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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
帶增益的 RX 分集 FEM(B3、B3 用于 Zigbee 技術(shù)應(yīng)用/Threa 400 至 510 MHz 前端模塊,適 460 MHz 發(fā)射/接收前端模塊 MLB/MB/HB/UHB 分集接收模塊 MB/HB 分集接收 LNA 模塊 帶功率檢測(cè)器的 5 GHz 前端模塊 2.4 GHz 高效無(wú)線 LAN 前端 適用于 WLAN 和藍(lán)牙?應(yīng)用的 2.4 2.4 GHz 前端 700 / 800 / 900MHZ 0 用于四頻 GSM / EDGE 的 Tx
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