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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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今天給大家講一下關(guān)于MOS管燒毀的原因,文字比較多點(diǎn),不容易讀,希望大家可以認(rèn)真看完。 MOS 管可能會(huì)遭受與其他功率器件相同的故障,例如過(guò)電壓(半導(dǎo)體...
FHA60T65A型號(hào)戶外儲(chǔ)能電源IGBT介紹
好IGBT選FHA60T65A型號(hào),代換FGH60N60SMD型號(hào)參數(shù)的IGBT也是選FHA60T65A型號(hào)。
2023-04-20 標(biāo)簽:IGBT快恢復(fù)二極管儲(chǔ)能電源 2137 0
代對(duì)于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開(kāi)關(guān)管呢?
對(duì)于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開(kāi)關(guān)管呢?
不間斷電源的產(chǎn)品會(huì)有不同的標(biāo)準(zhǔn),常見(jiàn)會(huì)有GB 4943-2011、IEC 62040-1:2017、UL1778 4th Edition、EN 6204...
2023-04-20 標(biāo)簽:IGBT不間斷電源快恢復(fù)二極管 1687 0
IGBT作為一種功率開(kāi)關(guān),從門(mén)級(jí)信號(hào)到器件開(kāi)關(guān)過(guò)程需要一定反應(yīng)時(shí)間,就像生活中開(kāi)關(guān)門(mén)太快容易擠壓手一樣,過(guò)短的開(kāi)通脈沖可能會(huì)引起過(guò)高的電壓尖峰或者高頻震...
2023-04-19 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體功率開(kāi)關(guān) 1588 0
如何選擇能代換FGH60N60SMD的型號(hào)參數(shù)的IGBT單管來(lái)應(yīng)用呢?
在整個(gè)光伏逆變器的開(kāi)發(fā)中,單相組串式光伏逆變器的前級(jí)升壓通常采用高效的升壓轉(zhuǎn)換器,如Boost轉(zhuǎn)換器或SEPIC轉(zhuǎn)換器等,以提高電路效率和穩(wěn)定性。
2023-04-18 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器IGBT快恢復(fù)二極管 3129 0
變頻器靠?jī)?nèi)部IGBT的開(kāi)斷來(lái)調(diào)整輸出電源的電壓和頻率,根據(jù)電機(jī)的實(shí)際需要來(lái)提供其所需要的電源電壓,進(jìn)而達(dá)到節(jié)能、調(diào)速的目的,另外,變頻器還有很多的保護(hù)功...
典型車(chē)用IGBT芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)解析
Sic MOSFET的正柵壓目前已經(jīng)于Si IGBT相當(dāng)(+15V) ,但負(fù)柵壓仍有很大差別(-5V) ,Sic MOSFET開(kāi)關(guān)速度快引起的EMII問(wèn)...
陶瓷覆基板是影響模塊長(zhǎng)期使用的關(guān)鍵部分之一,IGBT模塊封裝中所產(chǎn)生的熱量主要是經(jīng)陶瓷覆銅板傳到散熱板最終傳導(dǎo)出去。陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆銅板性能的...
2023-04-17 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體熱導(dǎo)率 1491 0
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻...
變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)和IGBT逆變器過(guò)壓保護(hù)方案
眾所周知,在所有工業(yè)控制系統(tǒng)中,變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)和IGBT逆變器通常安裝在電動(dòng)機(jī)的前端,以調(diào)節(jié)速度并節(jié)省能源。根據(jù)不同的輸入電壓要求,逆變器通常分為...
如何避免MOSFET常見(jiàn)問(wèn)題和失效模式
今天給兄弟們分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì),如何避免常見(jiàn)問(wèn)題和故障模式》,依然是我覺(jué)得比較好的。
三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、IGBT的區(qū)別
三極管是一種電流控制體器件,它的主要作用是把微弱信號(hào)放大,輸入阻抗低,例如在基極b給一個(gè)很小的電流Ib,在集電極c上得到一個(gè)比較大的電流Ic。它是電流放...
2023-04-13 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 5994 0
逆變器就是變壓器嗎 逆變器可以當(dāng)變壓器使用嗎 陽(yáng)能逆變器是變壓器嗎
逆變器和變壓器是兩個(gè)不同的電子設(shè)備,雖然逆變器和變壓器都是用于電能轉(zhuǎn)換的,但是它們的工作原理、功能和實(shí)現(xiàn)方式都有很大的區(qū)別。
自 20 世紀(jì) 80 年代發(fā)展至今,IGBT 芯片經(jīng)歷了 7 代技術(shù)及工藝的升級(jí),從平面穿通型(PT)到微溝槽場(chǎng)截止型,IGBT 從芯片面積、工藝線寬、...
碳化硅SIC MOSFET替代傳統(tǒng)MOSFET及IGBT的優(yōu)點(diǎn)
碳化硅MOS優(yōu)點(diǎn):高頻高效,高耐壓,高可靠性??梢詫?shí)現(xiàn)節(jié)能降耗,小體積,低重量,高功率密度。
變頻技術(shù)的應(yīng)用非常廣,例如變頻空調(diào)、變頻熱泵、變頻地暖、變頻傳送帶等利用變頻器技術(shù)的應(yīng)用非常廣泛。雖然變頻技術(shù)的應(yīng)用非常廣,優(yōu)點(diǎn)也非常多,但是,對(duì)于變頻...
英飛凌EconoPIM3 IGBT模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)拆解
模塊內(nèi)部左上方還集成了一個(gè)單獨(dú)的IGBT,邊上還有一個(gè)相應(yīng)的小的二極管。用于制動(dòng)的和由于這個(gè)IGBT的面積小,所以功率電流小,用于制動(dòng),也就是制動(dòng)單元。
為何需要選擇一款igbt來(lái)替換FGH60N60SMD型號(hào)參數(shù)呢?
這幾年來(lái)伴隨可再生能源以及分布式發(fā)電技術(shù)的發(fā)展,在光伏發(fā)電系統(tǒng)中Heric逆變器的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛。
2023-04-11 標(biāo)簽:逆變器電力系統(tǒng)IGBT 3717 0
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