的Opto-electronics·Photonics、Power Device（功率元件）和RF Device（射頻元件）等。

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用于四頻 GSM / GPRS / ED 中頻 LNA 前端模塊（B25、B3、B 2.4 GHz、256 QAM WLAN 2.4 GHz、64 QAM WLAN 2.4 GHz WLAN 前端模塊用于 WLAN/ 的 2.4 GHz、2 2.4 GHz、256 QAM 前端模塊 SkyOne? LiTE 低頻段前端模塊 5 GHz 802.11ac WLAN 帶增益的 RX 分集 FEM（B3、B3 用于 Zigbee 技術(shù)應(yīng)用/Threa 400 至 510 MHz 前端模塊，適