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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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相較IGBT,SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車的能效和性能?
隨著人們對(duì)電動(dòng)汽車 (EV) 和混動(dòng)汽車 (HEV) 的興趣和市場(chǎng)支持不斷增加,汽車制造商為向不斷擴(kuò)大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。由于 EV 的...
2023-05-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車安森美IGBT 8969 0
有的現(xiàn)場(chǎng)使用變頻器控制電機(jī)會(huì)出現(xiàn)漏電問題,漏電電壓有幾十伏到200伏不等,在這里針對(duì)此故障的原因進(jìn)行理論的分析。我們都知道電動(dòng)機(jī)的三相定子繞組流過(guò)電流產(chǎn)...
在垂直方向上,IGBT結(jié)構(gòu)經(jīng)歷了穿通型(pouch through,PT),非穿通型(non pouch through,NPT)和電場(chǎng)截止型(fiel...
如何選擇優(yōu)質(zhì)的IGBT單管協(xié)助Heric后極逆變電路的優(yōu)化呢?
單相組串式逆變器里面會(huì)有Heric后極逆變是需要使用IGBT單管的,目前我們看到單相組串式逆變器正朝采用多層次拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的逆變器發(fā)展方向。
2023-05-06 標(biāo)簽:逆變器IGBT快恢復(fù)二極管 1516 0
電動(dòng)汽車IGBT芯片大電流密度、低損耗優(yōu)化技術(shù)匯總
為滿足電動(dòng)汽車的功率需求,牽引逆變器中一般使用多芯片并聯(lián)的功率模塊。然而,多芯片并聯(lián)會(huì)帶來(lái)并聯(lián)芯片間電流分布不均,回路雜散電感增大和散熱效率下降等問題;...
2023-05-06 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器大電流 2676 0
按照器件結(jié)構(gòu),分為二極管、功率晶體管、晶閘管等,其中功率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MO...
2023-05-06 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 6432 0
所有類型的電動(dòng)汽車(EV)的高功率、高電壓要求,包括電動(dòng)公交車和其他電子交通電源系統(tǒng),需要更高的碳化硅(SiC)技術(shù)來(lái)取代舊的硅FET和IGBT。安全高...
2023-05-06 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBTSiC 2857 0
通過(guò)熱敏電阻,如何計(jì)算IGBT結(jié)溫?
IGBT模塊中通常都會(huì)在陶瓷基板(DBC)上設(shè)有熱敏電阻(NTC或PTC,由于NTC較為常用,以下統(tǒng)稱NTC)用于溫度檢測(cè)。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師最直接也...
IGBT 作為新能源汽車電機(jī)控制器的核心部件,直接決定了電動(dòng)汽車的安全性和可靠性。本文主要介 紹采用熱敏感電參數(shù)法提取 IGBT 結(jié)溫,并結(jié)合 CLTC...
功率器件封裝結(jié)構(gòu)散熱設(shè)計(jì)原則
針對(duì)功率器件的封裝結(jié)構(gòu),國(guó)內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)和 企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面進(jìn)行了大量的理論研究和開 發(fā)實(shí)踐,多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計(jì)理念被國(guó)內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)提出并研究,一些結(jié)構(gòu)設(shè)...
工業(yè)、EV、軌道交通用IGBT模塊的選材及封裝工藝對(duì)比
由下圖我們可以看到,外殼選材上,工業(yè)用IGBT模塊外殼一般采用通用型PBT材料,EV用IGBT模塊外殼采用增強(qiáng)型PBT材料,軌道交通用IGBT模塊外殼采...
新能源電驅(qū)系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)
第三代半導(dǎo)體材料可以滿足現(xiàn)代社會(huì)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等新要求,且體積小、污染少、運(yùn)行損耗,正逐步成為發(fā)展的重心。
2023-05-04 標(biāo)簽:IGBT電機(jī)控制器第三代半導(dǎo)體 760 0
SiC半導(dǎo)體如何成為比舊有技術(shù)更具成本競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案
隨著電動(dòng)汽車、可再生能源和 5G 等領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐不斷加快,為滿足消費(fèi)者和行業(yè)的需求,越來(lái)越多的工程師也在尋求全新解決方案,并對(duì)技術(shù)提出了更高的要求。
在ROS學(xué)習(xí)平臺(tái)中常常使用到的直流電機(jī)控制原理與驅(qū)動(dòng)電路
在使用ROS機(jī)器人構(gòu)建地圖的過(guò)程中,需要在房間內(nèi)自主運(yùn)行,采集地圖信息。這個(gè)過(guò)程中需要控制電機(jī)的正反轉(zhuǎn),電機(jī)的轉(zhuǎn)速,以適應(yīng)機(jī)器人直行,轉(zhuǎn)彎等動(dòng)作。
基于PWM脈寬調(diào)制技術(shù)的變頻技術(shù)
就是以PWM方式對(duì)直流電進(jìn)行調(diào)制的變頻器。PWM是脈沖寬度調(diào)制的意思。變頻器是將外界固定頻率的電源先轉(zhuǎn)化成直流,再根據(jù)外電路的需要逆變成所需頻率、電壓的...
MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管部分載流子累積又使得此復(fù)合結(jié)構(gòu)中 BJT 部分的基極驅(qū)動(dòng)電流顯著增加,二者協(xié)同工作,從而改善了整個(gè)器件的特性。
2023-04-24 標(biāo)簽:IGBTMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3206 0
SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng),相電流監(jiān)測(cè)2
開關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開關(guān)器件,其開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不是嚴(yán)格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂...
SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng),相電流監(jiān)測(cè)1
開關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開關(guān)器件,其開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不是嚴(yán)格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂...
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