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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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比亞迪自產(chǎn)電動(dòng)汽車(chē)的CPU的核心芯片
導(dǎo)語(yǔ):對(duì)于目前中國(guó)新能源車(chē)企極高的市值,很多人都認(rèn)為存在泡沫,但顯然比亞迪是其中的一個(gè)例外。 在2019年年初新能源補(bǔ)貼政策大退坡之后,不少業(yè)內(nèi)人士都看...
2020-12-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)芯片新能源汽車(chē) 9104 0
IGBT工作中的特性以及IGBT的動(dòng)態(tài)特性的介紹
IGBT工作中的特性: IGBT 的靜態(tài)特性, 靜態(tài)數(shù)據(jù)特性關(guān)鍵有光電流特性、遷移特性和電源開(kāi)關(guān)特性。 (1)光電流特性: IGBT 的光電流特性就是指...
比亞迪的IGBT芯片專(zhuān)利,通過(guò)添加導(dǎo)電類(lèi)型的附加區(qū),使得含有該IGBT芯片的功率器件承受反偏時(shí),附加區(qū)能夠通過(guò)耗盡擴(kuò)展,將柵極溝槽包圍在耗盡區(qū)中,為其增...
相對(duì)于PWM來(lái)說(shuō),死區(qū)時(shí)間是在PWM輸出的這個(gè)時(shí)間,上下管都不會(huì)有輸出,當(dāng)然會(huì)使波形輸出中斷,死區(qū)時(shí)間一般只占百分之幾的周期。但是當(dāng)PWM波本身占空比小...
IGBT芯片經(jīng)歷了7代升級(jí),它的發(fā)展趨勢(shì)將會(huì)如何
IGBT芯片:產(chǎn)品升級(jí)趨勢(shì)。IGBT芯片經(jīng)歷了7代升級(jí):襯底從PT穿通,NPT非穿通到FS場(chǎng)截止,柵極從平面到Trench溝槽。隨著技術(shù)的升級(jí),通態(tài)功耗...
關(guān)于IGBT的封裝失效機(jī)理的詳細(xì)講解
IGBT的封裝失效機(jī)理 輸出功率器件的可信性就是指在要求標(biāo)準(zhǔn)下,器件進(jìn)行要求作用的工作能力,一般用使用期表明。因?yàn)榘雽?dǎo)體材料器件主要是用于完成電流量的轉(zhuǎn)...
據(jù)媒體報(bào)道,在整條產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)能吃緊的情況下,半導(dǎo)體晶圓制造、封裝、元器件等多個(gè)環(huán)節(jié)紛紛開(kāi)始漲價(jià)。瑞薩、恩智浦等元器件大廠均發(fā)布了漲價(jià)函,目前缺貨嚴(yán)重,明年...
碳化硅在攻陷IGBT市場(chǎng)的道路上面臨哪些挑戰(zhàn)?
隨著新能源汽車(chē)的逐漸升溫,碳化硅摩拳擦掌,似乎要挑戰(zhàn)逆變器功率器件IGBT 的霸主地位。市場(chǎng)方面,領(lǐng)頭羊 CREE 與大眾等數(shù)家公司簽署長(zhǎng)期供貨協(xié)議,并...
未來(lái)五年IGBT市場(chǎng)規(guī)模增速中樞將在20%-23%,有望2025年超100億美金
2020年注定是缺貨加價(jià)的特殊年份,半導(dǎo)體供需拉大,國(guó)內(nèi)產(chǎn)能產(chǎn)量無(wú)法滿足。在8英寸晶圓缺貨后,這一趨勢(shì)將逐步從顯示驅(qū)動(dòng)IC、電源IC、MOSFET、IG...
