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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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BMF240R12E2G3在高速風機水泵變頻器應用中輕載時的效率優(yōu)勢
在高速風機水泵變頻器中,輕載(低負載)工況是常見的運行場景,尤其是在系統(tǒng)處于部分負載調(diào)節(jié)、待機或低流量需求時。碳化硅(SiC)功率模塊(如BMF240R...
新品 | CIPOS? Mini IPM 600V 15A 20A 30A TRENCHSTOP? IGBT 7
新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等級中提供...
2025-04-01 標簽:IGBTIPM三相電機驅(qū)動 391 0
IGBT高溫漏電流和電壓阻斷能力固有缺陷是其被淘汰的根本原因
IGBT的高溫漏電流與電壓阻斷能力固有缺陷是其被新一代電力電子設備加速淘汰的根本原因 一、IGBT的高溫漏電流與電壓阻斷能力固有缺陷的本質(zhì) 材料物理特性...
從IGBT模塊大規(guī)模失效爆雷看國產(chǎn)SiC模塊可靠性實驗的重要性
深度分析:從IGBT模塊可靠性問題看國產(chǎn)SiC模塊可靠性實驗的重要性 某廠商IGBT模塊曾因可靠性問題導致國內(nèi)光伏逆變器廠商損失數(shù)億元,這一案例凸顯了功...
中國電力電子客戶逐漸擺脫對國外IGBT模塊(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC功率模塊供應商的依賴,轉(zhuǎn)向國產(chǎn)替代產(chǎn)品IGBT模塊和SiC模塊,這一轉(zhuǎn)變是技術、...
英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊價格戰(zhàn)策略的本質(zhì)與深層危機分析
英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊大幅度降價策略的本質(zhì)與深層危機分析 英飛凌、富士等外資品牌IGBT模塊在中國市場掀起了降價超過30%的IGBT模塊價格...
中國電力電子廠商創(chuàng)新之路:采用國產(chǎn)SiC模塊全面取代進口IGBT模塊
國產(chǎn)碳化硅(SiC)模塊取代進口IGBT模塊,是當前電力電子系統(tǒng)創(chuàng)新升級的核心路徑。這一趨勢不僅是技術迭代的必然結(jié)果,更是政策引導、供應鏈安全需求與產(chǎn)業(yè)...
國產(chǎn)SiC模塊如何應對25年英飛凌富士IGBT模塊瘋狂的價格絞殺戰(zhàn)
進入2025年伊始,外資品牌IGBT模塊比如英飛凌,富士等大幅度降價超過30%來絞殺國產(chǎn)功率模塊,面對外資功率模的瘋狂價格絞殺,國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊...
SC5016大功率IGBT測試系統(tǒng) 第三代半導體靜態(tài)參數(shù)檢測設備
SC5016大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是專為?碳化硅(SiC)/氮化鎵(GaN)功率器件?設計的全自動檢測平臺,支持±5000V/2000A(可擴展...
2025-03-13 標簽:大功率測試系統(tǒng)IGBT 266 0
碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A
碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動汽車、可再生能源、高頻電源等領域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,隨著國產(chǎn)碳化硅MOSFET技...
揚杰科技聯(lián)合舉辦SiC和IGBT功率產(chǎn)品合作交流會
近日,由揚州市集成電路產(chǎn)業(yè)鏈、揚州揚杰電子科技股份有限公司聯(lián)合舉辦的“揚帆起航 共贏未來”SiC、IGBT功率產(chǎn)品合作交流會在揚州隆重舉行。
2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應用中全面替代IGBT的元年
2025年被廣泛視為碳化硅(SiC)器件在電力電子應用中全面替代IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的元年,在于國產(chǎn)SiC(碳化硅)單管和模塊價格首次低于進口...
見證功率半導體歷史:SiC碳化硅MOSFET價格首次低于IGBT!
進入2025年以來,全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價格開始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象,比行業(yè)認知提前十幾年見證功率半導體歷史拐點:SiC碳化硅MOSFE...
電力電子產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)“換道超車”的戰(zhàn)略選擇:國產(chǎn)SiC模塊取代進口IGBT模塊
國產(chǎn)SiC(碳化硅)功率模塊全面取代進口IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊的趨勢,既是技術迭代的必然結(jié)果,也是中國電力電子產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)“換道超車”的戰(zhàn)略選擇。
逆變器應用中國產(chǎn)SiC單管替代進口IGBT單管損耗計算對比
國產(chǎn)SiC單管替代進口IGBT單管在125kW儲能變流器逆變損耗計算對比以及國產(chǎn)SiC單管替代進口IGBT單管趨勢分析: 一、關鍵參數(shù)提取與對比 以下為...
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