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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT是變頻電源內(nèi)部最核心的重要元器件之一,在變頻電源內(nèi)部擔(dān)任非常重要的角色。其所發(fā)揮的作用是將直流轉(zhuǎn)變?yōu)榻涣鞴╇姍C(jī)使用。IGBT不僅具有高可靠性、驅(qū)...
安世半導(dǎo)體致力于為中國(guó)汽車(chē)半導(dǎo)體保駕護(hù)航
安世半導(dǎo)體展位位于本屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)4.1館(展位號(hào)是4.1A3-002),展臺(tái)面積多達(dá)260平方米,將為觀眾展出汽車(chē)、工業(yè)(含5G)、移動(dòng)、計(jì)算機(jī)...
2021-11-04 標(biāo)簽:IGBT肖特基二極管安世半導(dǎo)體 1534 0
IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一,顯而易見(jiàn)FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對(duì)于日常工作交流來(lái)說(shuō)是足夠了,但對(duì)于一...
2021-11-01 標(biāo)簽:電流數(shù)據(jù)IGBT 5366 0
探究大功率IGBT模塊ST20在風(fēng)電中的應(yīng)用
隨著碳中和成為世界各國(guó)新的共同目標(biāo),新能源快速發(fā)展成為必然,而風(fēng)電在我國(guó)能源消費(fèi)比重也在不斷增加。賽米控推出的低雜散電感、易于并聯(lián)、大電流、標(biāo)準(zhǔn)封裝的S...
構(gòu)建物聯(lián)網(wǎng)芯片技術(shù) 英飛凌在物聯(lián)網(wǎng)賽道如何放大招?
英飛凌科技安全互聯(lián)系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)市場(chǎng)與業(yè)務(wù)合作總監(jiān)南錚接受電子發(fā)燒友記者的采訪,集中解讀了三大問(wèn)題。缺芯現(xiàn)象是如何造成的?物聯(lián)網(wǎng)芯片領(lǐng)域,英飛凌發(fā)力...
季豐電子新增應(yīng)用在MOS等高壓IV Curve和高壓熱點(diǎn)定位
季豐電子新增加高壓IV Curve和高壓熱點(diǎn)定位,主要應(yīng)用在MOS,SiC,IGBT等高壓產(chǎn)品的失效分析,IV Curve掃描電壓范圍在±3000V,通...
換流回路中的雜散電感會(huì)引起波形震蕩,EMI或者電壓過(guò)沖等問(wèn)題。因此在電路設(shè)計(jì)的時(shí)候需要特別留意。本文給出了電路雜散電感的測(cè)量方法以及模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)中雜散電...
IGBT在國(guó)產(chǎn)進(jìn)程中強(qiáng)勢(shì)崛起
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))在上一期中,已經(jīng)提到作為一種功率半導(dǎo)體,IGBT應(yīng)用非常廣泛,小到家電、大到飛機(jī)、艦船、交通、電網(wǎng)等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。IGBT已...
盤(pán)點(diǎn)國(guó)外那些IGBT標(biāo)桿產(chǎn)品
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))IGBT作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子以及航空航天、國(guó)防軍工等產(chǎn)業(yè)...
2021-10-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)電路 4179 0
2021半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)向標(biāo)-《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇》
第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度是第一代和第二代半導(dǎo)體禁帶寬度的近3倍,在高溫、高壓、高功率和高頻領(lǐng)域?qū)⑻娲皟纱雽?dǎo)體材料。
2021-10-11 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)IGBT 1813 0
從工業(yè)到汽車(chē),東芝在功率器件市場(chǎng)的布局
近幾年來(lái),新能源汽車(chē)發(fā)展迅猛,與之配套的汽車(chē)功率器件也發(fā)展迅速,不少?gòu)S商開(kāi)始針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用開(kāi)發(fā)新的產(chǎn)品。比如說(shuō)SiC就是一個(gè)典型,自從特斯拉在Model ...
我國(guó)擁有著最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng),國(guó)內(nèi)廠商在IGBT等高端器件在技術(shù)上與國(guó)際大公司相比還有著一些差距。從市場(chǎng)上看,雖然英飛凌、 三菱和富士電機(jī)等國(guó)際廠商目...
盤(pán)點(diǎn)國(guó)外IGBT標(biāo)桿產(chǎn)品
IGBT作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子以及航空航天、國(guó)防軍工等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,在新興領(lǐng)域如新能源,新能...
2021-09-25 標(biāo)簽:三菱IGBT功率半導(dǎo)體 5432 0
從PCIM Asia 2021看電力電子發(fā)展趨勢(shì)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)PCIM Asia自2002年進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)后,到今年已經(jīng)有20年了,以前該展會(huì)都是在上海舉辦,今年首次來(lái)到了深圳。一直以來(lái)...
一切面向未來(lái)!英飛凌將重磅亮相深圳國(guó)際電子展暨嵌入式系統(tǒng)展
中國(guó)上海訊——9月27日,為期三天的深圳國(guó)際電子展暨嵌入式系統(tǒng)展(ELEXCON 2021)將隆重開(kāi)幕。
英飛凌采用具有新額定電流的IGBT7以增強(qiáng)1200V EconoDUAL? 3產(chǎn)品組合,靈活滿(mǎn)足更高的功率密度和性能
除了太陽(yáng)能和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用外,該產(chǎn)品組合還為商用、建筑和農(nóng)用車(chē)輛(CAV)以及不間斷電源(UPS)逆變器量身定制。
特斯拉、比亞迪旗艦轎車(chē)率先啟用的碳化硅器件,為什么這么火?
為何業(yè)界都看好碳化硅器件在汽車(chē)上的應(yīng)用?碳化硅在性能上比較原有器件有哪些優(yōu)勢(shì)?中電化合物半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理張昊翔和比亞迪半導(dǎo)體有限公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)品...
Microchip宣布擴(kuò)大其碳化硅產(chǎn)品組合
如今為商用車(chē)輛推進(jìn)系統(tǒng)提供動(dòng)力的節(jié)能充電系統(tǒng),以及輔助電源系統(tǒng)、太陽(yáng)能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應(yīng)用都依賴(lài)于高壓開(kāi)關(guān)電源設(shè)備。為了滿(mǎn)足這些需求,...
英飛凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT分立器件系列,提供優(yōu)異效率
新款 CoolSiC Hybrid產(chǎn)品系列結(jié)合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點(diǎn),具備出色的開(kāi)關(guān)速度和...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管,可將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電,是目前最有前景...
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