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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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封裝結構的創(chuàng)新使得雙面散熱(double-sided cooling, DSC)功率模塊比傳統(tǒng)單面散熱(single-sided cooling, SS...
2023年2月26日上午,上海林眾電子科技有限公司智能質(zhì)造中心項目基地開工儀式隆重舉行。林眾電子本次建設的智能質(zhì)造中心項目位于上海市松江區(qū),土建投資3....
超聲波焊接電源系統(tǒng)發(fā)生器采用新型的復合頻率跟蹤策略,實現(xiàn)逆變輸出功率因數(shù)接近為1,以IGBT功率器件構成的全橋移相功率控制方式,超聲波焊接電源系統(tǒng)發(fā)生器...
近年全球IGBT業(yè)者產(chǎn)能增長情況,依中國與國際業(yè)者分為兩個階段,2021~2023年由中國業(yè)者主導,在IGBT芯片自給率低,急需國產(chǎn)替代的趨勢下。
翠展微電子全面加強體系建設 筑牢高質(zhì)量發(fā)展基石
? 翠展微電子 全面加強體系建設; 繼往開來?開拓進取?奮勇爭先 ? ? ? 據(jù)DIGITIMES Research統(tǒng)計與分析,2022年IGBT因電動...
上能電氣+安森美聯(lián)合實驗室揭牌圍繞半導體器件應用展開高水平合作
2月22日,上能電氣與安森美半導體(onsemi)聯(lián)合實驗室揭牌成立。安森美亞太區(qū)高級副總裁David Chow、中國區(qū)銷售副總裁Roy Chia,上能...
IGBT是什么材料 IGBT的主要材料有外部為封裝用的陶瓷;內(nèi)部件是銀絲、黃金鍍膜和透明硅膠等。IGBT是絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)...
2023-02-22 標簽:IGBT 6882 0
賽晶打造精品國產(chǎn)IGBT模塊,國產(chǎn)代替進口的進程加速
1700V是IGBT的主流電壓等級之一,廣泛應用于風力發(fā)電、無功補償(SVG)、智能電網(wǎng),以及中高壓變頻器等領域。
國產(chǎn)功率器件供應商無錫新潔能榮獲寧波德業(yè)年度“戰(zhàn)略供應商”稱號
近日,無錫新潔能榮獲重要客戶寧波德業(yè)年度“戰(zhàn)略供應商”稱號。 在過去的一年中,新潔能憑借優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量、先進的產(chǎn)品技術水平、穩(wěn)定的產(chǎn)能和交付周期與寧波德...
車規(guī)功率器件量價齊升市場規(guī)模已超過1000億元
按技術特點與功能的不同,功率半導體器件可以分為二極管、晶閘管、晶體管等產(chǎn)品。其中,晶體管包含BJT、MOSFET、IGBT等熱門品線,總體占比超過70%...
什么是IGBT IPM(Intelligent Power Module)?
本文的關鍵要點?IPM是“Intelligent Power Module”的縮寫,IPM是集成了IGBT、MOSFET等元器件單體(分立產(chǎn)品)與驅(qū)動電...
IGBT單管是一種N溝道增強絕緣柵雙極晶體管結構,N+區(qū)稱為源極區(qū),連接到其上的電極稱為源極區(qū)。P+區(qū)域稱為漏極區(qū)。器件的控制區(qū)域是柵極區(qū)域,連接到...
通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性-什么是雙脈沖測試?
我們開設了Si功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性”中,我們將通過雙脈沖測試來評估MOSFET體二極管的反...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由(Bipolar Junction Transi...
ROHM獨有的超級結MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS,運用ROHM獨創(chuàng)的Lifetime控制技術優(yōu)勢,實現(xiàn)了極快*的反向恢復時間(trr),非常有助于...
2021 ~ 2027年IGBT全球市場規(guī)模CAGR將達7%
絕緣閘雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor;IGBT)受益于新能源與碳中和發(fā)展趨勢,2021~2027年市場規(guī)...
按照器件結構,分為二極管、功率晶體管、晶閘管等,其中功率晶體管分為雙極性結型晶體管(BJT)、結型場效應晶體管(JFET)、金屬氧化物場效應晶體管(MO...
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