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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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UPS工頻逆變器常見使用在IT設(shè)備、數(shù)據(jù)中心、商業(yè)設(shè)施、信息通訊、工業(yè)、交通電源系統(tǒng)等領(lǐng)域。
畢竟選擇一款650V、40A的IGBT,還能替代仙童FGH40N60SFD型號參數(shù)的國產(chǎn)IGBT還是值得考慮的。
IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離,具...
變頻器的制動單元和逆變部分的續(xù)流二極管不是矛盾了嗎?
通過制動單元外接制動電阻,該方式配合母線電壓檢測。當(dāng)電機(jī)迅速停機(jī)時,電機(jī)繞組上的能量會通過逆變側(cè)的反并聯(lián)二極管倒灌入母線電容,此時母線電壓升高;當(dāng)高于設(shè)...
為什么要標(biāo)準(zhǔn)化模塊化電驅(qū)呢?如何做好電驅(qū)動的標(biāo)準(zhǔn)化模塊化?
電機(jī)的結(jié)構(gòu),主要是轉(zhuǎn)子和定子。轉(zhuǎn)子是線圈,就是感應(yīng)電機(jī);轉(zhuǎn)子是永磁體,就是永磁同步電機(jī)。
FHA40T65A是一款場N溝道溝槽柵截止型IGBT,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通過優(yōu)化工藝,來獲得極低的 V...
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGB...
淺談SiC道變器技術(shù)特性及系統(tǒng)優(yōu)勢
相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯(lián)二極管。 逆變器效率主要與功率器件的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗相關(guān),而SiC逆 變器在這兩點(diǎn)均...
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器中的IGBT過流和短路保護(hù)
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器可以在相對惡劣的環(huán)境中運(yùn)行,其中可能發(fā)生高溫、交流線路瞬變、機(jī)械過載、接線錯誤和其他突發(fā)事件。其中一些事件可能導(dǎo)致電機(jī)驅(qū)動電源電路中流動較...
雙界面散熱結(jié)構(gòu)IGBT的熱測試方法與結(jié)果分析
為解決上述問題,本文創(chuàng)新性地提出雙界面散熱結(jié)構(gòu)的熱測試方法,對傳統(tǒng)雙界面法進(jìn)行優(yōu)化,分別采用兩種不同的導(dǎo)熱界面材料 A 與 B 對結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線進(jìn)行分離。
IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。
本文以單相橋式逆變電路為例簡單說明一下逆變電路工作原理。 S1~S4是橋式電路的4個臂,由電子器件晶閘管或IGBT及輔助電路組成。
高效節(jié)能電機(jī)與變頻節(jié)能電機(jī)工作原理
高效節(jié)能電機(jī)工作原理: 采用新型電機(jī)設(shè)計、新工藝及新材料,通過降低電磁能、熱能和機(jī)械能的損耗,提高輸出效率。
2023-01-02 標(biāo)簽:逆變器IGBT節(jié)能電機(jī) 2135 0
為什么IGBT和碳中和形成相關(guān)關(guān)系,我認(rèn)為清潔能源的大規(guī)模推廣,對IGBT提出更高的需求,最典型就是光伏逆變器的應(yīng)用,這里面需要大量高壓,超高壓的IGB...
2022-12-27 標(biāo)簽:IGBT 2180 0
承受現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器絕緣能力的最大功率限制
對于IGBT/MOSFET驅(qū)動器電氣過應(yīng)力測試(EOS測試),設(shè)置了一個非常接近真實條件的電路。該電路包括適合功率范圍為5 kW至20 kW的逆變器的電...
在電力電子領(lǐng)域,例如在驅(qū)動技術(shù)中,IGBT經(jīng)常用于高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管是電壓控制的,在開關(guān)過程中產(chǎn)生其主要損耗。為了最大限度地降低開關(guān)損耗...
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