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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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逆變焊機新時代:碳化硅(SiC)技術(shù)開啟高效節(jié)能新篇章
在工業(yè)制造領(lǐng)域,焊接設(shè)備是核心生產(chǎn)力工具之一,其效率與能耗直接影響生產(chǎn)成本和環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。傳統(tǒng)焊機多采用IGBT(絕緣柵雙極晶體管)技術(shù),但在高頻應(yīng)用場景下...
部分外資廠商IGBT模塊失效報告作假對中國功率模塊市場的深遠(yuǎn)影響
部分IGBT模塊廠商失效報告作假的根本原因及其對中國功率模塊市場的深遠(yuǎn)影響,可以從技術(shù)、商業(yè)、行業(yè)競爭等多維度分析,并結(jié)合中國功率模塊市場的動態(tài)變化進行...
大功率IGBT模塊你了解多少?結(jié)構(gòu)特性是什么?主要應(yīng)用在哪里?
一、核心定義與結(jié)構(gòu)特性 大功率IGBT模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)為核心,集成續(xù)流二極管(FWD)的復(fù)合功率器件,通過多層封裝技術(shù)實現(xiàn)高電壓、...
大功率IGBT模塊/在線測試/檢修/失效分析IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀SC5016
IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀SC5016 一、產(chǎn)品技術(shù)概述 SC5016是面向第三代半導(dǎo)體測試需求開發(fā)的高精度自動化測試平臺,采用專利型多級程控電源架構(gòu),實現(xiàn)...
電機控制器是電動汽車及工業(yè)驅(qū)動系統(tǒng)的核心部件,負(fù)責(zé)將動力電池的直流電轉(zhuǎn)換為驅(qū)動電機所需的三相交流電,并精確控制電機的轉(zhuǎn)速、轉(zhuǎn)矩及運行狀態(tài)。其主要由殼體、...
國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性
國產(chǎn)SiC模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級代理傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率...
新品 | 儲能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK? 3B模塊
新品儲能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊,采用EasyPACK3B封裝和最新開發(fā)的...
IGBT的靜態(tài)參數(shù)有哪些?怎樣去精確測量這些參數(shù)呢?
IGBT靜態(tài)參數(shù)是評估其正常工作狀態(tài)下電學(xué)特性的關(guān)鍵指標(biāo),主要包含以下核心參數(shù)及定義: 一、基本靜態(tài)參數(shù) ? 柵極-發(fā)射極閾值電壓(VGE(th)) ?...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種復(fù)合型功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了?雙極型晶體管(BJT)?和?絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET)?的技術(shù)優(yōu)勢,廣泛應(yīng)用于高...
浮思特 | 從IGBT到超結(jié)MOSFET:超結(jié)MOSFET成冰箱變頻技術(shù)新寵
目前全球每年銷售約2.2億臺冰箱和冰柜,2024年市場規(guī)模約為750億美元。預(yù)計該市場將以6.27%的年復(fù)合增長率持續(xù)增長,到2032年將達到約1200...
上海貝嶺獲評2025中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)十大創(chuàng)新成果
上海貝嶺是國內(nèi)早期布局汽車發(fā)動機點火IGBT研發(fā)的企業(yè),整體方案成熟、多樣。如圖2所示,在預(yù)驅(qū)上,我們可以提供分立、集成等方案;在核心功率器件IGBT上...
什么是IGBT?IGBT的靜態(tài)參數(shù)和動態(tài)參數(shù)分別是什么?
IGBT(?Insulated Gate Bipolar Transistor?,絕緣柵雙極型晶體管)是一種復(fù)合型功率半導(dǎo)體器件,由?雙極型三極管(BJ...
聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)IGBT驅(qū)動能效升級
隨著新能源汽車、工業(yè)自動化、可再生能源的快速發(fā)展,IGBT的市場需求持續(xù)增長。聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)積極布局IGBT領(lǐng)域,迎接廣闊發(fā)展機遇,為未來增長提供動力。
新品 | EasyDUAL? 1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊
新品EasyDUAL1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊EasyDUAL1B,2B1200V共發(fā)射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7...
在光儲逆變器這一核心系統(tǒng)中,功率器件堪稱電能高效轉(zhuǎn)換與精準(zhǔn)控制的“核心樞紐”,其性能表現(xiàn)直接決定了光儲系統(tǒng)的整體效能、運行穩(wěn)定性以及經(jīng)濟性。隨著全球能源...
第二十一屆上海國際汽車工業(yè)展覽會于2025年4月23日至5月2日在上海國家會展中心舉辦。作為全球汽車行業(yè)技術(shù)與市場的重要風(fēng)向標(biāo),本屆車展吸引了眾多行業(yè)巨...
新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應(yīng)用的新功率模塊
近日,英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊,旨在提升電動汽車及工業(yè)應(yīng)用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失,還能在極端環(huán)...
技術(shù)驅(qū)動未來:2QD30A17K-I-xx雙通道IGBT驅(qū)動核深度解析
技術(shù)驅(qū)動未來:2QD30A17K-I-xx雙通道IGBT驅(qū)動核深度解析 在電力電子領(lǐng)域,IGBT驅(qū)動器的性能直接決定了系統(tǒng)效率、可靠性與安全性?;景雽?dǎo)...
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