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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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Microchip推出業(yè)界耐固性最強(qiáng)的碳化硅功率解決方案取代硅IGBT,現(xiàn)已提供1700V版本
1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產(chǎn)品陣容擴(kuò)大了設(shè)計(jì)人員對(duì)效率和功率密度的選擇范圍
2021-07-28 標(biāo)簽:開關(guān)電源microchipIGBT 1785 0
新品|國內(nèi)首款兼容光耦帶DESAT保護(hù)功能的IGBT/SiC隔離驅(qū)動(dòng)器SLMi33x
數(shù)明半導(dǎo)體近日正式發(fā)布國內(nèi)首款單通道帶DESAT保護(hù)功能的IGBT/SiC隔離驅(qū)動(dòng)器SLMi33x。
2021-07-19 標(biāo)簽:IGBT光耦隔離驅(qū)動(dòng) 4269 0
ROHM開發(fā)出內(nèi)置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”
ROHM致力于為廣泛的應(yīng)用提供有效的電源解決方案,不僅專注于行業(yè)先進(jìn)的SiC功率元器件,還積極推動(dòng)Si功率元器件和驅(qū)動(dòng)IC的技術(shù)及產(chǎn)品開發(fā)。
.XT”是個(gè)啥以及.XT技術(shù)對(duì)器件穩(wěn)態(tài)熱阻Rth(j-c)的提升及其影響
英飛凌于2020年發(fā)布了基于.XT技術(shù)的D2PAK-7L封裝1200V SiC MOSFET SMD系列產(chǎn)品,導(dǎo)通電阻從350mohm到30mohm,覆...
2023年將成為碳化硅在新能源汽車市場的一個(gè)爆發(fā)點(diǎn)
我國新能源汽車產(chǎn)銷量、保有量連續(xù)6年居世界首位,為寬禁帶半導(dǎo)體的技術(shù)驗(yàn)證和更新迭代提供了大量應(yīng)用數(shù)據(jù)樣本。 《中國電子報(bào)》記者在采訪時(shí)了解到,寬禁帶半導(dǎo)...
第三代半導(dǎo)體高速成長GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成
2021年6月,富士經(jīng)濟(jì)對(duì)SiC(碳化硅)、Si(硅)功率半導(dǎo)體等下一代功率半導(dǎo)體的全球市場進(jìn)行了調(diào)查。功率半導(dǎo)體市場預(yù)計(jì)到 2030 年將達(dá)到 404...
如何確定驅(qū)動(dòng)芯片電流是否可以驅(qū)動(dòng)特定型號(hào)的IGBT?
IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)包括上下橋絕緣水平的選擇、驅(qū)動(dòng)電壓水平的確定、驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)功率的確定、短路保護(hù)電路等等。
2021-06-23 標(biāo)簽:電流IGBT驅(qū)動(dòng)芯片 7417 0
現(xiàn)如今為了達(dá)到節(jié)能和環(huán)保的目的,汽車技術(shù)正朝著車輛節(jié)能化、能源多元化、動(dòng)力電氣化及排放清潔化的方向發(fā)展。發(fā)展代用節(jié)能汽車、代用燃料汽車與電動(dòng)汽車已是大勢...
為何在新一代雙向OBC設(shè)計(jì)中選擇SiC而非Si ?
硅 (Si) 基功率器件由于其技術(shù)的成熟性和相對(duì)容易的可獲性,長期占據(jù)著電力電子行業(yè)的主導(dǎo)地位。然而,碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大優(yōu)勢能夠很好...
IGBT模塊的功率范圍從幾百瓦到幾兆瓦,作為能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷请娏﹄娮友b置的“CPU” 。通用驅(qū)動(dòng)器,牽引,伺服單元和可再生能源應(yīng)用,如工業(yè)自...
太陽能發(fā)電正迅速成為解決電力難題的一個(gè)重要方案
太陽能發(fā)電正迅速成為解決電力難題的一個(gè)重要方案。大多數(shù)人都知道,過去10年來太陽能發(fā)電成本驚人地下降了82%。在太陽能選址(太陽能的位置)和共同土地使用...
Solver對(duì)電力電子仿真結(jié)果有什么影響?
電力電子器件開關(guān)周期很短,要想精確模擬開關(guān)過程,需要特別小的仿真步長,而小步長會(huì)導(dǎo)致仿真變慢,仿真速度與精度的權(quán)衡在電力電子仿真中尤為重要。
漆包線點(diǎn)焊機(jī)是采用IGBT逆變技術(shù)、微機(jī)控制技術(shù)和現(xiàn)代電力電子技術(shù)開發(fā)的新型逆變直流電阻焊接電源。由于采用AC-DC-AC-DC的變換技術(shù),時(shí)間控制達(dá)到...
積極布局功率半導(dǎo)體 中車電氣科創(chuàng)板IPO過會(huì)
5月13日消息 昨日晚間,上交所發(fā)布科創(chuàng)板上市委2021年第30次審議會(huì)議結(jié)果公告,株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司(以下簡稱“中車電氣”)科創(chuàng)板IPO成功...
比亞迪:擬將比亞迪半導(dǎo)體分拆至創(chuàng)業(yè)板上市
5月12日消息 比亞迪發(fā)布公告稱,公司擬將控股子公司比亞迪半導(dǎo)體分拆至深交所創(chuàng)業(yè)板上市。此前,去年(2020年)12月31日,比亞迪便曾宣布計(jì)劃將控股子...
2021-05-12 標(biāo)簽:比亞迪IGBT比亞迪半導(dǎo)體 1531 0
功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)/雙脈沖測試方案
功率器件如場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣雙極晶體管[IGBT) ,這些功率器件提供了快速開關(guān)速度,能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值,被廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)...
正溫系數(shù)(PTC)加熱器的應(yīng)用及其它汽車應(yīng)用產(chǎn)品詳解介紹
傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)汽車通過發(fā)動(dòng)機(jī)加熱的冷卻液實(shí)現(xiàn)加熱系統(tǒng)。在冷卻液溫度上升相對(duì)較慢的柴油車中,采用PTC加熱器或電加熱器作為輔助加熱裝置,直到冷卻液的溫度充分上升。
開春以來,手機(jī)市場巨頭和無人機(jī)市場獨(dú)角獸先后入局電動(dòng)智能汽車領(lǐng)域,給原本就火熱的電動(dòng)智能汽車市場添上一把干柴。電動(dòng)智能汽車相較于傳統(tǒng)汽車,需要更多的傳感...
隨著我國經(jīng)濟(jì)、社會(huì)和科學(xué)技術(shù)的高速發(fā)展,我國各行各業(yè)廣泛的應(yīng)用著大量的變頻器。由于應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,加之我國幅員遼闊,勢必有大量的變頻器工作在潮濕的環(huán)境之中...
關(guān)于深度解析汽車點(diǎn)中火系統(tǒng)中對(duì)智能IGBT技術(shù)的需求
要產(chǎn)生火花,所需的器件包括電源、電池、變壓器(即點(diǎn)火線圈),以及用于控制變壓器初級(jí)電流的開關(guān)。電子學(xué)教科書告訴我們V=Ldi/dt.因此,如果線圈初級(jí)繞...
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