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      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3073個 瀏覽：254587次 帖子：483個

      igbt資訊

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      3KW逆變器后級制作 IGBT橋驅(qū)動,可帶任意負(fù)載

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      最近做了一塊2000W后級，可以輕松改成幾百W-3000W的SPWM后級，可以方便的輸出純正弦波形，主控板用了兩種方案，功能如下：

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      華潤上華成功開發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺

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      　　隨著全球能源的日趨緊張，節(jié)能節(jié)電迫在眉睫。電能轉(zhuǎn)換是節(jié)能節(jié)電的重要環(huán)節(jié)。在電能轉(zhuǎn)換過程中，轉(zhuǎn)換期間的能量損失是影響節(jié)能節(jié)電的重要因素，始終成為人們關(guān)...

      2012-05-28 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 5531 0

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      電裝在汽車展會“人與車科技展2012”（2012年5月23～25日）上展出了輸出功率密度高達(dá)60kW/L的逆變器，并公開了其性能參數(shù)等。該逆變器的體積為...

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      致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：M...

      2012-05-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體igbt美高森美 654 0

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      IR推出高度創(chuàng)新600V車用IGBT平臺COOLiRIGBT

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      國際整流器公司IR推出高度創(chuàng)新的600V車用IGBT平臺COOLiRIGBT，適合電動車 (EV) 和混合動力車 (HEV) 中的各種高速開關(guān)應(yīng)用，包括...

      2012-05-17 標(biāo)簽：IRIGBT半導(dǎo)體芯片 1429 0

      IGBT在大功率斬波中問題的應(yīng)用

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      　　斬波是電力電子控制中的一項變流技術(shù)，其實質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位，它不...

      2012-05-14 標(biāo)簽：IGBT斬波電路斬波器件 1.4萬 0

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      　　Peter Rogerson表示，一個月以來雙方還一直在就收購后的安排進(jìn)行討論，他和團(tuán)隊成員還是頭一晚才拿到正式發(fā)布的演講稿。不過他確認(rèn)PI的此次收...

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      激勵電路將信號放大,該電路工作過程如下: (1) V8 OFF時(V8=0V),V8 (2) V8 ON時(V8=4.1V),V8V9,V10為低,Q8...

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      東芝光耦 IGBT/MOSFET

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      東芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (I...

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      IGBT過流檢測保護(hù)電路圖

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      當(dāng)電源輸出過載或者短路時，IGBT的Vce值則變大，根據(jù)此原理可以對電路采取保護(hù)措施。對此通常使用專用的驅(qū)動器EXB841，其內(nèi)部電路能夠很好地完成降柵...

      2012-03-08 標(biāo)簽：保護(hù)電路IGBT過流檢測 7230 0

      IGBT光伏發(fā)電逆變電路

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      比較場效應(yīng)管MOSFET和絕緣柵雙極晶體管IGBT構(gòu)成的逆變電路，針對IGBT構(gòu)成的逆變電路中的重要環(huán)節(jié)分別提出改進(jìn)方案來優(yōu)化電路設(shè)計。最終既滿足對高壓...

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      IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功 率小和開關(guān)速...

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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      tvyt jf_97492079 efans_62931057 jf_36666513 jf_18435973 jf_10998439 故園東方水 jf_11830122 jf_24263545 阿bu jf_64181280 jf_85431462

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