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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)擴充NGBTxx系列1,20...
英飛凌科技股份有限公司擴展其第叁代逆導 (RC) 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 (IGBT) 產(chǎn)品系列,推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型...
全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱 IR) 推出 IRGR4045DPbF 和...
快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣佈獲頒伊頓亞太區(qū)2012年最佳供應商獎,連續(xù)兩年蟬聯(lián)該獎項。 伊頓(Eaton)公司總...
德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器,其速度比同等光學柵極驅(qū)動器快40%。
諸如高環(huán)境溫度、暴露于機械沖擊以及特定的驅(qū)動循環(huán)等環(huán)境條件,要求對IGBT功率模塊的機械和電氣特性給予特別的關(guān)注,以便在整個使用壽命期間能確保其性能得到...
如何保護馬達驅(qū)動器與可再生能源系統(tǒng)中的IGBT
電源轉(zhuǎn)換電路經(jīng)常被應用在馬達驅(qū)動器或可再生能源的功率轉(zhuǎn)換上,設計中包括可以將直流電壓轉(zhuǎn)換為交流電壓的電源轉(zhuǎn)換器,以便用來推動馬達或連接到可再生能源系統(tǒng)的電網(wǎng)
意法半導體(ST)發(fā)布1200V碳化硅太陽能解決方案
意法半導體(ST)發(fā)佈碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新成果,協(xié)助系統(tǒng)廠商研發(fā)能夠?qū)⑻柲苻D(zhuǎn)化成電網(wǎng)電能的高能效電子設備。
電子發(fā)燒友網(wǎng)訊: 剛過去的一周,電子行業(yè)大事精彩上演。與此同時,過去一周廠商動作頻頻,爭相推出各種技術(shù)新品助力工程師設計。過去的一周我們到底該掌握哪些資...
功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案供應商美高森美公司(Microsemi) 宣佈其新一代1200V非貫穿型(non-punch throug...
2012-09-13 標簽:開關(guān)電源IGBT美高森美 1914 0
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)已經(jīng)擴充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合,為電機驅(qū)動設計者提供更高的效率、功率密度和可靠性,以...
IR全新600V IGBT為馬達驅(qū)動應用 提升功率密度及效率
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出600V絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 系列,藉以優(yōu)化在10kHz以下...
IR推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列IRG7RC10FD
國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列,適合在10kHz以下工作的電機驅(qū)...
IGBT驅(qū)動光耦推薦專場(TLP350,TLP250,PC929,PC923)
IGBT驅(qū)動光耦推薦專場(TLP350,TLP250,PC929,PC923)
瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列新產(chǎn)品。新款I(lǐng)GBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1C...
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