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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域,如變頻器、電源、電動(dòng)汽車等。IGBT在工作過程中會(huì)產(chǎn)生大量的熱量,需要通過散熱...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高電壓、大電流、高頻率等特點(diǎn)。然而,在實(shí)際應(yīng)用過程中,IGBT功率管發(fā)熱是...
igbt功率管和場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別和聯(lián)系是什么
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件,它們?cè)谠S多電子設(shè)備中都有廣泛的應(yīng)用。盡管它們?cè)?..
2024-08-07 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT功率管 2034 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)功率管是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的高效、高性能的功率電子器件。在實(shí)際應(yīng)用中,對(duì)IGBT功率管進(jìn)行好壞檢測(cè)是非常重要的,以確...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。在IGB...
電焊機(jī)是指為焊接提供一定特性的電源的電器,使用電能源,將電能瞬間轉(zhuǎn)換為熱能。電焊機(jī)適合在干燥的環(huán)境下工作,不需要太多要求,因體積小巧、操作簡(jiǎn)單、使用方便...
2024-08-07 標(biāo)簽:電源MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 2570 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)緩沖電路在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。其原理和...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)吸收電容的原理是一個(gè)復(fù)雜而重要的概念,它涉及到IGBT...
隨著科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)已成為當(dāng)今電子設(shè)備不可或缺的核心技術(shù)之一。而在眾多半導(dǎo)體器件中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)以其高效、可靠的特性廣泛應(yīng)用于...
2024-08-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率半導(dǎo)體 1850 0
安森美SPM31系列1200V IGBT在三相熱泵的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
熱泵是一種既高效又環(huán)保的供暖方式,其可靠性和實(shí)用性已得到充分驗(yàn)證。它是推動(dòng)全球向可持續(xù)供暖趨勢(shì)發(fā)展的核心力量,運(yùn)行所需的電力具有低排放的特點(diǎn)。在與傳統(tǒng)鍋...
大功率IGBT和SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計(jì)方案
隨著新能源技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)大功率半導(dǎo)體器件的需求日益增加。特別是在可再生能源領(lǐng)域,需要能夠承載巨大電流的功率器件。然而,由于生產(chǎn)成本、技術(shù)難度以及市場(chǎng)...
利用SLC技術(shù)改善熱導(dǎo)率,增強(qiáng)IGBT模塊功率密度
第七代工業(yè)IGBT模塊已成功開發(fā)用于650V和1200V級(jí),以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統(tǒng)要求。與低損耗第七代芯片組結(jié)合的SLC技...
首先,根據(jù)整車的路譜數(shù)據(jù)來計(jì)算電流、功率因數(shù)等參數(shù),同時(shí)要考慮到冷卻水的流量和溫度。 接著,利用這些參數(shù)結(jié)合IGBT的熱特性,可以計(jì)算出時(shí)域上的溫度分布...
IGBT功率模塊結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖: IGBT的失效形式及其機(jī)理主要包含以下兩種: 芯片頂部鋁鍵合線的開裂和翹起。 這種現(xiàn)象是由于電流在導(dǎo)線中流動(dòng)產(chǎn)生熱量,進(jìn)而引...
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為電力電子領(lǐng)域中至關(guān)重要的元件,其關(guān)斷過程的分析對(duì)于理解其性能和應(yīng)用至關(guān)重要。IGBT結(jié)合了雙極型晶體管(BJT)和場(chǎng)效...
為什么IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)在電力電子領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用,如變頻器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力傳輸?shù)?。在這些應(yīng)用中,IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷特性至關(guān)重要,而退飽和現(xiàn)象...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的開關(guān)過程是其作為電力電子器件核心功能的重要組成部分,直接決定了電力變換系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。以下是對(duì)IGBT開關(guān)過...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)功率模塊作為電力電子系統(tǒng)中的核心部件,其散熱問題直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和效率。以下是對(duì)IGBT功率模塊散熱問題的詳...
IGBT關(guān)斷尖峰電壓產(chǎn)生原理 IGBT有源鉗位電路原理分析
在光伏逆變器等大功率應(yīng)用場(chǎng)合,主電路(直流電容到IGBT模塊間)存在較大雜散電感(幾十到數(shù)百nH)。IGBT關(guān)斷時(shí),集電極電流下降率較高,即存在較高的d...
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