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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種被廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的輸入阻抗高和雙極...
短路耐受時(shí)間是指IGBT在短路條件下能夠持續(xù)導(dǎo)通而不發(fā)生故障的時(shí)間。這個(gè)參數(shù)對(duì)于系統(tǒng)保護(hù)策略的設(shè)計(jì)至關(guān)重要,因?yàn)樗鼪Q定了系統(tǒng)在檢測(cè)到短路并采取措施(如關(guān)...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和BJT(雙極型晶體管)特性的高效能半導(dǎo)體器件。它特別適用于需要高...
IGBT的結(jié)構(gòu)組成特點(diǎn)是什么
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種半導(dǎo)體器件,具有柵極、集電極和發(fā)射極三個(gè)引腳。其工作原理與MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)相似,但同時(shí)具...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種半導(dǎo)體器件,結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(...
FCL的基本工作原理是通過(guò)快速改變電路的阻抗來(lái)限制故障電流。它通常由電力電子器件(如IGBT、MOSFET等)及其控制電路組成。
2024-02-06 標(biāo)簽:MOSFETIGBT發(fā)電機(jī) 1976 0
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)擊穿短路的原因是一個(gè)復(fù)雜且多元的問(wèn)題,涉及多個(gè)因素相互作用。以下是對(duì)IGBT擊穿短路原因的詳細(xì)分析,旨在達(dá)到1000字的要求。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件,因其高效率和快速開(kāi)關(guān)特性而受到青睞。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和雙極型晶體管的特性。
IGBT的動(dòng)態(tài)特性及開(kāi)通過(guò)程
導(dǎo)通時(shí),當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓,電流開(kāi)始通過(guò)IGBT。飽和電壓下降速度表示在IC(集電極電流)上升到特定值時(shí),VCE(集電極-發(fā)射極電壓)下降的速度。
IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理 igbt和mos管的區(qū)別
絕緣層位于IGBT的N區(qū)表面,通常使用氧化硅(SiO2)等絕緣材料,用于隔離控制電極(柵極)與功率電極(P區(qū)和N+區(qū))。
由于短路會(huì)導(dǎo)致負(fù)載電阻降低或短路,使得電流突然增大。IGBT作為開(kāi)關(guān)管,其額定電流通常有限,該突然增大的電流可能會(huì)超過(guò)IGBT管的額定電流,導(dǎo)致IGBT...
2024-02-06 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT電解電容 2890 0
基于EXB841的IGBT推挽驅(qū)動(dòng)電路原理
14、15接驅(qū)動(dòng)信號(hào),一般14腳接脈沖形成部分的地,15腳接輸入信號(hào)的正端,15端的輸入電流一般應(yīng)該小于20mA,故在15腳前加限流電阻。
2024-02-06 標(biāo)簽:IGBTEXB841驅(qū)動(dòng)電路 3071 0
一般情況下,由于各廠家的設(shè)計(jì)理念不同,直流側(cè)的電容在設(shè)計(jì)上可能存在差異。當(dāng)變頻器中所使用的濾波電容電容量足夠大,在工作時(shí),能夠吸收較多的能量,使用工況不...
對(duì)于變頻器在啟動(dòng)的過(guò)程中報(bào)過(guò)電流這一情況,引發(fā)導(dǎo)致過(guò)電流的原因大部分出在驅(qū)動(dòng)電路及IGBT逆變電路。判斷驅(qū)動(dòng)電路及IGBT逆變電路導(dǎo)致過(guò)電流的依據(jù)是當(dāng)變...
IGBT是什么類(lèi)型的器件 IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)還是電流驅(qū)動(dòng)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種雙極性器件,結(jié)合了MOSFET和普通晶體管的優(yōu)勢(shì),既具有IGFET(...
充電樁是指為電動(dòng)汽車(chē)提供能量補(bǔ)充的充電裝置,其功能類(lèi)似于加油站里面的加油機(jī),可以固定在地面或墻壁,安裝于公共建筑(公共樓宇、商場(chǎng)、公共停車(chē)場(chǎng)等)和居民小...
2024-01-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBTMOS 2409 0
在當(dāng)今的半導(dǎo)體市場(chǎng),公司成功的兩個(gè)重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的,可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)品預(yù)期壽命內(nèi)的長(zhǎng)期質(zhì)量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營(yíng),...
由于門(mén)極-發(fā)射極連線電感LG、RG、還有Cies之間的關(guān)系,如果在門(mén)極驅(qū)動(dòng)環(huán)路內(nèi)發(fā)生震蕩,有可能因?yàn)檎`動(dòng)作和不飽和動(dòng)作而導(dǎo)致元件損壞。
詳細(xì)介紹變頻器假負(fù)載的原理、應(yīng)用和注意事項(xiàng)
在變頻器的應(yīng)用中,假負(fù)載是一種重要的輔助設(shè)備,主要用于測(cè)試和保護(hù)變頻器模塊。本文將詳細(xì)介紹變頻器假負(fù)載的原理、應(yīng)用和注意事項(xiàng)。
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