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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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逆變器應用中國產(chǎn)SiC單管替代進口IGBT單管損耗計算對比

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2025-02-24 標簽：逆變器 IGBT SiC 423 0

華太電子正式發(fā)布超結二代（SJ-IGBT）家族新品

引言在新能源與工業(yè)電源領域，高效、高可靠性功率器件是系統(tǒng)設計的核心。華太電子正式發(fā)布超結二代（SJ-IGBT）家族新品—HGW75N65S2HEM與H...

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IGBT模塊如何助力新能源發(fā)展

在全球積極推進能源轉型的大背景下，新能源領域蓬勃發(fā)展，而 IGBT 模塊作為其中的關鍵器件，發(fā)揮著不可替代的作用。它究竟是如何助力新能源發(fā)展的呢?今天就...

2025-02-21 標簽：新能源汽車模塊 IGBT 1225 0

IGBT的演進歷程:從起源到現(xiàn)狀的全面探索

一文了解IGBT的前世今生引言 1、何為IGBT？ 2、傳統(tǒng)的功率MOSFET 為了等一下便于理解IGBT，我還是先講下Power MOSFET的結構...

2025-02-18 標簽：MOSFET IGBT 1.2萬 0

IGBT模塊封裝中環(huán)氧樹脂技術的現(xiàn)狀與未來發(fā)展趨勢探析

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華潤微電子推出多領域應用功率模塊新品

近日，西永微電園華潤微電子舉辦功率模塊新品發(fā)布會。發(fā)布了基于高壓超結MOS、IGBT、SiC的多種PIM模塊、車規(guī)主驅模塊及IPM模塊等系列新品主要應用...

2025-02-14 標簽：IGBT SiC 功率模塊 440 0

BTP1521P解決IGBT模塊升級SiC模塊的正負驅動電壓

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125KW工商業(yè)儲能變流器SiC模塊取代老舊IGBT模塊方案的技術優(yōu)勢

傾佳電子楊茜分析在125kW工商業(yè)儲能變流器（PCS）應用中，國產(chǎn)SiC（碳化硅）模塊全面取代傳統(tǒng)老舊IGBT模塊的技術優(yōu)勢主要體現(xiàn)在以下方面： ? 傾...

2025-02-11 標簽：IGBT SiC 儲能變流器 335 0

逆變焊機國產(chǎn)SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊的損耗計算

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高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

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2025-02-09 標簽：IGBT 電鍍電源 505 0

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碳化硅MOSFET相對IGBT為什么可以壓榨更多應用潛力？

碳化硅（SiC）MOSFET相較于傳統(tǒng)IGBT能夠釋放更多潛力的核心原因在于其材料特性與器件物理的革新，具體體現(xiàn)在高頻高效、高溫耐受、低損耗設計以及系統(tǒng)...

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儲能變流器PCS中碳化硅功率模塊全面取代IGBT模塊

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BASiC基本公司為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結MOS提供驅動芯片及驅動供電解決方案 BASiC基本公司針對多種應用場景研發(fā)推出門極驅動芯...

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廣電計量入選2025年無錫市場景清單

近日，無錫市委市政府召開無錫市場景創(chuàng)新大會，發(fā)布《2025年無錫市場景清單（第一批）》，包括30個場景機會和90個場景能力。無錫廣電計量申報的“MOSF...

2025-01-21 標簽：IGBT 功率器件廣電計量 592 0

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來源：行家說-葉知秋 1月17日，據(jù)“涪陵高新區(qū)綜保區(qū)”報道，重慶新陵微電子有限公司正在緊鑼密鼓地安裝設備，預計2025年二季度將實現(xiàn)整線通線，進行試生...

2025-01-21 標簽：IGBT 596 0

三菱電機開始提供工業(yè)用第8代IGBT模塊樣品

三菱電機株式會社近日宣布，將于2月15日起開始提供新型工業(yè)用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣品，適用于太陽能和其他可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。該模塊采用...

2025-01-17 標簽：封裝 IGBT 三菱電機 541 0

IGBT模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應用中提供更高能效

背景：電力驅動的能效雖高，但電動汽車、數(shù)據(jù)中心、熱泵等應用仍需大量能源運行，因此提高能效至關重要。技術原理：IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊是一種電力...

2025-01-16 標簽：逆變器 IGBT 499 0

英飛凌IGBT7系列芯片大解析

上回書(英飛凌芯片簡史)說到，IGBT自面世以來，歷經(jīng)數(shù)代技術更迭，標志性的技術包括平面柵+NPT結構的IGBT2，溝槽柵+場截止結構的IGBT3和IG...

2025-01-15 標簽：英飛凌芯片 IGBT 1059 0

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碳化硅MOSFET以其高開關速度、高溫工作能力和低導通電阻等優(yōu)勢，在電動汽車、太陽能逆變器等領域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優(yōu)勢，但碳...

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MPU-6000（6050）為全球首例整合性6軸運動處理組件，相較于多組件方案，免除了組合陀螺儀與加速器時間軸之差的問題，減少了大量的封裝空間。
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