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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)和微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,高壓大功率變頻調(diào)速裝置不斷地成熟...
驅(qū)動(dòng)信號(hào)仍然采用處理脈寬調(diào)制器輸出信號(hào)的形式。使得兩路驅(qū)動(dòng)信號(hào)的相位錯(cuò)開(kāi)(有死區(qū)),以防止兩個(gè)開(kāi)關(guān)管同時(shí)導(dǎo)通而產(chǎn)生過(guò)大電流損壞開(kāi)關(guān)管。驅(qū)動(dòng)信號(hào)的中點(diǎn)同樣...
逆變器核心開(kāi)關(guān)器件IGBT的應(yīng)用特點(diǎn)、可靠性
本文研究了逆變器核心開(kāi)關(guān)器件IGBT主要參數(shù)的選擇, 分析三相逆變電路拓?fù)浼肮β势骷蘒GBT的應(yīng)用特點(diǎn),根據(jù)其特點(diǎn)選擇合適額定電壓,額定電流和開(kāi)關(guān)參數(shù)。...
常見(jiàn)的MOSFET以及IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)解析
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu),直流電不能通過(guò),因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和源極之...
2019-07-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT隔離驅(qū)動(dòng) 4940 0
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱(chēng)為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
2019-07-02 標(biāo)簽:電力電子器件IGBT功率半導(dǎo)體器件 1.4萬(wàn) 0
IGBT基本結(jié)構(gòu)和原理_IGBT設(shè)計(jì)關(guān)鍵因素
因?yàn)樽罱ぷ髦斜容^多的涉及到IGBT,所以今天我們來(lái)聊一聊IGBT的設(shè)計(jì)的相關(guān)要點(diǎn),當(dāng)然只是從我們比較關(guān)心的幾點(diǎn)出發(fā),概括性地來(lái)說(shuō)一說(shuō)。而沒(méi)有深入到物理...
IGBT晶體管采用這兩種常見(jiàn)晶體管的最佳部分,即MOSFET的高輸入阻抗和高開(kāi)關(guān)速度利用雙極晶體管的低飽和電壓,將它們組合在一起,產(chǎn)生另一種類(lèi)型的晶體管...
把半橋電路的兩個(gè)橋臂諧振電容改成兩個(gè)IGBT,線(xiàn)圈串聯(lián)一個(gè)揩振電容就構(gòu)成全橋電路,IGBT1和IGBT4以及IGBT2和IGBT3交替工作,從而獲得比較...
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱(chēng)之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...
2019-05-28 標(biāo)簽:IGBT閂鎖效應(yīng) 1.8萬(wàn) 0
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)如何成功可靠地實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶...
2019-05-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 4632 0
ROHM新推基于AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的四款車(chē)載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”
ROHM新推出四款支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
論IGBT與SiC在汽車(chē)功率半導(dǎo)體中的作用
目前,全球新能源汽車(chē)發(fā)展方興未艾,而中國(guó)是一塊重要市場(chǎng),具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>
2019-04-25 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)IGBT 1.1萬(wàn) 0
MOSFET,IGBT和三極管的優(yōu)缺點(diǎn)分析(視頻分析)
設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源要選擇合適的元器件,元器件多種多樣,要如何選,元器件的優(yōu)缺點(diǎn)都是怎么樣的就是本節(jié)課程要跟大家講解的。
2019-04-25 標(biāo)簽:三極管MOSFET開(kāi)關(guān)電源 1.1萬(wàn) 0
現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制
通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 5850 0
變頻器是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過(guò)改變電機(jī)工作電源頻率方式來(lái)控制交流電動(dòng)機(jī)的電力控制設(shè)備。變頻器主要由整流(交流變直流)、濾波、逆變(直流變交流)、...
MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件,因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很,...
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。
2019-01-16 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT 9973 0
米勒效應(yīng)在單電源門(mén)極驅(qū)動(dòng)過(guò)程中非常顯著?;陂T(mén)極G與集電極C之間的耦合,在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt,這樣會(huì)引發(fā)門(mén)極VGE間電壓升高...
2019-02-04 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 4.0萬(wàn) 0
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