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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT基礎(chǔ)知識(shí)、參數(shù)特性、驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)
IGBT——絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),顧名思義,是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 ...
碳化硅電驅(qū)動(dòng)總成設(shè)計(jì)與測(cè)試
基于進(jìn)一步提升電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計(jì)了一款碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動(dòng)電機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案,并詳細(xì)闡述了碳化硅三...
電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用三種不同的dV/dt控制方法
在電動(dòng)機(jī)控制等部分應(yīng)用中,放緩開(kāi)關(guān)期間的dV/dt非常重要。速度過(guò)快會(huì)導(dǎo)致電動(dòng)機(jī)上出現(xiàn)電壓峰值,從而損壞繞組絕緣層,進(jìn)而縮短電動(dòng)機(jī)壽命。
什么是IGBT的退飽和?什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)?
如下圖,是IGBT產(chǎn)品典型的輸出特性曲線,橫軸是C,E兩端電壓,縱軸是歸一化的集電極電流??梢钥吹絀GBT工作狀態(tài)分為三個(gè)部分。
漏極電流的下降時(shí)間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成,而總的關(guān)斷時(shí)間可以稱為toff=td(off)+trv十t(f),td(off)+trv之...
ACPL-339J是一款先進(jìn)的1.0 A雙輸出,易于使用,智能的手機(jī)IGBT門(mén)驅(qū)動(dòng)光耦合器接口。專(zhuān)為支持而設(shè)計(jì)MOSFET制造商的各種電流評(píng)級(jí),ACPL...
按照國(guó)際通用標(biāo)準(zhǔn),商用空調(diào)是3HP以上空調(diào)機(jī)組的統(tǒng)稱。近年來(lái),變頻空調(diào)技術(shù)已日趨成熟。隨著永磁同步壓縮機(jī)技術(shù)的發(fā)展,壓縮機(jī)的單機(jī)功率呈現(xiàn)增長(zhǎng)趨勢(shì),與之相...
美的電磁爐維修經(jīng)驗(yàn)分享,同步檢測(cè)電路工作原理
現(xiàn)在電磁爐已經(jīng)是家里必備電器之一了,加熱快,使用方便,給我們帶來(lái)很大便利。雖然現(xiàn)在電路集成度高,不易損壞,但由于工作環(huán)境和元器件自然壽命原因,也會(huì)有不少...
斬波是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù),其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制,因其波形如同斬切般整齊、對(duì)稱,故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位,它不僅關(guān)...
青銅劍技術(shù)新一代I型三電平小功率IGBT驅(qū)動(dòng)核2QD0225T12-Q解析
近年來(lái),隨著技術(shù)進(jìn)步和國(guó)家政策支持,我國(guó)新型儲(chǔ)能已逐步在電力輔助服務(wù)、用戶側(cè)電價(jià)管理、新能源消納以及電網(wǎng)輸配電服務(wù)等領(lǐng)域得到應(yīng)用。 為有效降低成本、提升...
2022-11-25 標(biāo)簽:IGBT拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)三電平 6398 0
IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器基礎(chǔ)知識(shí)(一)
大家好,看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的文檔,雖然比較基礎(chǔ),但是概括的比較好,適合電力電子專(zhuān)業(yè)的初學(xué)者,總體內(nèi)容如下。
碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用!
電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加,并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用,包括電動(dòng)汽車(chē)、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深...
在變頻器維修中,有時(shí)候會(huì)碰到變頻器三相電壓不平衡的問(wèn)題,空載時(shí)不報(bào)警,重載時(shí)變頻器會(huì)有輸出缺項(xiàng)報(bào)警,造成這種問(wèn)題如下。
IGBT模塊參數(shù)詳解 車(chē)用IGBT模塊可靠性
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor) 是由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(...
2022-11-16 標(biāo)簽:IGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管雙極結(jié)型晶體管 853 0
聊聊二合一加強(qiáng)版的IGBT以及前身半導(dǎo)體器件
從p型和n型半導(dǎo)體,到最基礎(chǔ)的pn結(jié),到pnp/npn的BJT,到pnpn的晶閘管,再到單極性器件MOSFET,再到最終的IGBT,一步步折中優(yōu)化,使I...
如下圖自舉電路僅僅需要一個(gè)15~18V的電源來(lái)給逆變器的驅(qū)動(dòng)級(jí)提供能量,所有半橋底部IGBT都與這個(gè)電源直接相連,半橋上部IGBT的驅(qū)動(dòng)器通過(guò)電阻Rbo...
深度解析七大汽車(chē)芯片產(chǎn)業(yè)等細(xì)分領(lǐng)域機(jī)遇與挑戰(zhàn)
在車(chē)載鏡頭領(lǐng)域,舜宇光學(xué)(02382.HK)龍頭地位穩(wěn)固,其車(chē)載鏡頭出貨量已連續(xù)9年穩(wěn)居世界第一,2020年市占率32%,與第二名份額拉開(kāi)較大差距。
SiC MOSFET相對(duì)于Si MOSFET和IGBT的優(yōu)勢(shì)
ROHM 具有電流隔離功能的新型晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器 ( BM6112 ) 非常適合應(yīng)對(duì)驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的獨(dú)特挑戰(zhàn)。它可以驅(qū)動(dòng)高達(dá) 20A 的大...
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