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下一代GaN功率IC可以共同集成肖特基二極管和耗盡型HEMT
納米電子和數(shù)字技術研究與創(chuàng)新中心 Imec 在 2021 年國際電子器件會議(IEEE IEDM 2021)上展示了其最新研究成果。通過在基于 p 型氮...
HEMT(High Electron Mobility Transistor),高電子遷移率晶體管。這是一種異質結場效應晶體管,又稱為調制摻雜場效應晶體...
RF GaN已被工業(yè)公司認可并成為主流。從知識產權的角度來看,美國和日本主導著整個RF GaN知識產權系統(tǒng)。
首款面向衛(wèi)星通信應用的GaN HEMT MMIC高功率放大器(HPA)
科銳公司日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國際微波研討會上展出業(yè)界首款面向衛(wèi)星通信應用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA)
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