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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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電磁爐溫度檢測(cè)電路圖大全(高頻/IGBT/傳感器溫度檢測(cè)電路詳解)
本文主要介紹了電磁爐溫度檢測(cè)電路圖大全(高頻/IGBT/傳感器溫度檢測(cè)電路詳解)。電磁爐中的溫度檢測(cè)傳感器采用的是熱敏電阻,該電阻大多由單晶或多晶半導(dǎo)體...
米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動(dòng)過(guò)程中非常顯著?;陂T極G與集電極C之間的耦合,在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt,這樣會(huì)引發(fā)門極VGE間電壓升高...
2019-02-04 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 4.0萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的區(qū)別,IGBT所有型號(hào)大全
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)...
2017-05-14 標(biāo)簽:電阻場(chǎng)效應(yīng)管igbt 3.8萬(wàn) 0
對(duì)SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹
眾所周知,SiC材料的特性和優(yōu)勢(shì)已被大規(guī)模地證實(shí),它被認(rèn)為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開(kāi)發(fā)工程師所關(guān)心的重點(diǎn)之一...
IGBT應(yīng)用電子電路設(shè)計(jì)圖集錦 —電路圖天天讀(189)
IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT和MOS組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,它既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng),控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),又有...
2015-06-25 標(biāo)簽:逆變器IGBT驅(qū)動(dòng)電路 3.7萬(wàn) 0
一文解讀IGBT驅(qū)動(dòng)關(guān)鍵技術(shù)及過(guò)流和短路保護(hù)
為解決中、大功率等級(jí)IGBT的可靠驅(qū)動(dòng)問(wèn)題,本文提出了驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計(jì)方案。同時(shí),在變流器極端工況下研究了IGBT的相關(guān)特性,提出了極端工況IGB...
2018-06-17 標(biāo)簽:過(guò)流保護(hù)IGBT短路保護(hù) 3.5萬(wàn) 0
IGBT基本結(jié)構(gòu)和原理_IGBT設(shè)計(jì)關(guān)鍵因素
因?yàn)樽罱ぷ髦斜容^多的涉及到IGBT,所以今天我們來(lái)聊一聊IGBT的設(shè)計(jì)的相關(guān)要點(diǎn),當(dāng)然只是從我們比較關(guān)心的幾點(diǎn)出發(fā),概括性地來(lái)說(shuō)一說(shuō)。而沒(méi)有深入到物理...
IGBT與MOSFET不同,內(nèi)部沒(méi)有寄生的反向二極管,因此在實(shí)際使用中(感性負(fù)載)需要搭配適當(dāng)?shù)目旎謴?fù)二極管。
2023-03-24 標(biāo)簽:MOSFETIGBT快恢復(fù)二極管 3.4萬(wàn) 2
IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域_IGBT國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)規(guī)模
受益于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等各種利好措施,IGBT市場(chǎng)將引來(lái)爆發(fā)點(diǎn)。
2018-07-28 標(biāo)簽:IGBT 3.3萬(wàn) 0
使用三個(gè)單相逆變電路就可以組合成一個(gè)三相逆變電路,而使用到IGBT作為開(kāi)關(guān)器件的三相電壓型橋式逆變電路使用最為廣泛,接下來(lái)我們學(xué)習(xí)該電路工作原理。
BC-IGBT 由結(jié)構(gòu)頂部和底部的柵極組成。東京大學(xué)的研究員 Takuya Saraya 在論文中說(shuō):“IGBT 的一個(gè)主要缺點(diǎn)是其開(kāi)關(guān)頻率相對(duì)較低,因...
2022-06-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 3.2萬(wàn) 0
IGBT在新能源電動(dòng)汽車中的應(yīng)用全面解析
以空調(diào)壓縮機(jī)為例:國(guó)內(nèi)規(guī)定的電壓220V,頻率50Hz的電流經(jīng)整流濾波后得到310V左右的直流電,此直流電經(jīng)過(guò)逆變后,就可以得到用以控制壓縮機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)的變頻...
2018-10-31 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 3.2萬(wàn) 0
在大多數(shù)情況下,IGBT模塊的引腳通常會(huì)以標(biāo)號(hào)或文字標(biāo)識(shí)進(jìn)行標(biāo)記。以下是常見(jiàn)的IGBT模塊引腳標(biāo)記: 1. 柵極(Gate):通常標(biāo)記為G,也可能...
IGBT驅(qū)動(dòng)電路過(guò)流保護(hù)的分類及其檢測(cè)方法
IGBT的過(guò)流保護(hù)電路可分為兩類:一類是低倍數(shù)(1.2-1.5倍)的過(guò)載保護(hù);另一類是高倍數(shù)(可達(dá)8-10倍)的短路保護(hù)。
2024-03-01 標(biāo)簽:過(guò)流保護(hù)IGBT驅(qū)動(dòng)電路 3.1萬(wàn) 0
雙脈沖測(cè)試的基本原理、基本實(shí)驗(yàn)以及波形
一般,我們是通過(guò)閱讀器件廠商提供的datasheet來(lái)了解一個(gè)器件的參數(shù)特性,但是datasheet中所描述的參數(shù)是在特定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來(lái)的,因此...
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