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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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igbt技術(shù)

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什么是IGBT？IGBT的工作原理

IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵...

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2023-12-15 標簽：濾波電容 IGBT 電磁兼容性 912 0

mosfet和igbt相比具有什么特點

MOSFET (金屬氧化物半導體場效應晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導體器件。它們在不同的應用場景中具有不同的特點和優(yōu)...

2023-12-15 標簽：MOSFET IGBT 場效應晶體管 1963 0

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2023-12-13 標簽：萬用表電源管理 MOS管 6367 0

IGBT漏電流增加有哪些原因

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什么是IGBT？IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和相關工藝

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