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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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英飛凌亮相PCIM Asia 2019,以最新產品技術助力多領域實現(xiàn)節(jié)能增效
英飛凌以“我們賦能世界”為主題,在展會上展示了具備更高功率密度、最新芯片技術和功能更集成的一系列新產品和技術。
電動汽車成為增長動能 2021年IGBT產值預估將突破52億美元
根據(jù)集邦咨詢旗下拓墣產業(yè)研究院報告指出,電動汽車已成為汽車產業(yè)未來的主要成長動能,預估在2021年電動汽車將突破800萬輛,為2018年的兩倍。預估20...
電動汽車已成為汽車產業(yè)未來的主要成長動能,預計到2021年電動汽車將達到年產800萬輛,為2018年的兩倍。
2019年世界IGBT市場總值將達到48.4億美元 同比增長2.8%
據(jù)報道:電動汽車已成為汽車產業(yè)未來的主要成長動能,預計到2021年電動汽車將達到年產800萬輛,為2018年的兩倍。電動汽車的關鍵零組件IGBT,是傳統(tǒng)...
受益于電動汽車發(fā)展,IGBT產值2021年突破52億美元
電動汽車已成為汽車產業(yè)未來的主要成長動能,預計在2021年電動汽車將突破800萬輛,為2018年的兩倍。
滿足AEC-Q101標準的車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產品。
2018年功率晶體管銷售額再創(chuàng)新高 增長14%
根據(jù)2019年的報告,功率晶體管的銷售額增長率達到兩位數(shù),再創(chuàng)新高。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有...
2019-05-15 標簽:IGBT 3.9萬 1
受益于國產替代的政策推動和缺貨漲價的狀況,2018年功率半導體廠商財報表現(xiàn)普遍亮眼。
耕耘細分市場,士蘭微電子打破了國外公司對于 IGBT器件的長期壟斷
近期,士蘭微電子推出了應用于家用電磁爐的1350V RC-IGBT系列產品。
安森美推出新的基于碳化硅的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅動器
AFGHL50T65SQDC采用最新的場截止IGBT和SiC肖特基二極管技術,提供低導通損耗和開關損耗,用于多方面的電源應用,包括那些將得益于更低反向恢...
世強及世強元件電商全面代理Pakal,上線IGTO產品及其相關資料
另一方面,IGTO與現(xiàn)有的IGBT供應鏈完全兼容,從控制器到驅動器再到無源組件,部署IGTO所需的工作量遠遠超過對更高效率的要求。由Pakal研發(fā)的IG...
IGBT由柵極(G)、發(fā)射極(E)和集電極(C)三個極控制。如圖1,IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGB...
2019-04-24 標簽:IGBT 8.8萬 2
從第一次工業(yè)革命開始到現(xiàn)在,工業(yè)領域發(fā)生了翻天覆地的變化,現(xiàn)在及未來的工業(yè)將會更加智能化。
意法半導體推出的新產品專為軟開關優(yōu)化設計 適用于最高功率4kW的應用
意法半導體新IH系列器件屬于意法半導體針對軟開關應用專門優(yōu)化的溝柵式場截止(TFS) IGBT產品家族,適用于電磁爐等家電以及軟開關應用的半橋電路,現(xiàn)在...
TI推出多款新型隔離式柵極驅動器,具備出色的監(jiān)控能力和高壓保護
新型TI柵極驅動器提供先進的監(jiān)控和保護功能,同時還能提升汽車和工業(yè)應用中的總體系統(tǒng)效率。
需求持續(xù)擴張,2019年中國功率半導體市場規(guī)模逾2,900億元
受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產品持續(xù)缺貨和漲價,帶動了2018年中國功率半導體市場規(guī)模大幅成長12.7...
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