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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。 IGBT 集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體,具有電壓控制、輸入阻抗大...
近日全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司(簡稱IR)推出針對感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)太陽能和焊接應(yīng)用而設(shè)計的可靠、高效 1200V 絕緣...
IGBT功率元件的應(yīng)用及保護(hù)技術(shù)
IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵問題是驅(qū)動電路和保護(hù)電路,本文根據(jù)在實際工作中對IGBT的應(yīng)用討論有關(guān)IGBT的驅(qū)動及保護(hù)問題。
本文針對10 kW三相IGBT全橋變換器設(shè)計了一種隔離驅(qū)動電源,提供4路相互隔離的輸出,每路輸出均提供+15 V/-9 V電源。電源功率較小,考慮成本和...
2011-08-19 標(biāo)簽:IGBT全橋變換器隔離驅(qū)動電源 1.3萬 0
據(jù)IHS iSuppli公司中國研究服務(wù)即將發(fā)表的一份報告,由于綠色能源與能源效率得到更多的重視,以及政府投資支持和嚴(yán)格的能源政策,2011-2015年...
Diodes推出專為IGBT設(shè)計的ZXGD3006E6閘極驅(qū)動器
Diodes公司推出專為開關(guān)高功率IGBT設(shè)計的ZXGD3006E6閘極驅(qū)動器(gate driver) ,有助于提高太陽能逆變器、電機驅(qū)動和電源應(yīng)用的...
2011-07-06 標(biāo)簽:DiodesIGBTZXGD3006E6 1577 0
本文主要介紹了IGBT構(gòu)成的電機傳動用逆變器的主電路組成及IGBT參數(shù)選擇,驅(qū)動電路、緩沖吸收電路的組成及參數(shù)選擇以及主電路安裝和布局應(yīng)注意的問題,對實...
英飛凌RC-D功率開關(guān)器件系列在單一芯片上融合了市場領(lǐng)先的英飛凌專有技術(shù)TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續(xù)流二極管,具有很低的開...
目前西安誼邦電子科技提供的該項新產(chǎn)品采用模塊式功放結(jié)構(gòu), 主極電流100A,200A,400A/500A/1000A/1250A可選, 2500A/50...
2011-06-07 標(biāo)簽:測試系統(tǒng)IGBT 2583 0
賽米控推出最新MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊
賽米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊,該模塊目前也可提供三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。與競爭對手的產(chǎn)品相比,新模塊擁有4.9 A/cm2的額定電流
三菱電機于2011年4月8日上市了產(chǎn)品壽命更長、可靠性更高的IGBT模塊“J系列T-PM”。新產(chǎn)品將面向混合動力車和電動汽車用馬達(dá)的驅(qū)動用途
將逆變器后面的兩個紅黑接線柱接到輸出,將逆變器引出最粗的兩條線接到12V的電池,紅線的接正極,黑線接負(fù)極。此時機器前面的數(shù)碼管顯示當(dāng)前設(shè)定的后極頻率及脈寬
華潤微電子開發(fā)出1200V Trench NPT IGBT工藝平臺
華潤上華已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺,各項參數(shù)均達(dá)到設(shè)計要求,成功進(jìn)入Trench IG...
實用IGBT焊接電源方案及炸管對策!逆變電焊機=逆變焊接電源+焊接裝置.只要做好逆變焊接電源,那么系列產(chǎn)品就迎刃而解.影響逆變焊接電源可靠性的主要問題是...
為了實現(xiàn)三電平電路,只能通過采用分立式器件或至少將三個模塊結(jié)合在一起?,F(xiàn)在,采用針對較高擊穿電壓的芯片技術(shù),通過將三電平橋臂集成到單獨模塊中,再配上驅(qū)動...
IGBT設(shè)計思路 主變壓器用EC-35鐵氧體磁芯,初級0.2X20mm銅皮3T+3T,次級0.44漆包線45X4共180T分四段再串聯(lián)。
2011-01-13 標(biāo)簽:IGBT 4935 0
IGBT的保護(hù)措施,主要包括過壓保護(hù)和過流保護(hù)兩類。使用中,對于IGBT因關(guān)斷而產(chǎn)生的開關(guān)浪涌電壓,可以采用適
2010-11-09 標(biāo)簽:IGBT 1738 0
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