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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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Power Integrations推出具有快速短路保護(hù)功能的門極驅(qū)動(dòng)器
PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器,新驅(qū)動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊
Power Integrations推出具有快速短路保護(hù)功能的適配62mm SiC和IGBT模塊的門極驅(qū)動(dòng)器
深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)今日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動(dòng)...
2023-12-14 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBTSiC 917 0
碳化硅(SiC)技術(shù)在伺服器領(lǐng)域的潛力
正在被廣泛使用的伺服技術(shù)使60年代的自動(dòng)化工程師羨慕無比。這種體積小、精確且完全電動(dòng)的技術(shù)反映了我們現(xiàn)在可以使用的半導(dǎo)體控制、傳感器和電力技術(shù)的緊湊性。...
翠展微電子三期項(xiàng)目封頂,為明年發(fā)展做好準(zhǔn)備
翠展微電子作為IGBT行業(yè)新銳力量,近年來發(fā)展極其迅速。2020年成立于嘉善,當(dāng)年即部署封測生產(chǎn)線;2022年搬進(jìn)二期園區(qū);2023年啟動(dòng)并成功封頂三期工程。
總投資4.63億元!廣汽集團(tuán)旗下廣州青藍(lán)IGBT正式投產(chǎn)
該項(xiàng)目計(jì)劃總投資4.63億元,主要圍繞新能源汽車自主IGBT領(lǐng)域開展技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,是華南地區(qū)首個(gè)新能源汽車自主IGBT投資項(xiàng)目。一期規(guī)劃產(chǎn)能為年...
擴(kuò)展 IGBT7 產(chǎn)品組合,實(shí)現(xiàn)bast-in-Class功率密度
我們已經(jīng)介紹過關(guān)于采用標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝的1200VTRENCHSTOPIGBT7S7加EC7二極管續(xù)流產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)。秉承"越多越好"...
廣汽集團(tuán)旗下廣州青藍(lán)IGBT項(xiàng)目投產(chǎn)
廣州青藍(lán)由廣汽部件與株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體共同投資成立,項(xiàng)目計(jì)劃總投資4.63億元,主要圍繞新能源汽車自主IGBT領(lǐng)域開展技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。一期規(guī)劃產(chǎn)能...
碳化硅和igbt的區(qū)別? 碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)都是在電子領(lǐng)域中常見的器件。雖然它們都用于功率電子應(yīng)用,但在結(jié)構(gòu)、材料、性能和...
igbt與mos管的區(qū)別? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)和MOS管(Metal-Oxide-Semic...
可控硅和igbt區(qū)別? 可控硅和IGBT是現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中常用的兩種功率半導(dǎo)體器件。雖然兩者都能在電力控制和轉(zhuǎn)換中發(fā)揮重要作用,但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理...
2023-12-07 標(biāo)簽:可控硅IGBT功率半導(dǎo)體 1.1萬 0
igbt的作用和功能? IGBT,即絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),是一種用于功率電子器件中的...
應(yīng)用在大功率驅(qū)動(dòng)器中的IGBT晶圓
功率器件驅(qū)動(dòng)器是電力電子系統(tǒng)的低壓信號(hào)控制電路和高壓主電路之間的接口,是功率器件應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)與難點(diǎn)之一。
JSAB瑞出應(yīng)用于乘用車電驅(qū)的750V-340A IGBT
產(chǎn)品特點(diǎn) ● 第7代溝槽-場截止設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)更低的VCE(sat) ● 低開關(guān)損耗 ● 最高結(jié)溫175℃ ● 采用Si3N4絕緣襯...
2023-12-07 標(biāo)簽:IGBT伺服驅(qū)動(dòng)工業(yè)電機(jī) 1034 0
從品牌來看,哈弗品牌11月銷量為75,012輛,同比增長39.11%;今年的屢次銷量為649,610輛,同比增長13.52%。wey品牌11月份銷量為2...
季豐電子新增功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測試方法
季豐電子ATE實(shí)驗(yàn)室最新引進(jìn)了兩臺(tái)雙脈沖測試儀DPT1000A和Edison,分別覆蓋功率單管和模塊。
一輛汽車需要的芯片種類至少有40種,主要可分為功能芯片、功率半導(dǎo)體和傳感器,包括自動(dòng)駕駛AI芯片、MCU、IGBT功率器件以及用于自動(dòng)駕駛感知系統(tǒng)的一系列芯片。
汽車半導(dǎo)體供需發(fā)生改變,碳化硅是否隨著更改?
汽車一直是碳化硅(SiC)的主要應(yīng)用市場。在整個(gè)汽車半導(dǎo)體供需發(fā)生改變的情況下,碳化硅是否還會(huì)延續(xù)此前供不應(yīng)求的市場行情?
新能源汽車逆變壓器之核芯——IGBT工作原理動(dòng)圖
MOS管有NPN型和PNP型,被稱為N溝道MOS管和P溝道MOS管。和二極管相同,MOS管的N部分、P部分交界處也會(huì)產(chǎn)生內(nèi)電場,阻止電子擴(kuò)散,此時(shí)沒有電流。
中國大陸企業(yè)轉(zhuǎn)向12英寸晶圓和IGBT晶體管
士蘭微、華潤微等公司已經(jīng)開始批量生產(chǎn)igbt, igbt事業(yè)正在迅速成長。聞泰科技還在進(jìn)軍igbt領(lǐng)域。特別是從2023年1月開始到7月為止,共17件i...
SiC MOS 、IGBT和超結(jié)MOS對(duì)比
在經(jīng)過多年的技術(shù)積累后,硅碳化物 (SiC) MOSFET因其強(qiáng)大的擊穿場和較低的損耗特性,逐漸受到工程師們的熱烈追捧。目前,它們主要用于以絕緣柵雙極晶...
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