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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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相較于基于硅(Si)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)之類的傳統(tǒng)技術(shù),碳化硅(SiC)元件擁有明顯的優(yōu)點,因此很多應用都能從運用 SiC 器件中獲益。
IGBT的應用領(lǐng)域非常廣,如工業(yè)領(lǐng)域中的變頻器,家用電器領(lǐng)域的變頻空調(diào)、洗衣機、冰箱,軌道交通領(lǐng)域的高鐵、地鐵、輕軌,軍工航天領(lǐng)域的飛機、艦艇以及新能源...
英飛凌推出120-200A 750V EDT2工業(yè)級分立IGBT
英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業(yè)級分立IGBT,采用750V EDT2 IGBT技術(shù),具有最低的導通損耗和開關(guān)損耗,這可以使...
800V系統(tǒng)將重構(gòu)電動汽車產(chǎn)業(yè)鏈,這些技術(shù)和產(chǎn)品最受益
汽車電動化趨勢正在不斷加快。過去兩年,受疫情和芯片短缺影響,全球汽車市場整體表現(xiàn)不佳,但新能源車卻一枝獨秀,延續(xù)這幾年的強勁增長勢頭,2021年實現(xiàn)銷量...
如何正確理解IGBT模塊規(guī)格書中的主要參數(shù)?
當我們在選擇一款I(lǐng)GBT模塊做功率回路設(shè)計時,首先都會問到兩個最基本的參數(shù),這個模塊是多少伏、多少安培的?
隨著IGBT的耗散功率和開關(guān)頻率不斷增大,以及工作環(huán)境嚴苛,使得IGBT模塊產(chǎn)生大量的熱量,由于模塊內(nèi)的熱量無法及時得到釋放,從而引起模塊內(nèi)部溫度升高。
2023-05-16 標簽:IGBT開關(guān)頻率 1987 0
英飛凌推采用iMOTION? IPM IMI111T-026H高效風機控制參考板
采用iMOTION? IPM IMI111T-026H高效風機控制參考板 iMOTION? IPM---一個緊湊的DSO封裝中實現(xiàn)完整的三相逆變器,包括...
基于AT89C51單片機的變頻調(diào)速控制系統(tǒng)設(shè)計
在電氣傳動領(lǐng)域中,隨著自關(guān)斷器件技術(shù)水平的不斷提高,脈寬調(diào)制技術(shù)(簡稱PWM技術(shù))也日趨成熟。
變頻器是一種電力電子設(shè)備,也稱為變頻調(diào)速器,用于控制交流電動機的轉(zhuǎn)速和運行狀態(tài)。它通過改變電源的頻率和電壓,實現(xiàn)對電機的調(diào)速和控制,從而滿足不同負載...
功率半導體技術(shù)經(jīng)過 60 余年發(fā)展,器件阻斷能力和通態(tài)損耗的折衷關(guān)系已逐漸逼近硅基材料物理極限,因此寬禁帶材料與器件越來越受到重視,尤其是以碳化硅(Si...
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