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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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死區(qū)時間是PWM輸出時,為了使H橋或半H橋的上下管不會因為開關(guān)速度問題發(fā)生同時導通而設置的一個保護時段,所以在這個時間,上下管都不會有輸出,當然會使波形...
在所有工業(yè)控制系統(tǒng)中,變頻驅(qū)動器(VFD)/逆變器通常安裝在電動機的前端,以調(diào)節(jié)速度并節(jié)省能源。根據(jù)不同的輸入電壓要求,逆變器通常分為低壓(110、22...
華大半導體發(fā)布國內(nèi)首款車規(guī)級隔離型IGBT柵極驅(qū)動芯片
集成豐富的保護功能:具備軟關(guān)斷、退飽和檢測(DESAT)、有源米勒電流鉗位、欠壓鎖定保護(UVLO)、故障反饋輸出(DESAT & UVLO)等多種保護功能;
士蘭微發(fā)布2019年年報,IGBT和IPM產(chǎn)品同比增速40%
報告期內(nèi),公司研發(fā)項目主要圍繞電源管理產(chǎn)品平臺、功率半導體器件與模塊技術(shù)、數(shù)字音視頻技術(shù)、射頻/模擬技術(shù),MCU/DSP產(chǎn)品平臺、MEMS傳感器產(chǎn)品與工...
多芯并聯(lián)封裝IGBT的缺陷以及失效先導的判據(jù)
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)是由雙極型三極管(Bipolar Junction T...
還記得2018年比亞迪發(fā)布的IGBT4.0技術(shù)嗎?當時,比亞迪放言IGBT4.0打破國外芯片壟斷,開創(chuàng)了“中國芯”。別看IGBT芯片只有“指甲蓋大小”,...
國內(nèi)IGBT技術(shù)實現(xiàn)供應鏈自主,打破國際壟斷局面
2018年12月,比亞迪全資子公司比亞迪微電子發(fā)布了全新一代車規(guī)級IGBT標桿性產(chǎn)品——比亞迪IGBT 4.0。別看IGBT芯片只有“指甲蓋大小”,它卻...
IGBT器件T1通過雙脈沖信號兩次開通和關(guān)斷。換流的變化率di/dt導通過電阻RGon來調(diào)節(jié)的,VCC是直流母線電壓。
2020-05-02 標簽:IGBTIGBT開關(guān) 4510 0
IGBT的結(jié)構(gòu)_功率MOSFET的垂直結(jié)構(gòu)
功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上,它的密度是每平方毫米250.000個單元(50V功率MOS-FET)或者50.000單元...
IGBT的結(jié)構(gòu)多種多樣,但從縱向結(jié)構(gòu)來看可歸為穿通型,非穿通型。這兩類IGBT的劃分依據(jù)為:臨界擊穿電壓下Pbase-Ndrift結(jié)耗盡層的擴展是否穿透...
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