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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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選擇IGBT的基本原則涉及以下幾個(gè)方面: 電壓等級(jí):選擇合適的IGBT要考慮其能夠承受的電壓等級(jí)。通常情況下,IGBT的額定電壓等級(jí)應(yīng)大于實(shí)際電路中的最...
簡(jiǎn)述igbt對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求有哪些
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種在功率電子領(lǐng)域中廣泛使用的半導(dǎo)體器件,用于在高電壓、高電流的情況下控...
2024-03-12 標(biāo)簽:電流IGBT驅(qū)動(dòng)電路 1936 0
柵極環(huán)路電感對(duì)IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響簡(jiǎn)析
IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-12 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電磁兼容IGBT 1330 0
T型三電平雙脈沖測(cè)試及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
雙脈沖測(cè)試系統(tǒng):該系統(tǒng)用于產(chǎn)生所需的雙脈沖信號(hào),以模擬實(shí)際工作中的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率,以滿(mǎn)足測(cè)試需求。
2024-03-11 標(biāo)簽:測(cè)試系統(tǒng)IGBT功率器件 3776 0
雙脈沖測(cè)試是電力變壓器和互感器的一種常見(jiàn)測(cè)試方法,其主要目的是評(píng)估設(shè)備的性能和準(zhǔn)確性,確保其符合設(shè)計(jì)要求和運(yùn)行標(biāo)準(zhǔn)。
什么是隔離?電機(jī)控制中IGBT驅(qū)動(dòng)為什么需要隔離?
電化隔離:電荷無(wú)法由一個(gè)電路移動(dòng)到另一個(gè)電路,雙方信號(hào)通過(guò)其他方式交換信息。
一文詳解雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響
IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
IGBT導(dǎo)熱機(jī)理及導(dǎo)熱材料的作用
根據(jù) IGBT 熱傳導(dǎo)示意圖所示,芯片內(nèi)損耗產(chǎn)生的熱能通過(guò)芯片傳到外殼底座,再由外殼將少量的熱量直接傳到環(huán)境中去(以對(duì)流和輻射的形式),而大部分熱量通過(guò)...
Wolfspeed功率模塊對(duì)三相工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的影響
為了確保系統(tǒng)可行、正常運(yùn)行和優(yōu)化,我們使用不同的散熱器,將 IGBT 散熱器尺寸從 0.8 L 增大到 1.37 L,并將碳化硅散熱器尺寸減小 61%,...
半導(dǎo)體設(shè)計(jì)面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)如何破?
基于開(kāi)關(guān)電力電子器件的轉(zhuǎn)換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動(dòng)汽車(chē)的關(guān)鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關(guān)系統(tǒng)中,但前者的柵極驅(qū)動(dòng)功率較低、開(kāi)...
2024-03-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET逆變器 527 0
IGBT驅(qū)動(dòng)電路過(guò)流保護(hù)的分類(lèi)及其檢測(cè)方法
IGBT的過(guò)流保護(hù)電路可分為兩類(lèi):一類(lèi)是低倍數(shù)(1.2-1.5倍)的過(guò)載保護(hù);另一類(lèi)是高倍數(shù)(可達(dá)8-10倍)的短路保護(hù)。
2024-03-01 標(biāo)簽:過(guò)流保護(hù)IGBT驅(qū)動(dòng)電路 3.2萬(wàn) 0
igbt能直接代替可控硅嗎 IGBT直接代替可控硅會(huì)有什么影響?
可控硅具有優(yōu)秀的反向阻斷能力,適用于需要在極短時(shí)間內(nèi)承受較高反向電壓沖擊的場(chǎng)合。而IGBT的反向阻斷能力相對(duì)較弱,不適用于這種高反向電壓沖擊的場(chǎng)合。
淺談門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)IGBT性能的影響
絕緣門(mén)極雙極型晶體管(IGBT)是復(fù)合了功率場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件,具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、飽...
2024-02-27 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)IGBT 1340 0
上一篇我們分析了《I-NPC三電平電路的雙脈沖與短路測(cè)試方法》,對(duì)于T-NPC拓?fù)鋪?lái)說(shuō)也是類(lèi)似的,我們接著來(lái)看。1T-NPC三電平電路的換流方式與雙脈沖...
雙脈沖測(cè)試(Double Pulse Test, DPT)是一種測(cè)試方法,常用于評(píng)估和分析電力系統(tǒng)、電子設(shè)備、組件以及半導(dǎo)體器件的電氣特性。這種測(cè)試通過(guò)...
電機(jī)控制器工作原理:電機(jī)控制器就2個(gè)功能:逆變+控制,逆變是指將直流電逆變?yōu)轭l率、大小可調(diào)的交流電,然后根據(jù)VCU信號(hào)、各路傳感器信號(hào)控制電機(jī)轉(zhuǎn)速。
IGBT IPM結(jié)合了IGBT的高效能和高電流承載能力以及IPM的智能化控制與保護(hù)特性,其優(yōu)點(diǎn)可以總結(jié)如下: 集成度高: IGBT IPM將多個(gè)IGBT...
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