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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

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商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V,而SiC擁有更高的擊穿場強(qiáng),在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度,從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻,使其耐...

2025-03-12 標(biāo)簽:芯片MOSFETIGBT 586 0

IGBT模塊:“我太難了”,老是炸毀?

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前言IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為光伏逆變器的“心臟”,承擔(dān)著直流電向交流電轉(zhuǎn)換的核心任務(wù)。然而,這一關(guān)鍵部件的炸毀問題頻發(fā),不僅導(dǎo)致高昂的維修成本...

2025-03-09 標(biāo)簽:IGBT晶體管光伏逆變器 896 0

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DOH:DirectonHeatsink,熱沉。DOH工藝提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升,解決孔洞和裂紋問題提升產(chǎn)品良率及...

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2025-03-06 標(biāo)簽:IGBTIPM柵極驅(qū)動器 683 0

如何高效提升驅(qū)動電路的電能轉(zhuǎn)換效率?

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當(dāng)前,半橋驅(qū)動器HPD2606X已可廣泛應(yīng)用在家用空調(diào)、冰箱、洗衣機(jī)、烘干機(jī)、吸塵器、抽油煙機(jī)、風(fēng)扇等白色家電領(lǐng)域與電動工具、無人機(jī)等工業(yè)場合中。

2025-03-06 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半橋驅(qū)動器 288 0

IGBT在中頻電源中常見的故障模式及解決方法

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在現(xiàn)代工業(yè)電氣領(lǐng)域,中頻電源應(yīng)用廣泛,而 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為中頻電源的核心器件,起著至關(guān)重要的作用。本文將深入探討 IGBT 在中頻電源...

2025-03-03 標(biāo)簽:IGBT晶體管中頻電源 680 0

DOH技術(shù)工藝方案解決陶瓷基板DBC散熱挑戰(zhàn)問題

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引言:隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件對散熱性能和可靠性的要求不斷提高。陶瓷基板作為功率器件散熱封裝中的關(guān)鍵材料,以其優(yōu)異的電絕緣性、高熱導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度...

2025-03-01 標(biāo)簽:IGBT散熱功率器件 396 0

快恢復(fù)二極管分類全解析:從基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)到前沿應(yīng)用

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在變頻器IGBT驅(qū)動電路中,一個反向恢復(fù)時間過長的二極管導(dǎo)致開關(guān)損耗增加30%,這個案例揭示了快恢復(fù)二極管選型對電力電子系統(tǒng)的關(guān)鍵影響。作為高頻開關(guān)電路...

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2025-02-25 標(biāo)簽:開關(guān)電路IGBT晶體管 843 0

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英飛凌車規(guī)級IGBT功率模塊FF300R08W2P2_B11A,這款750V模塊是英飛凌著名的“EasyPACK?”產(chǎn)品家族中的最新成員,它基于EDT2...

2025-02-20 標(biāo)簽:英飛凌逆變器IGBT 1252 0

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2025-02-14 標(biāo)簽:IGBT 1718 0

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*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/在xEV應(yīng)用的主驅(qū)逆變器中,關(guān)于IGBT分立器件熱阻網(wǎng)絡(luò)建模和虛擬結(jié)溫計算的研究和論文相對較少。本文基于最新的...

2025-02-08 標(biāo)簽:逆變器IGBT熱阻 1113 0

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IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)都是重要的半導(dǎo)體功率器件,它們在電子電路中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下是IGBT和...

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我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件,這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來了...

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大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件...

2025-01-21 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 1328 0

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大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載,并聯(lián)器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流...

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2025-02-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 468 0

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)知識

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