“國(guó)產(chǎn)化替代”的市場(chǎng)機(jī)遇是驅(qū)動(dòng)國(guó)內(nèi)IGBT廠商成長(zhǎng)的關(guān)鍵
2020年,客戶需求旺盛依舊,國(guó)內(nèi)IGBT市場(chǎng)供應(yīng)緊缺的情況卻并未緩解,反而愈演愈烈。自年初起,國(guó)際IGBT大廠均受疫情影響,產(chǎn)能供應(yīng)不足的問(wèn)題持續(xù)至今。
在國(guó)產(chǎn)IGBT受到資本市場(chǎng)青睞的背后,也蘊(yùn)含著一些擔(dān)憂
今年初,斯達(dá)半導(dǎo)用連續(xù)22個(gè)漲停板引爆二級(jí)市場(chǎng),同時(shí)也催熱了一級(jí)市場(chǎng)對(duì)IGBT廠商股權(quán)投資的熱度,比亞迪半導(dǎo)體在短短62天內(nèi)獲得了紅杉資本、韓國(guó)SK集團(tuán)...
2020-12-04 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)半導(dǎo)體IGBT 1553 0
性能更優(yōu),可靠性更高的國(guó)產(chǎn)IGBT產(chǎn)品
近些年是國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件迅猛發(fā)展的良好時(shí)機(jī),國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)在MOSFET ,IGBT及SiC等產(chǎn)品領(lǐng)域的優(yōu)秀表現(xiàn)吸引了越來(lái)越多的電力電子產(chǎn)品大廠的關(guān)注...
激光焊錫機(jī)在IGBT模塊封裝焊接中的優(yōu)勢(shì)分析
現(xiàn)有的IGBT模塊封裝焊接結(jié)構(gòu)主要采用兩種方式:一種是將絕緣襯板焊接在基板上封裝成IGBT模塊,再通過(guò)硅脂與散熱器配合安裝的方式,它以IGBT模塊為單元...
碳化硅功率模塊在新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈中應(yīng)用的情況分析
無(wú)論在消費(fèi)、工業(yè)還是汽車(chē)領(lǐng)域,目前氮化鎵都已有了成熟應(yīng)用的案例。英諾賽科銷(xiāo)售副總裁陳鈺林指出,在快充和激光雷達(dá)領(lǐng)域,氮化鎵已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了千萬(wàn)級(jí)別的出貨,英偉...
中車(chē)時(shí)代電氣和比亞迪兩家企業(yè)在IGBT市場(chǎng)上的優(yōu)劣勢(shì)分析
在巨大的市場(chǎng)需求和國(guó)產(chǎn)替代的機(jī)遇下,國(guó)產(chǎn)IGBT廠商的發(fā)展前景被看好,無(wú)論在一級(jí)市場(chǎng)還是二級(jí)市場(chǎng)都受到了投資者的熱捧。
臺(tái)基股份擬募集資金2.3億元投資于6吋Bipolar晶圓線改擴(kuò)建項(xiàng)目
今天,臺(tái)基股份發(fā)布公告稱(chēng),公司向特定對(duì)象發(fā)行股票并在創(chuàng)業(yè)板上市已通過(guò)深交所審核并收到批復(fù)。此次募集資金不超過(guò)5億元,將用于新型高功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)升級(jí)項(xiàng)...
新興的制程方法和分析手段 X-ray檢測(cè)設(shè)備的原理?
近幾年,隨著通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,x-ray檢測(cè)設(shè)備也漸漸發(fā)展起來(lái)。X-ray檢測(cè)技術(shù)作為新興的制程方法和分析手段,可以實(shí)現(xiàn)在不破壞產(chǎn)品的...
企業(yè)跨界,也就是跨越不同領(lǐng)域,不同行業(yè)的行為。在國(guó)外,這樣的企業(yè)不在少數(shù),三星集團(tuán)就是其中的佼佼者,從手機(jī)到家電,從汽車(chē)到造船,從電池到芯片,幾乎無(wú)所不...
解析株洲中車(chē)的汽車(chē)IGBT模塊專(zhuān)利
株洲中車(chē)的“汽車(chē)用IGBT模塊”專(zhuān)利針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題,提供了一種能同時(shí)滿足極端高低溫狀況下的汽車(chē)級(jí)IGBT模塊雙脈沖測(cè)試方法和系統(tǒng),具有測(cè)試操作簡(jiǎn)...
2020-11-16 標(biāo)簽:集成電路新能源汽車(chē)IGBT 5205 0
IGBT市場(chǎng)的未來(lái)發(fā)展前景如何?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)行業(yè)龍頭老大英飛凌近日宣布將新增在華投資,擴(kuò)大其無(wú)錫工廠的IGBT模塊生產(chǎn)...
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