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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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近年來,隨著電動車滲透率的逐步提升,在各類汽車半導體產(chǎn)品中,功率半導體無疑是受益最大的領域;其高效能與低損耗特性,為電動車的續(xù)航提升與性能優(yōu)化提供了堅實...
2024-12-04 標簽:MOSFETIGBT汽車產(chǎn)業(yè) 620 0
長晶科技本次推出了FST3.0(對標國際Gen7.0) 650V和1200V系列的三款IGBT單管,主要用于光伏儲能等應用。
近日,北京交通大學電氣工程學院的“電力電子方向專業(yè)綜合設計與實踐”本科大四學生在楊曉峰教授的帶領下,走進了泰克先進半導體開放實驗室,開啟了一場科技探秘之...
開關電源的效率優(yōu)化方法 開關電源的效率優(yōu)化是一個系統(tǒng)工程,涉及多個方面,以下是一些關鍵的優(yōu)化方法: 采用高品質的變壓器 : 變壓器是開關電源中的核心部件...
高頻逆變技術作為一種先進的電能變換技術,在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來越重要的作用,特別是在點焊電源領域,其創(chuàng)新應用更是推動了焊接工藝的革新與進步。本文將圍...
11月22日,在智光電氣2024年度供應鏈高峰論壇上,青銅劍技術憑借在客戶端的優(yōu)異表現(xiàn),喜獲智光電氣頒發(fā)的“質量先鋒獎”。 ? 青銅劍技術的高性能IGB...
英飛凌推出新型CIPOS Maxi 10-20A 1200V IPM
高性能CIPOS Maxi轉模封裝IPM IM12BxxxC1系列基于新型1200V TRENCHSTOP IGBT7和快速二極管Emcon 7技術。由...
大研智造 全球碳中和下IGBT功率模塊發(fā)展與激光錫焊方案全解
2015年12月達成的《巴黎協(xié)定》為全球應對氣候變化行動做出安排,眾多國家和地區(qū)出臺碳達峰和碳中和政策目標。我國提出2030年碳排放達峰、2060年實現(xiàn)...
當IGBT功率器件模塊組裝完成后,就是進入最后的封裝外殼組裝工序了。這個工序需要在外殼邊緣涂上凝膠層,然后再把IGBT模塊放置在外殼內(nèi),最后采用螺絲將外...
芯導科技推出650V/1200V高性能IGBT產(chǎn)品
能源是經(jīng)濟社會發(fā)展的重要物質基礎和動力源泉。近些年,“雙碳”戰(zhàn)略引領能源轉型革命,發(fā)展綠色低碳新質生產(chǎn)力既是解決全球環(huán)境問題的重要保障,更是國家經(jīng)濟與民...
來源:上海林眾電子科技有限公司 2024年11月11日,上海林眾電子科技有限公司(以下簡稱林眾電子)研發(fā)及智能質造中心正式啟用。其位于上海市松江區(qū),占地...
近日,2024中國電力電子與能量轉換大會暨中國電源學會第二十七屆學術年會及展覽會(CPEEC & CPSSC 2024)在西安隆重召開。會議通過...
中國IGBT芯片細分應用領域分析 高壓IGBT打破國外技術壟斷
來源: 電力電子技術與應用 1、中國 IGBT芯片 應用領域:三大類產(chǎn)品的應用場景 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉換的核心器件,是由B...
在現(xiàn)代電子技術中,功率半導體器件是實現(xiàn)電能轉換和控制的關鍵組件。MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)和IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是兩種廣泛使用...
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