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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1248人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3053個 瀏覽：254068次 帖子：482個

      igbt技術(shù)

      為何SiC模塊受到市場高度關(guān)注？

      絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是一種三端功率半導體器件，常用作電子開關(guān)。憑借出色的開關(guān)特性、耐高溫性、輕量級和成本效益等特征，IGBT 電源模塊逐漸成...

      2023-02-16 標簽：IGBT晶體管功率模塊 729 0

      功率半導體類型及特點

      功率半導體的類型有多種，其中最常用的是MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（可控硅晶體管）和SCR（可控整流器）。MOSFET是一種可...

      2023-02-15 標簽：MOSFETIGBT功率半導體 1690 0

      隔離驅(qū)動IGBT的設(shè)計技巧

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      2023-02-15 標簽：IGBT控制信號隔離驅(qū)動 1456 0

      碳化硅MOSFET和IGBT的區(qū)別與聯(lián)系

      碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導體技術(shù)，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù)，以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFET技...

      2023-02-15 標簽：MOSFETIGBT碳化硅 9488 0

      IGBT基礎(chǔ)知識：IGBT工作原理/優(yōu)缺點/選型/應用

      IGBT的柵極-發(fā)射極電壓VGE類似于MOSFET的柵極-源極電壓VGS，集電極電流IC類似于漏極電流ID，集電極-發(fā)射極電壓VCE類似于漏源電壓VDS。

      2023-02-14 標簽：三極管場效應管IGBT 9356 0

      電子封裝用陶瓷基板材料及其制備工藝

      相對于LTCC和HTCC，TFC為一種后燒陶瓷基板。采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)將金屬漿料涂覆在陶瓷基片表面，經(jīng)過干燥、高溫燒結(jié)（700~800℃）后制備。金屬漿料...

      2023-02-14 標簽：IGBT電鍍電子封裝 1093 0

      淺談各種SiC IGBT器件的制作過程與相關(guān)性能

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      2023-02-13 標簽：IGBTSiC功率半導體 2379 0

      背后功率器件那些事兒：MOSFET、IGBT及碳化硅的應用

      當充電樁向高壓架構(gòu)發(fā)展的趨勢越來越明顯，高性能MOSFET的需求也越來越大，通過改進器件結(jié)構(gòu)的超級結(jié)MOSFET應運而生了。

      2023-02-13 標簽：MOSFETIGBT功率器件 2037 0

      什么是IGBT？

      什么是IGBT？

      什么是IGBT？本文的關(guān)鍵要點?IGBT是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的縮寫，中文名稱是“絕緣柵雙極晶體管”。

      2023-02-13 標簽：MOSFETIGBT晶體管 5446 0

      功率MOSFET - 48V系統(tǒng)中的重要組件

      功率MOSFET - 48V系統(tǒng)中的重要組件

      在討論了48伏特架構(gòu)（“48伏特輕度混合動力系統(tǒng)的出現(xiàn)”）并描述了一些主要應用（“48伏特起動發(fā)電機”）后，我們需要深入研究這些新系統(tǒng)的電氣要求。在這篇...

      2023-02-13 標簽：MOSFETIGBT發(fā)電機 1154 0

      碳化硅MOSFET對比硅IGBT的優(yōu)勢

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      　　開關(guān)器件在運行過程中存在短路風險，配置合適的短路保護電路，可以有效減少開關(guān)器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短...

      2023-02-12 標簽：MOSFETIGBT開關(guān)器件 2754 0

      SiC MOSFET和SiC IGBT的區(qū)別

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      　　在SiC MOSFET的開發(fā)與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率...

      2023-02-12 標簽：MOSFETIGBTPN結(jié) 3695 0

      為您的設(shè)計選擇最佳選項：碳化硅MOSFET相對于IGBT的優(yōu)勢！

      GBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）用于許多不同類型的電源應用，包括可再生能源、航空航天、汽車和運輸、測試和測量以及...

      2023-02-12 標簽：MOSFETIGBT晶體管 1039 0

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      DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡稱，由三菱電機于1997年正式推向市場，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應用。本講座主要介紹DIPIP...

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      變頻器IGBT模塊損壞的維修方法

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      2023-02-11 標簽：變頻器IGBT 5013 0

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      根據(jù)電路拓撲和工作條件，兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導通損耗和開關(guān)（開通和關(guān)斷）損耗，而二極管損耗包括導通和關(guān)斷損...

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      如何測量功耗并計算二極管和IGBT芯片的溫升

      與大多數(shù)功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二...

      2023-02-11 標簽：二極管IGBT 2235 0

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      具體而言，SiC 近年來在很多領(lǐng)域都有應用，比如工業(yè)領(lǐng)域。對于 GAN 來說，可使用場景非常廣泛。SiC 產(chǎn)品在高功率市場中有著很好的應用，例如 IGB...

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        光模塊
        +關(guān)注
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      • K60
        K60
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        +關(guān)注
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        Nexperia
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      • COMSOL
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        +關(guān)注
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      • 加速度傳感器
        加速度傳感器
        +關(guān)注
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        服務(wù)機器人
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