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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGCT(集成門極換流晶閘管)和IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是廣泛應(yīng)用于電力電子和電力傳輸?shù)陌雽?dǎo)體器件。雖然它們的用途相似,但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面...
2023-11-09 標(biāo)簽:IGBTIGCT功率半導(dǎo)體 4215 0
什么是igbt短路測(cè)試?igbt短路測(cè)試平臺(tái)
什么是igbt短路測(cè)試?igbt短路測(cè)試平臺(tái)? IGBT短路測(cè)試是針對(duì)晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor...
功率器件分為泛材類器件與IGBT器件兩類,IGBT器件是開(kāi)關(guān)器件,優(yōu)勢(shì)在于體積小、壽命長(zhǎng)、可靠性高,現(xiàn)在市場(chǎng)上使用程度最大的是第4代器件,全球龍頭企業(yè)為...
功率半導(dǎo)體,作為現(xiàn)代電子領(lǐng)域的關(guān)鍵組成部分,扮演著將電能轉(zhuǎn)化、控制和分配到各種設(shè)備的重要角色。專門設(shè)計(jì)用于處理高功率電信號(hào)和控制電力流動(dòng)的半導(dǎo)體器件,與...
2023-11-06 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體二級(jí)管 3879 0
文章轉(zhuǎn)自:屹立芯創(chuàng)公眾號(hào) IGBT技術(shù)發(fā)展趨勢(shì) (1)高功率密度 電力電子產(chǎn)品其實(shí)有一個(gè)使命,就是不斷地去減少損耗,不斷地去提升功率密度。要實(shí)現(xiàn)高功率密...
功率補(bǔ)償?shù)淖饔??如何進(jìn)行功率補(bǔ)償?shù)那袚Q呢?
功率補(bǔ)償?shù)淖饔??如何進(jìn)行功率補(bǔ)償?shù)那袚Q呢? 一、功率補(bǔ)償?shù)淖饔?當(dāng)負(fù)載變化引起發(fā)電機(jī)的電壓和頻率的波動(dòng)時(shí),功率補(bǔ)償就是為了保證電網(wǎng)的穩(wěn)定運(yùn)行。功率補(bǔ)償?shù)?..
英飛凌科技TRENSTOP? IGBT7 1200V系列榮膺2023年Aspencore電子成就獎(jiǎng)
11月2日,英飛凌科技的TRENSTOPIGBT71200V系列憑借其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,榮獲2023年Aspencore電子成就獎(jiǎng)(World...
智新半導(dǎo)體有限公司是東風(fēng)公司與中國(guó)中車2019年在武漢成立的,智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目基于東風(fēng)集團(tuán)“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺(tái),項(xiàng)目于2021年進(jìn)...
清華大學(xué)李兆麟:車規(guī)級(jí)MCU以及IGBT依然是汽車芯片短缺的主角
縱觀整個(gè)國(guó)際市場(chǎng),歐美日企業(yè)長(zhǎng)期占據(jù)汽車使能芯片(按照李兆麟的劃分,汽車使能芯片主要包括計(jì)算、控制、存儲(chǔ)等控制芯片)的技術(shù)制高點(diǎn)。經(jīng)過(guò)近幾年的發(fā)展,我國(guó)...
士蘭微:IGBT當(dāng)前產(chǎn)出1.5萬(wàn)片/月,新能源產(chǎn)品月銷售額近1億元
2023年前的第三季度,士蘭微實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入達(dá)到68.99億元,同比增長(zhǎng)10.49%。歸屬上市公司股東的凈利潤(rùn)虧損約1.89億元人民幣,比上年同期減少12...
中芯集成:正對(duì)IGBT產(chǎn)品進(jìn)行新舊換代
據(jù)介紹,目前中芯集成8英寸硅基礎(chǔ)產(chǎn)能仍保持在每月17萬(wàn)個(gè)。12英寸晶片加工技術(shù)和產(chǎn)品也在不斷驗(yàn)證中,生產(chǎn)能力也在不斷提高。同時(shí),公司將根據(jù)市場(chǎng)需求及時(shí)擴(kuò)大生產(chǎn)。
本文將詳細(xì)介紹各大主機(jī)廠在SIC/IGBT模塊上的布局,以及現(xiàn)在的產(chǎn)能應(yīng)用情況等,探討車企大規(guī)模進(jìn)入功率半導(dǎo)體行業(yè)背后的原因,助力車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的...
2023-11-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車新能源汽車IGBT 1267 0
這是納米碳化硅模塊燒結(jié)工藝,使用銅鍵合技術(shù),高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板,熱電阻現(xiàn)有工程相比改善了10%以上,工作溫度可達(dá)175...
激烈競(jìng)爭(zhēng)市場(chǎng)車企的SIC/IGBT模塊布局介紹
?當(dāng)前電動(dòng)汽車的發(fā)展速度有目共睹,據(jù)高盛研究公司發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,到2023年,電動(dòng)汽車銷量將占全球汽車銷量的10%;到2030年,這一數(shù)據(jù)預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)至3...
2023-10-31 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車模塊IGBT 4380 0
功率半導(dǎo)體的應(yīng)用使風(fēng)力發(fā)電機(jī)更加可靠、高效。通過(guò)這些半導(dǎo)體器件,風(fēng)力發(fā)電站能夠適應(yīng)不斷變化的風(fēng)速,實(shí)現(xiàn)電力平穩(wěn)輸出。此外,它們還提高了電力轉(zhuǎn)換效率,減少...
2023-10-30 標(biāo)簽:IGBT發(fā)電功率半導(dǎo)體 1150 0
國(guó)內(nèi)供需不平衡局面可能會(huì)持續(xù)到2025年,因?yàn)槟壳暗男略霎a(chǎn)能仍無(wú)法滿足下游需求。但隨著國(guó)內(nèi)制造商的努力,這一情況預(yù)計(jì)將逐漸改善。盡管當(dāng)前供應(yīng)短缺問(wèn)題依然...
2023-10-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 1134 0
新能源汽車是功率器件增量需求的主要來(lái)源,其中增量較大的主要是IGBT模塊、SiC模塊、MOSFET和GaN產(chǎn)品。這些新增功率器件主要用于主驅(qū)逆變器、車載...
傳統(tǒng)的功率模塊基本結(jié)構(gòu)分層圖來(lái)說(shuō)說(shuō)其構(gòu)成:可見(jiàn),我們前面聊的很多的半導(dǎo)體芯片,只是功率模塊中的一部分,除此之外還包括其他的成分。而這些成分的選擇和搭配,...
激光焊錫技術(shù)在IGBT引腳模塊焊接的應(yīng)用
IGBT模塊是由IGBT芯片(絕緣柵雙極型晶體管)和FWD芯片(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。因其具備節(jié)能、安裝維修方便、...
總投資10個(gè)億!簽約!年產(chǎn)六萬(wàn)顆,正齊半導(dǎo)體落地
馬來(lái)西亞正齊集團(tuán)CEO胡光榮表示,非常榮幸能夠在杭州蕭山建設(shè)第三代半導(dǎo)體模塊封裝工廠,這是我們集團(tuán)響應(yīng)全球‘雙碳’目標(biāo)和‘自主可控’戰(zhàn)略的重要舉措。我們...
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