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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1248人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3071個 瀏覽：254558次 帖子：483個

      igbt資訊

      數(shù)明半導體高壓、高速MOSFET/IGBT 驅(qū)動器通過AEC-Q100認證

      為滿足汽車市場對產(chǎn)品可靠性和安全性的需求，數(shù)明半導體近期推出車規(guī)級高壓、高速MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片SiLM21814-AQ，該產(chǎn)品通過AEC-Q...

      2023-06-27 標簽：驅(qū)動器IGBT數(shù)明半導體 1212 0

      中國車企下決“芯” 功率半導體全布局

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      無獨有偶，在車規(guī)級功率半導體領(lǐng)域布局的車企不止吉利一家。近日，深藍汽車與斯達半導體達成合作，雙方組建了一家名為 " 重慶安達半導體有限公司 &...

      2023-06-25 標簽：半導體IGBT功率半導體 1107 0

      半導體功率器件研發(fā)企業(yè)北一半導體完成超1.5億元B輪融資

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      公司團隊由來自國內(nèi)外知名半導體企業(yè)的成員組成，公司擁有經(jīng)驗豐富且具有創(chuàng)新能力的國際型人才隊伍，團隊核心成員從事半導體功率器件設(shè)計和工藝開發(fā)20余年，擁有...

      2023-06-25 標簽：半導體IGBT功率器件 838 0

      2023年中國新型功率半導體器件（IGBT）產(chǎn)業(yè)鏈上中下游市場分析

      2023年中國新型功率半導體器件（IGBT）產(chǎn)業(yè)鏈上中下游市場分析

      IGBT作為一種新型功率半導體器件，是工業(yè)控制及自動化領(lǐng)域的核心元器件，其作用類似于人類的心臟，能夠根據(jù)裝置中的信號指令來調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、...

      2023-06-25 標簽：半導體IGBT器件 3089 0

      IGBT及第三代半導體功率器件技術(shù)與應用

      IGBT技術(shù)在功率密度、工作頻率、損耗控制等方面不斷創(chuàng)新。新一代IGBT產(chǎn)品在提高開關(guān)速度、降低開關(guān)損耗、增強耐壓能力等方面取得了顯著進展，提高了系統(tǒng)效...

      2023-06-21 標簽：IGBT功率器件 1991 0

      整體IGBT國產(chǎn)化率已提升至約30%-35%

      值得注意的是，國內(nèi)在IGBT制造工藝水平，模塊封裝的散熱效率上與國外英飛凌等廠商存在一定差距。

      2023-06-20 標簽：IGBT 614 0

      士蘭微電子推出高性能汽車驅(qū)動模塊—600A/1200V IGBT模塊

      隨著人們對環(huán)保意識的提高和汽車駕駛體驗感的不斷追求，新能源汽車的市場需求逐漸增大，已然成為汽車發(fā)展的大趨勢，但是新能源汽車充電時間長、續(xù)航里程短等問題仍...

      2023-06-20 標簽：士蘭微電子IGBT驅(qū)動模塊 1687 0

      七張圖看懂IGBT

      七張圖看懂IGBT

      功率半導體是半導體行業(yè)的細分領(lǐng)域，雖不像集成電路一樣被大眾熟知，但其重要性不可忽視。IGBT是功率半導體的一種，作為電子電力裝置和系統(tǒng)中的“CPU”，高...

      2023-06-15 標簽：半導體IGBT 2610 0

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      它針對工業(yè)應用進行了優(yōu)化，例如供暖通風空調(diào)（HVAC），風扇電機，泵和電機驅(qū)動器的功率因數(shù)校正。采用先進的電機控制引擎 （MCE），無需任何編碼即可實現(xiàn)...

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      2023-06-13 標簽：新能源IGBT 2048 0

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      改用 1700V MOSFET 后，SiC 技術(shù)的功率轉(zhuǎn)換優(yōu)勢已經(jīng)擴展到電動商用和重型車輛以 及輕軌牽引和輔助動力領(lǐng)域。這類器件支持現(xiàn)今和未來的汽車動力...

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      持續(xù)缺貨的IGBT國產(chǎn)替代有哪些？

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      新品 | 120-200A 750V EDT2工業(yè)級分立IGBT，采用TO-247PLUS SMD封裝

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      新品120-200A750VEDT2工業(yè)級分立IGBT120-200A750VEDT2工業(yè)級分立IGBT，采用可回流焊，電阻焊的TO-247PLUSSM...

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      激光退火工藝在IGBT制造中的應用

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      激光退火是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT背面工藝的重要步驟。對離子注入后的硅基IGBT圓片背面進行激光快速退火，實現(xiàn)激活深度，有效修復離子注入破壞的晶格結(jié)...

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        +關(guān)注
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      • 光立方
        光立方
        +關(guān)注
        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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        STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應用專門設(shè)計的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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        +關(guān)注
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        TMS320F28335
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        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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