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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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近幾年來,電動(dòng)汽車、電化學(xué)儲(chǔ)能、以及光伏和風(fēng)電等新能源市場的快速發(fā)展,市場對功率器件的需求量大增,特別是電動(dòng)汽車的興起,讓IGBT常年處于供應(yīng)緊張狀態(tài),...
華潤微電子亮相2022中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)
中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(簡稱“2022智博會(huì)”在重慶國際博覽中心如期舉行,是重慶市舉辦的第五屆智博會(huì)。2022智博會(huì)延續(xù)“智能化:為經(jīng)濟(jì)賦能,為生活添彩...
了解一下AlSiC作為IGBT的底板還有哪些優(yōu)點(diǎn)
IGBT模塊中的底板發(fā)揮著形成導(dǎo)熱通道、保證導(dǎo)熱性能、增強(qiáng)模塊機(jī)械性能的作用。底板材料一般用銅或者鋁基碳化硅(AlSiC)。
2022-08-31 標(biāo)簽:散熱器IGBT功率半導(dǎo)體 4999 0
適用于IGBT驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的2W DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出電壓引腳
MINMAX MAEU02-HI 系列是全新系列的隔離式 2W DC-DC 轉(zhuǎn)換器模塊,采用 SIP-7 封裝,具有額定 5700VDC 的高 I/O ...
2022-08-29 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器DC-DC轉(zhuǎn)換器IGBT 705 0
絕緣柵雙極晶體管,簡稱IGBT,是雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的組合,一種用于開關(guān)相關(guān)應(yīng)用的半導(dǎo)體器件。
800V系統(tǒng)將重構(gòu)電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)鏈,這些技術(shù)和產(chǎn)品最受益?
汽車電動(dòng)化趨勢正在不斷加快。過去兩年,受疫情和芯片短缺影響,全球汽車市場整體表現(xiàn)不佳,但新能源車卻一枝獨(dú)秀,延續(xù)這幾年的強(qiáng)勁增長勢頭,2021年實(shí)現(xiàn)銷量...
2022-08-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT碳化硅 2636 0
華潤微可提供全套功率器件解決方案 滿足細(xì)分應(yīng)用的需求
隨著國家“雙碳”目標(biāo)政策(即“2030 碳達(dá)峰,2060 碳中和”)的出臺(tái)以及碳中和政策正在從全球共識(shí)向全球行動(dòng)推進(jìn),新能源行業(yè)(如新能源汽車,光伏及儲(chǔ)...
TMC車規(guī)級(jí)SiC功率模塊基礎(chǔ)知識(shí)小結(jié)
碳化硅的市場需求(市值而不是數(shù)量)未來幾年會(huì)有一個(gè)非??焖俚脑鲩L,碳化硅貴很多,硅基器件不會(huì)那么快退出市場。碳化硅和800V是比較好的組合,但并不是一對...
IGBT模塊的集電極電流增大時(shí),VCE(-)上升,所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí),開關(guān)損耗增大,原件發(fā)熱加劇。因此,根據(jù)額定損耗,開關(guān)損耗所產(chǎn)生的熱量,控...
事實(shí)上IGBT的結(jié)構(gòu)與MOSFET十分接近,只是在其背面增加了N+和P+層,“+”意味著更高的自由電子或者空穴密度。從而IGBT在保留MOSFET優(yōu)點(diǎn)的...
國內(nèi)廠商未來2年在IGBT的中高端市場將實(shí)現(xiàn)新突破
新能源汽車熱度居高不下。近日,工信部總工程師田玉龍?jiān)趪罗k發(fā)布會(huì)上表示,今年以來,中國新能源汽車產(chǎn)業(yè)克服疫情多點(diǎn)散發(fā)等重重困難,實(shí)現(xiàn)了平穩(wěn)快速發(fā)展。上半...
IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N一層...
現(xiàn)在主流400V架構(gòu)中,電驅(qū)動(dòng)的功率管主要采用IGBT器件,但I(xiàn)GBT耐壓值通常不高于650V,基本不能用于800V架構(gòu)。即便采用超級(jí)結(jié)工藝的高耐壓IG...
2022-08-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT產(chǎn)業(yè)鏈 5954 0
IGBT芯片經(jīng)歷了一系列的迭代過程從PT技術(shù)向NPT技術(shù),再到現(xiàn)在FS技術(shù)的升級(jí),使芯片變薄,降低了熱阻,并提升了Tj。IEGT、CSTBT和MPT的引...
國產(chǎn)車用IGBT迎來重大發(fā)展機(jī)遇
根據(jù)相關(guān)報(bào)道,此次英飛凌IGBT產(chǎn)品瑕疵問題源于最新的制造工藝,在替代現(xiàn)有氮離子而注入最新工藝鋁離子的過程中出現(xiàn)了不良現(xiàn)象。
2022-08-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT電驅(qū)動(dòng) 1009 0
使用電力驅(qū)動(dòng)的車輛而不是化石燃料可以減少CO 2 的產(chǎn)生,有助于保持城市的空氣更健康、更清潔。環(huán)境優(yōu)勢與經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢相結(jié)合:與“傳統(tǒng)”汽車相比,電動(dòng)汽車(E...
2022-08-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器IGBT 461 0
IGBT瑕疵事件影響現(xiàn)代“明星汽車”交付?亂局之下,國產(chǎn)IGBT迎來黃金期
日前,全球最大的汽車芯片供應(yīng)商英飛凌出現(xiàn)產(chǎn)品瑕疵問題,致使該公司放棄了這批從今年4月初到6月初生產(chǎn)的IGBT芯片。據(jù)悉,這批芯片原計(jì)劃將被用于韓國現(xiàn)代汽...
碳化硅 MOSFET 取代電動(dòng)汽車雙向充電器中的 IGBT
電動(dòng)汽車 (EV) 以及更普遍的電動(dòng)汽車的成功在很大程度上取決于為電池充電所需的時(shí)間。長期以來,電動(dòng)汽車一直被認(rèn)為是弱點(diǎn)之一,充電時(shí)間逐漸縮短,采用快速...
Microchip 的新 SiC 產(chǎn)品系列通過采用具有更少部件和更簡單控制方案的兩電平拓?fù)淇朔?IGBT 的困難。沒有開關(guān)限制,功率轉(zhuǎn)換單元可以減小尺...
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