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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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SVG是典型的電力電子設(shè)備,由三個(gè)基本功能模塊構(gòu)成:檢測(cè)模塊、控制運(yùn)算模塊及補(bǔ)償輸出模塊。其工作原理為由外部CT檢測(cè)系統(tǒng)的電流信息,然后經(jīng)由控制芯片分析...
IGBT短路時(shí)的工作狀態(tài)、短路保護(hù)電路的原理
每次談到IGBT都要把它的優(yōu)點(diǎn)先說一遍,就當(dāng)我嘮叨了。IGBT結(jié)合了電力場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管導(dǎo)通、關(guān)斷機(jī)制的優(yōu)點(diǎn),相比于其他大功率開關(guān)器件,IGBT的驅(qū)...
2023-05-25 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT變流器 7096 0
一開始我們簡(jiǎn)單介紹過IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理,不同的行業(yè)對(duì)使用IGBT時(shí),對(duì)于其深入的程度可能不一樣,但是作為一個(gè)開關(guān)器件,開通和關(guān)斷的過程
從電壓電流對(duì)IGBT的關(guān)斷過程進(jìn)行分析
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 是雙極型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的復(fù)合器件,IGBT將BJT的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)引入到VDMOS 的...
對(duì)于工程設(shè)計(jì)人員來講,IGBT芯片的性能,可以從規(guī)格書中很直觀地得到。但是,系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí),這些性能能夠發(fā)揮出來多少,就要看“封裝“了,畢竟夏天穿著棉襖工作...
參考設(shè)計(jì):適用于半橋結(jié)構(gòu)的隔離式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)Flybuck電源
本參考設(shè)計(jì)采用 Flybuck 變換器為 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器提供正負(fù)電壓軌。Flybuck 變換器可等效于降壓變換器和類似反激變換器二次側(cè)的組合,采用...
2023-05-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)器BUCK 8358 0
碳化硅MOSFET相對(duì)于IGBT的優(yōu)勢(shì)
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)用于許多不同類型的電源應(yīng)用,包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測(cè)試和測(cè)量以...
使用新型C3M 650V MOSFET節(jié)省BOM成本
為了在電動(dòng)汽車市場(chǎng)取得成功,公司需要擴(kuò)大續(xù)航里程并降低物料清單 (BOM) 成本,以有效地與根深蒂固的內(nèi)燃機(jī) (ICE) 競(jìng)爭(zhēng)。為了實(shí)現(xiàn)更大的續(xù)航里程,...
2023-05-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT電池 900 0
碳化硅 (SiC) 是一種成熟的器件技術(shù),在 900 V 至 1,200 V 以上的高壓、高開關(guān)頻率應(yīng)用中,與硅 (Si) 技術(shù)(包括硅超結(jié) (SJ) ...
PWM是脈寬調(diào)制,在電力電子中,最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。對(duì)三相電來說,就需要三個(gè)橋臂。 以兩電平為例,每個(gè)橋臂上有兩個(gè)電力電...
三菱電機(jī)開始提供X系列HV100封裝半橋HVIGBT模塊
根據(jù)三菱電機(jī)截至2023年4月25日的研究,與4.5kV額定電壓和10.2kVrms絕緣耐壓的HV100封裝半橋Si HVIGBT模塊對(duì)比得出
新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測(cè)技術(shù)研究
提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測(cè)電路,設(shè)計(jì)了兼具結(jié)溫監(jiān)測(cè)功能的驅(qū)動(dòng)電路,并提出了- -種結(jié)溫反推方法,提升了結(jié)...
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