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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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igbt資訊

什么是死區(qū)? DSP里的PWM死區(qū)

死區(qū)時間是PWM輸出時,為了使H橋或半H橋的上下管不會因為開關(guān)速度問題發(fā)生同時導通而設置的一個保護時段,所以在這個時間,上下管都不會有輸出,當然會使波形...

2020-06-08 標簽:PWMIGBT 8269 0

什么是IGBT?國內(nèi)IGBT企業(yè)崛起

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2020-06-05 標簽:整流器IGBT 2.0萬 0

變頻驅(qū)動器VFD/ IGBT逆變器的過壓保護6KV

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用于IGBT浪涌保護的高壓TVS二極管P6SMB600CA

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華大半導體發(fā)布國內(nèi)首款車規(guī)級隔離型IGBT柵極驅(qū)動芯片

集成豐富的保護功能:具備軟關(guān)斷、退飽和檢測(DESAT)、有源米勒電流鉗位、欠壓鎖定保護(UVLO)、故障反饋輸出(DESAT & UVLO)等多種保護功能;

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士蘭微發(fā)布2019年年報,IGBT和IPM產(chǎn)品同比增速40%

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多芯并聯(lián)封裝IGBT的缺陷以及失效先導的判據(jù)

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2020-04-20 標簽:芯片IGBT 4231 0

比亞迪IGBT 4.0技術(shù)怎么樣

還記得2018年比亞迪發(fā)布的IGBT4.0技術(shù)嗎?當時,比亞迪放言IGBT4.0打破國外芯片壟斷,開創(chuàng)了“中國芯”。別看IGBT芯片只有“指甲蓋大小”,...

2020-04-16 標簽:比亞迪IGBT 7406 0

國內(nèi)IGBT技術(shù)實現(xiàn)供應鏈自主,打破國際壟斷局面

2018年12月,比亞迪全資子公司比亞迪微電子發(fā)布了全新一代車規(guī)級IGBT標桿性產(chǎn)品——比亞迪IGBT 4.0。別看IGBT芯片只有“指甲蓋大小”,它卻...

2020-04-15 標簽:芯片變頻器igbt 3202 0

IGBT開關(guān)特性的實例分享

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有些情況下,IGBT甚至二極管的拖尾電流也有可能發(fā)生振蕩。芯片的內(nèi)部工藝可能激發(fā)LC振蕩(由半導體芯片和上述描述的雜散部分),這種激發(fā)的原理也被作PET...

2020-05-02 標簽:二極管IGBT 2942 0

IGBT關(guān)斷振蕩的參數(shù)_IGBT關(guān)斷振蕩的應對措施

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在電壓UCE緩慢上升時,柵極電壓處于密勒平臺,這個位移電流最初保持穩(wěn)定并有助于維持平臺電壓恒定。

2020-05-02 標簽:IGBT振蕩 1.4萬 0

IGBT短路振蕩的影響因素有哪些

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在形成恒定短路電流后的很短時間內(nèi)發(fā)生振蕩且可以在柵極電壓中觀測到明顯的電壓振蕩。

2020-05-02 標簽:IGBT短路 7371 0

一文詳解IGBT模塊并聯(lián)動態(tài)均流方法

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動態(tài)工作指電力電子器件的開通和關(guān)斷過程。IGBT的開關(guān)頻率越高,動態(tài)均流問題對整個系統(tǒng)的影響就越大。

2020-05-02 標簽:IGBTIGBT模塊 1.5萬 0

IGBT模塊緩沖電路的模型_igbt緩沖電路類型

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盡管開關(guān)器件內(nèi)部工作機理不同,但對于緩沖電路的分析而言,則只需考慮器件的外特性,IGBT關(guān)斷時模型可以等效為電壓控制的電流源,開通時可以等效為電壓控制的電壓源。

2020-04-10 標簽:IGBTIGBT模塊 9571 0

PT-IGBT與NPT-IGBT的區(qū)別

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IGBT的結(jié)構(gòu)多種多樣,但從縱向結(jié)構(gòu)來看可歸為穿通型,非穿通型。這兩類IGBT的劃分依據(jù)為:臨界擊穿電壓下Pbase-Ndrift結(jié)耗盡層的擴展是否穿透...

2020-04-10 標簽:IGBTigbt芯片 1.2萬 0

IGBT并聯(lián)均流電路及注意事項分析

IGBT并聯(lián)均流電路及注意事項分析

通過降額法計算IGBT器件并聯(lián)時工作的總安全電流,使IGBT器件工作在允許承受的電流范圍內(nèi)。

2020-04-10 標簽:并聯(lián)IGBT 9779 0

了解一下MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧!

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MOS管即MOSFET,中文全稱是金屬-氧化物半導體場效應晶體管,由于這種場效應管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場效應管。

2020-04-04 標簽:二極管MOS管IGBT 4849 0

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  • TMS320F28335
    TMS320F28335
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